逐风寻势，共知天下

CDU：英维克、同星科技、同飞股份；
泵阀：飞龙股份、大元泵业；
cage：奕东电子、鼎通科技；
冷板：思泉新材；
UQD：领益智造；
歧管：五洋自控、金富科技；
冷水机组/压缩机：冰轮环境、鑫磊股份、汉钟精机；
干冷器：申菱环境；
冷却塔：海鸥股份。

经与多方一线专家沟通，针对CPO致ccl降级传言的解读

针对"CPO技术将导致CCL等级降至M4、冲击AI主板CCL规格升级逻辑"这一传言，经交叉核实，前半部分"CPO渗透率提升会影响部分CCL需求增速"有一定依据，但后半部分"CCL等级降至M4、高端板材升级逻辑被颠覆"完全不属实，具体情况如下：

1、AI机柜内约七到八成的PCB需求来自柜内中短距互联，这部分必须走PCB电连接，高端板材的规格升级（向M9以上等级演进）和放量均在如期推进，产业趋势没有任何变化。

2、CPO走光纤信号主要影响的是机柜间传输及交换机场景，仅占AI材料需求的约10%，而处理器-GPU-Switch间的板间传输仍需高频高速电连接，CCL等级不会大幅降级，只是层数堆叠增速可能略有放缓（约降1级），远非传言中"降至M4"的极端情形。

3、CPO大规模落地仍受限于成本、良率与可靠性等多重瓶颈，时间表至少在2028年以后，对明后两年的订单与排产没有实质影响。即便远期柜间场景部分走光，需求也会向更高层数、更高规格的载板迁移，属于PCB内部的价值转移而非需求消失。

昊华科技之前主要是跟pcb，今天涨停应该是因为六氟丁二烯（C₄F₆），高深宽比介质刻蚀的核心特种气体。这种气体有四大应用场景：
先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）
3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的微米级深孔刻蚀
HBM高带宽显存：AI芯片配套的核心刻蚀材料
高端 DRAM ：电容器、深沟槽高精度刻蚀
28nm以上成熟工艺可用CF₄、C₄F₈替代，14nm及以下先进节点必须用六氟丁二烯（纳米级高深宽比结构的刻蚀精度要求）。
全球仅3家企业规模量产5N高纯六氟丁二烯：昊华科技、关东电化（日）、林德（德）。

明天指数好它就可以走更强，不好可能缩量回调。功率半导体也是走的涨价，回调我也会继续观察，我有时间我就和大家说说我在看什么，没走出来也别怪我

另外就是AI硬件周五冲高回落，又埋了一批资金，这种情形如果持续循环也会影响其他科技板块。所以对于AI硬件，需要它企稳，这样资金进攻其他方向也会“心无旁骛”一些，否则还是很难走出持续性。
补充一下，传智教育的物理AI属性，或许也和机器人中的一些标的有重叠和带动，同标签的还有天娱数科、能科科技等。

我已力竭，我已沉默，我已认输，我已心累，我已崩溃，我已无助，我已落泪，我已求佛，我已撑不住，我已避世休养，我已贤者时刻，我已无力招架，我已求天求地求爹娘，我已三十六计走为上计，我已装疯卖傻一问三不知～哈哈哈哈

好了，我又要去赶飞机，听说深圳暴雨也不知道会不会延误有什么需要讨论的晚一点再和大家一起谋划

液冷自从有消息刺激以来，三天时间发酵的并不顺畅。第一天几乎集体高开低走，第二天除了金富其他的无所表现，今天金富没能连板但同是代工链的五洋自控又拉了十五个点。这个题材后面分歧转一致的时候，加一个思泉新材一并观察。

补充一些信息，但没量可能也就没戏，当学为主了。

半导体设备零部件需求展望 专家会议要点

1、 半导体零部件供应整体现状与趋势

卡脖子品类与价格趋势：先进制程相关的涂层类、静电卡盘（E-chuck）、射频电源、真空泵、真空阀等零部件当前国产化率较低，存在卡脖子问题；2026年上半年相关零部件已出现价格上涨，若下半年M ATCH 法案落地，预计价格将进一步上涨、交期拉长。

海外零部件厂商产能特点：海外厂商不会因为国内需求的短期波动扩大产能，因此供需紧张时零部件会出现交期拉长、价格递增的情况。

分制程零部件国产化率：先进制程中，海外采购零部件价值占比约80%，国内自研/采购占比不足20%；成熟制程中，国内自研/采购零部件价值占比约40%-50%，海外采购占比约50%-60%。

2、射频电源

涨价幅度：先进制程用射频电源涨价幅度为13%-15%，海外供应商以霍廷格、AE为主。

恒运昌：主攻PECVD用3-6000瓦低功率射频电源，产品成熟，主要配套拓荆，成熟制程领域份额较高，未布局高功率刻蚀用射频电源。

英杰电气：主攻刻蚀设备用射频电源，但12千瓦以上先进制程用高功率射频电源技术仍较落后，未进入长存、长鑫、中芯南方等先进制程产线供应链。

国产化率情况：成熟制程射频电源国产化率较高，先进制程射频电源国产化率基本为0。

3. 真空类零部件（真空泵、真空阀）

涨价幅度：

真空泵整体涨价约9%，其中爱德华、普发等海外厂商的先进制程用真空泵国内暂无供应，国产厂商沈阳科仪的产品仅在长存128层、256层产线小批量验证供应，256层以上先进制程无相关产品。

真空阀整体涨价约7%，国内厂商新莱应材产品可对标海外VAT，且与中微合作时间较长，但品类覆盖少于VAT。

4、机械结构件与硅/石英部件

品类价值占比：金属结构件（反应腔内衬、腔体等）占单台设备价值的约10%。

国内厂商竞争格局：富创精密可供应中微先进制程腔体，中微扶持的托伦斯订单规模持续上升。

涨价幅度：大型进口金属结构件涨价幅度约5%-6%。

普通石英件（国内菲利华、神工股份等可生产）涨价幅度约3%-5%；高纯石英件国内材料技术不足，依赖进口，涨价幅度约12%-15%。

静电卡盘（陶瓷金属结合件）涨价幅度约9%-11%，国内供应商包括江丰电子、珂玛科技。

5、仪器仪表类（MFC、真空计）

MFC分为热式和压差式：热式MFC单价约3000元/颗，主要用于成熟制程；压差式MFC用于28nm及以下先进制程，灵敏度和监控精度更高，单价约9000-12000元/颗。

华创微电子产品份额国内最高，产品主要供给华创；蓝动精密、先导科技主要生产热式MFC，蓝动精密产品已进入长存等晶圆厂小批量供应；高凯技术、青岛芯恩为新玩家。

涨价幅度：真空计（Gauge）国内无供应，依赖进口，涨价幅度约12%；MFC涨价幅度约6%。

6、静电卡盘（E-chuck）

珂玛科技技术领先，先进制程用氮化铝基静电卡盘已实现小批量供应；中瓷电子的12寸氧化铝基静电卡盘已在北方华创上机验证，海古德为后进入厂商。

价值量：海外厂商12寸先进制程静电卡盘单价约8万美金（折合人民币约40多万元），国内同类产品单价约20多万元，价格约为海外的7折；8寸静电卡盘单价约10多万元。

配套规则：单台设备的每个腔体对应1个静电卡盘。

7、陶瓷加热盘（Heater）

国内厂商竞争格局：苏州珂玛技术领先，卡贝尼产品主要覆盖6寸、8寸产线。

海外厂商情况：海外刻蚀设备厂商主要采用日本东洋碳素的产品，其材料致密性和烧结技术优势明显。

配套规则：单台设备的每个腔体对应1个陶瓷加热盘。

8、机电类零部件

机械手臂：国内新松机器人已实现部分突破，国产化率约10%；EFEM晶圆传输系统：国产化率约30%。温控/冷却系统国产化率相对较高，占单台设备价值的10%-15%。

9、零部件需求结构与替换周期

高价值零部件品类：静电卡盘、射频电源、硅环/石英环为三大高价值零部件，其中硅环、石英环为消耗品，年度消耗价值较高。

耗材类（硅环、硅电极、密封圈等）：占单台设备价值的10%-12%，国产化率较高。

电器类（射频电源等）：占单台设备价值的约15%，成熟制程国产化率约40%，先进制程国产化率基本为0，海外供应商以AE、霍廷格为主。

真空与气体系统类（干泵、分子泵、真空阀、MFC等）：占单台设备价值的15%-20%，先进制程国产化率约5%，成熟制程国产化率约10%-20%。

10、海外政策影响与国产替代趋势

MATCH法案核心影响：法案将中芯、长存、长鑫、华虹列入限制名单，限制28nm以下浸没式DUV、低温刻蚀等设备及相关零部件的供应，同时限制海外厂商对已售设备提供维保服务，目标是限制国内晶圆厂产能扩张和稳定生产。

对国内产业的影响：政策压力倒逼着国内晶圆厂加快国产设备和零部件的验证进度，利好国产设备和零部件厂商，但晶圆厂面临国产设备性能与海外有差距的挑战。

国产替代紧迫性排序：真空类（真空泵、真空计、真空蝶阀）→电器类（射频电源）→机电一体类（静电卡盘、机械臂）。

兴森科技：再度启动载板扩产
 
6月23日，公司发布向特定对象发行A股股票预案，募集资金总额不超过39亿元，用于珠海兴森高阶mSAP基板项目(一期)、集成电路封装基板项目(三期）。
 
公司广州以及珠海工厂具备高阶MSAP工艺能力，本次扩产或将面向光通讯、计算芯片等下游MSAP需求；公司拥有国内最大ABF载板产能，再次定增扩产表明未来的发展信心。
 
市值测算：
一阶段：满产定价，1450亿市值
ABF：公司40亿+产值满载运行对应50亿收入，20倍PS（40净利率，50PE），对标1000亿市值；BT载板+PCB/MSAP 27年对应15亿利润，30PE，450亿市值；
 
二阶段：扩产预期，2000亿市值
ABF、BT等技术具备较高壁垒，集中在深南、兴森，ABF未来3年新增150亿美金；BT预计未来3年新增50亿美金；参考IBI等核心载板公司，按照资本开支10X PB+进行定价。