旭光电子 氮化铝业务交流会纪要
1、现有产能与扩产规划
当前氮化铝产能为500吨/年，对应300万片产品，目前处于产能爬坡阶段。
受市场需求爆发影响，现产能已无法满足下游采购需求，公司正筹备扩产至1000吨/年，对应700万片产品。
2、扩产壁垒与自身竞争优势
公司拥有和华创联合研制的专利连续生产设备，该设备不外售，国内仅本公司配备同类设备，海外只有日本德山具备同款生产设备。
行业内其他同行普遍采用单体炉进行生产，这类设备产出的产品性能参数一致性较差，无法支撑下游客户规模化生产；同行若想要扩产，需要大批量采购真空炉，产能释放会受设备交付周期严重限制。
公司扩产流程不受真空炉交付周期约束，整体扩产节奏仅由自有定制设备的制造、调试周期决定，扩产落地难度更低。
依托独家连续生产设备，公司产出的4N级高纯度氮化铝粉体在总产能中的占比，处于国内行业最高水平。
3、下游应用与客户落地进展
氮化铝主要用于电子封装与功率散热，包括氮化铝陶瓷基板、气密性陶瓷封装管壳、芯片级热沉与衬底、导热界面材料、
半导体制造设备结构件等。
公司完成了从氮化铝粉体、氮化铝陶瓷基板到HTCC元器件的全产业链布局。
光模块相关氮化铝产品已间接向海内外头部公司实现批量交付；半导体结构件类氮化铝产品已迈入小批量供货阶段，产品验证工作预计会在2026年内全部完成。
4、价格与供应链独有优势
受
日本京瓷等海外供应商产能受限、出口管控政策影响，光模块、HBM、功率半导体等高端赛道陶瓷产品价格已上涨15%-25%。
公司产品生产环节添加的三氧化二钇稀土材料，绝大部分会在生产反应过程中析出，成品内部稀土成分占比极低，产品仅需完成基础备案即可正常出口，不会受到相关政策约束。
5、产能分配与粉体外售政策
公司氮化铝产能会优先供给光模块、HBM、功率半导体这类对4N级高纯度粉体需求量高的下游领域，不会重点布局3N及以下低端粉体赛道。
氮化铝粉体基本用于公司自身陶瓷基板、管壳生产，仅会向1至2家长期战略伙伴少量外销，其余不对外供应。
6、行业核心技术难点
氮化铝产业最核心技术难点集中在粉体烧制环节，国内多数公司虽可产出氮化铝粉体，但粉体批次一致性不足，会直接造成下游成品良率偏低，难以开展规模化量产。
稀土材料三氧化二钇仅在粉体烧制、基板加工环节添加；日本粉体厂商扩产计划受到稀土供应程度。
天爷
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