长鑫G5技术平台采用多重曝光工艺,是该工艺首次在国内
DRAM 厂商中正式应用,采用四重曝光系统绕开EUV,成本和能效持续优化。
影响主要体现在三个方面:
第一,产能和成本跃升,同等8GB基准颗粒下,单硅片产出提升超50%,晶圆利用效率大幅优化,规模效应进一步夯实,可支撑长鑫维持80%高毛利率,成本竞争力比肩海外龙头;
第二,高端产品全面落地,基于该平台的LPDDR5已实现全球商用首发,LPDDR4、LPDDR5的24GB大容量高端产品也已量产,性能、速率、功耗、容量全面对标海外旗舰机型,支撑长鑫颗粒顺利切入高端手机、PC端,技术追赶进度明显;
第三,厂商产品结构升级,结合长存3D NAND的工艺平台,国内存储厂商可持续拿下头部整机厂商的高端手机、PC长期订单,彻底摆脱过去低端内卷状态,实现从替代低端到对标高端的跨越。
当前全球四大海外原厂、国内2-3家存储厂商都在大规模扩产,设备上游零部件短缺情况明显;9月以来,
半导体零部件交期延长,金属、非金属零部件均出现短缺,并带动MFC、射频电源、静电卡盘、加热盘等细分零部件的国产替代加速。
再归纳一遍相关公司,勿做一致性后的追高,10日线以上保持趋势持有耐心。
1.机械结构件
金属件:
富创精密(腔体、内衬、匀气盘、喷淋头)、
超纯应材(喷淋头、介质窗、内衬、喷嘴)、
托伦斯(腔体、内衬、加热器、冷盘)、
先锋精科(腔体、内衬、加热器、匀气盘);
非金属件:
神工股份(硅部件)、
珂玛科技(陶瓷部件、静电卡盘)、
江丰电子(静电卡盘)。
2.真空系统
新莱应材(真空系统、闸阀、管路)。
3.气体输送与流体控制系统
高凯技术(MFC)、
正帆科技(GasBox)、
星源材质(MFC压电陶瓷)。
4.射频与电气电源系统
英杰电气(射频电源、匹配器)、
恒运昌(射频电源、匹配器)。
5.晶圆传输与机电一体化系统
京仪装备(EFEM模块)