逐风寻势，共知天下

惨惨惨……刚出门去买了一瓶逍遥丸，再这样得上速效救心丸了
KIS（韩国投资证券）发了 SK海力士的 2Q26 Preview，把海力士Q2营业利润砍到60.4兆韩元，比一致预期低了8%；26、27年的盈利预期也顺手下调了9%和11%。
据Hyperinsight监测显示，SK海力士价格快速下挫，引发多头仓位连环强平。过去4小时，SK 海力士美股及正股合约累计爆仓约2,479万美元，超过BTC和ETH，位居全网首位；其中，SKHX还出现同期全网最大单笔爆仓。

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祝福祖国航天事业再下一城！

市场传头部电池厂给隔膜涨价，了解到目前上下游仍处谈价阶段，但头部隔膜厂已有意控制低价客户供应比例，行业涨价意愿强烈。
 
26Q2行业头部盈利在0.1-0.15元/平，回报周期仍十年左右。目前隔膜头部公司保持满产状态，7月隔膜排产环比+1.38%，增长有限。
 
锂电Q3逐步进入需求旺季，隔膜环节供给紧张或将加剧，下半年隔膜有望进入新一轮涨价周期，行业盈利将持续修复。
 
星源材质：主业业绩反转+半导体第二增长曲线。
 
恩捷股份：隔膜龙头+大客户涨价带来盈利修复。

反思了一下我昨天犯的错误，大分岐当日不应该去吸的，我朋友昨天想去吸东山我说等今天惯性下杀再去，轮到我自己怎么操作的如此狗💩

玻璃基板专家调研会要点 -0626
 
1、玻璃芯基板进入商业样阶段。
 
目前推进最快的是玻璃芯载板，行业已度过概念验证、实验室样品，进入商业化送样阶段。国内处于商业样的仅有京东方、安捷利美维、沃格光电三家。
 
2、玻璃成熟后有望全面替代SLP/PCB电子布树脂层。
 
从第一性原理出发，玻璃基成熟后成本会低于现有PCB电子布+树脂，机械支撑性、抗翘曲、表面粗糙度、介电性能、高频性能、互联密度全面提升，实现CoWoP。
 
3、FOPLP算力芯片27H2量产、玻璃中介层不具备性能优势。
 
台积电后续新建2.5D封装厂全部采用方形玻璃CoPoS设计，不再建设晶圆级封装厂。26年面板级封装渗透率不到10%，28年后随新厂放量快速提升，玻璃中介层未来仅用于小众场景。
 
4、玻璃芯基板是AI需求端驱动的升级项。
 
当前客户对良率和成本不做要求，价格敏感度极低，至少未来2年客户重点关注可靠性，不会对成本提出要求。
 
5、GV激光相对成熟、PVD和电镀当前有瓶颈。
 
激光打孔行业不良率普遍低于10PPM/百万分之一，帝尔激光的贝塞尔光束产品表现最优、其次是同属一梯队的大族激光。
 
种子层PVD为主流路线，产线多用应材和矩阵科技产品，北方华创、汇成真空等PVD厂商若有客户配合追赶速度也较快。
 
6、玻璃原片成分定型后国产机会较大。
 
核心是成分，当前肖特康宁都还在研发调试中，最终产品定型后认为国产玻璃厂商会快速跟进，规模化量产落地阶段更具优势。

华懋科技：收购再推进，产能、订单、备料、客户等要点更新
 
事件：6月26日，公司公告收购富创优越评估报告，梳理披露要点信息如下：
 
1）客户：成功导入Marvell、产品为光引擎OE封装和制造，2028年起量；客户四（预计为 LITE ）合作1.6T光模块产品，2026年采购金额大幅增长至9亿元，2027年或将继续高增长，且披露富创优越在其产品份额为50%~70%。
 
2）订单：26年4月底在手订单近15亿，25年底9.77亿元（环比+50%，同比爆增），25年4月末在手订单2.4亿元。
 
3）产线：26年4月，富创优越达产24条产线，在建7条，合计31条。2025年后续新建产线基本都是基于高单价的FlipChip工艺产线，同时海外布局扩产先进封装产线。
 
4）先进封装工艺迭代：25年1-9月，800G光模块非倒装工艺ASP为181.88元，Flipchip倒装工艺ASP 333.48元，价值量大幅提升。
 
富创优越Flipchip 工艺领先，协同客户开发新一代3.2T、NPO/CPO技术（客户一、客户四，以及新导入Marvell光引擎就是很好证明）。
 
参股先进封装公司中科智芯24.49%，该公司掌握晶圆级封装、扇出型封装、2.5D/3D、TSV等先进封装核心技术，未来在硅光、NPO、CPO等领域形成技术和客户协同。
 
5）市场份额：光模块pcba全球第一梯队，铜连接AEC pcba按2025年产量测算市占率约34%。
 
6）物料备货：存货24年底3.81亿元，25年底高增至7.79亿元；应付账款24年底5.75亿元，25年底14.9亿元。
 
结论和观点：目标市值800亿。

长光华芯 6.26苏州龙之梦CFCF光连接大会发言纪要
 
一、行业大判断
 
现在整个AI光芯片行业进入产能为王时代，产能决定供货价格、决定供应链格局。全球磷化铟高速EML芯片严重紧缺，海外厂商交期排到2027年以后，1.6T大规模上量节奏会比市场之前预估更快。
 
1.6T是未来两三年行业主力；3.2T、CPO长期方向，但短期受制于光芯片供给，落地节奏会放缓；NPO会优先落地。
 
国内高速光芯片国产化率不到10%，国产替代窗口期明确，现在下游模块厂商都在主动培育国内芯片供应商。
 
二、自身磷化铟InP芯片最新进展
 
100G‑EML：已经稳定大批量供货旭创、新易盛、光迅，同时向谷歌、亚马逊海外云厂商送样验证，国产100G芯片已经可以正式进入海外供应链。
 
200G‑PAM4 EML（1.6T光模块最核心芯片）：国内首款自研芯片，现阶段已经完成头部模块厂验证，2026年三季度正式量产；200G EML是制约全球1.6T放量最大瓶颈。
 
400G‑EML：2026‑2027年推出，对标未来3.2T以及CPO使用需求。
 
连续光CW光源（70‑200mW）：70mW已经大批量出货，用于硅光方案；200mW高功率CW激光器今年落地；后续规划500mW以上，适配CPO架构的光源需求。
 
三、产能规划
 
IDM全自主产线模式（外延‑晶圆‑芯片‑封装全部自己做），2027年初光通信芯片月产能做到1000万颗以上，全年产能1.2亿颗级别，大幅释放200G芯片供给能力。
 
持续扩充8英寸磷化铟产线，提升良率，降低芯片成本。
 
四、多条技术路线布局
 
薄膜铌酸锂TFLN：配套铌酸锂调制器的光源方案已经布局，跟上TFLN产业浪潮。
 
硅光赛道：和亨通合资星钥光子，投50亿建设国内第一条8英寸90nm硅光晶圆产线，2026年底通线，2027年投产；以后可以对外提供硅光代工服务，打造InP光源+硅光集成整套方案，适配1.6T‑3.2T需求。
 
VCSEL全系列产品完善，用于短距离AI算力互联。
 
五、整体结论
 
全球高速光芯片紧缺至少持续2‑3年；
 
200G EML今年三季度量产是最大利好，直接打开1.6T产业链供给天花板；
 
依靠InP芯片+硅光代工双重布局，同时兼顾传统可插拔模块、NPO、远期CPO三条技术路线。
 

半导体设备：后道环节国产化率及厂商梳理

后道工艺，主要是指封装测试中的环节
目的：将前道产出的合格裸芯片封装为标准化成品，并完成功能、可靠性测试，确保符合出厂要求。
主要步骤：晶圆中测（CP）→晶圆减薄→晶圆切割→固晶贴装→引线键合→塑封成型→成品终测（FT）。

1.晶圆测试（CP测试）
（1）目的：测试每个裸芯片（Die）的电性能与功能，剔除坏片，避免浪费后续封装成本。
（2）设备：探针台、测试机。
（3）测试机头部：泰瑞达（美）、爱德万（日）；长川科技、华峰测控、精智达。
（4）探针台头部：东京电子（日）、东京精密（日）；矽电股份、联动科技。

2.晶圆减薄
（1）目的：将晶圆背面研磨减薄，以满足封装厚度要求，并优化散热性能。
（2）设备：减薄机。
（3）全球头部：Disco（日）全球市占率超60%。
（4）国内头部：华海清科。

3.晶圆切割（划片）
（1）目的：将晶圆切割成独立裸芯片（Die）。
（2）设备：划片机。
（3）全球头部：Disco（日）、东京精密（日）双寡头垄断。
（4）国内头部：光力科技。

4.固晶贴装
（1）目的：将切割后的裸芯片固定在封装基板（IC载板）或引线架上，完成机械固定。
（2）设备：固晶机/贴片机。
（3）全球头部：Kulicke&Soffa（美）、ASMPT（新加坡）。
（4）国内头部：新益昌。

5.引线键合
（1）目的：用金属线（金或铜）连接芯片焊盘与基板引脚，实现电气连接。
（2）设备：引线键合机。
（3）全球头部：Kulicke&Soffa（美）全球市占率超60%。
（4）国内头部：快克智能。

6.塑封成型
（1）目的：用环氧树脂等材料包裹芯片与焊线，提供物理防护和电气绝缘。
（2）设备：塑封机。
（3）全球头部：TOWA（日）全球市占率超50%。
（4）国内头部：耐科装备。

7.终测（FT）
（1）目的：测试封装后芯片的功能、性能、可靠性，剔除不达标产品。
（2）设备：分选机、测试机。
（3）分选机头部：科休（美）全球市占率超40%。
（4）国内头部：金海通。

半导体前道材料国产化率及厂商梳理：

前道材料占据70%市场规模，主要包括七大类：硅片、掩模版、光刻胶、湿电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材。

1.硅片
（1）作用：半导体制造基底材料，支撑后续光刻、蚀刻等工艺，形成晶体管和电路结构。
（2）组成：由高纯度单晶硅（9N以上）经切割、研磨等工艺制得。
（3）分类：按尺寸分为8英寸、12英寸等；按工艺分为抛光片、外延片、SOI硅片。
（4）全球格局：CR5超90%，包括信越化学（日）、SUMCO（日）、环球晶圆（台）、Siltronic（德）、SK Siltron（韩）。
（5）国内头部：沪硅产业、立昂微、有研硅。

2.掩膜版（光罩）
（1）作用：光刻工艺中的图形转移母版，承载着设计好的电路图案。
（2）组成：由石英玻璃基板、金属铬层、感光胶层组成，通过电子束刻蚀出电路图形。
（3）全球格局：CR5超95%，包括Photronics（美）、Toppan（日）、DNP（日）等。
（4）国内头部：聚和材料、路维光电、清溢光电。

3.光刻胶
（1）作用：光刻工艺中的感光介质，涂覆在晶圆上，曝光后溶解度变化，显影后留下电路图案，实现图形转移。
（2）组成：由树脂、感光剂、溶剂、添加剂组成。
（3）分类：按曝光波长分为EUV胶、ArF/KrF胶（DUV）、G/I线胶（UV）。
（4）全球格局：CR5超90%，包括JSR（日）、东京应化（日）、信越化学（日）、富士胶片（日）、杜邦（美）。
（5）国内头部：南大光电、彤程新材、上海新阳、晶瑞电材。

4.湿电子化学品
（1）作用：超净高纯化学试剂，用于晶圆清洗、蚀刻、显影等工艺。
（2）分类：清洗液、蚀刻液、剥离液、显影液等。
（3）全球格局：CR5超80%，包括关东化学（日）、巴斯夫（德）、霍尼韦尔（美）、三菱化学（日）。
（4）国内头部：中巨芯、格林达、江化微。

5.电子特气
（1）作用：高纯度特种气体，用于蚀刻、薄膜沉积、掺杂、清洗等工艺。
（2）分类：全领域超百种，分为蚀刻气、沉积气、清洗气、掺杂气等。
（3）全球格局：CR4超80%，包括林德集团（德）、液化空气（法）、空气化工（美）、大阳日酸（日）。
（4）国内头部：中船特气、华特气体、雅克科技、和远气体、金宏气体。

6.靶材
（1）作用：物理气相沉积（PVD）工艺中的粒子源，靶材原子被溅射并沉积形成薄膜，用于互连层、阻挡层、导电层制备。
（2）分类：金属靶材（铝靶、铜靶、钛靶、钨靶等）、合金靶材、陶瓷靶材。
（3）全球格局：CR5超80%，包括日矿金属（日）、东曹（日）、霍尼韦尔（美）等。
（4）国内头部：江丰电子、有研新材、阿石创、欧莱新材。

7.抛光材料
（1）作用：用于化学机械抛光（CMP）工艺，实现晶圆表面纳米级平整。
（2）分类：抛光垫、抛光液。
（3）全球格局：抛光液CR3超90%（卡博特、日立、Fujimi）；抛光垫 CR2超90%（陶氏、卡博特）。
（4）国内头部：鼎龙股份、安集科技。