机构新吹的硅电容,解析一下
核心结论:硅电容主要用于超高频去耦领域,光模块领域率先放量,AI服务器用量弹性很大:一是功率提升,超高频去耦需求增加;二是随着制造工艺迭代(DTC →VIC),硅电容容值提升,对MLCC替代空间打开,标的:
英集芯、
颀中科技。
1、技术优势:相较其他电容,硅电容是用
半导体工艺制造,核心是高频性能好:①ESL极低,在10GHz超高频场景下,滤波效果远优于MLCC;②尺寸小,厚度薄,可与芯片封装在一起;③高温下容值无衰减。
当前问题:①成本偏高;②容值上限低(目前量产容值最高为104,105及更高容值仍在研发中,VIC工艺突破后可做到106以上);③产能受限。
2、技术工艺:台积电、三星这类具备半导体制造能力的厂商有天然工艺优势,Fabless厂商需寻找代工企业,封装产能是限制硅电容厂商出货的瓶颈。
深沟槽DTC:当前成熟路线,为光模块场景的主流方案,但无法嵌入封装内部,容值上限较低,沿用传统
MEMS 产线。
过孔集成VIC:可实现容值提升(硅电容主要技术迭代方向),且能够埋入封装内部,是未来AI服务器的主流方案,主要玩家包括台积电、三星、Empower。
3、竞争格局:当前硅电容市场龙一是村田,市场份额约50%;其余为Empower、罗姆、三星
电机、威世、台积电等;其中光模块领域以村田为主,GPU、CPU则以Empower、三星电机为主。
4、AI上的应用
AI服务器:用在芯片周边超高频滤波场景。随着功率提升,10GHz以上的高频杂波信号的影响会逐步增强,Rubin Ultra成为硅电容应用节点。
用量&价格:容值高,需要用在104及以上,105及以上需要VIC工艺;当前单机柜用量为50颗,单价为1.5美元。
与mlcc的关系:互补,搭配使用。硅电容是解决超高频去耦,MLCC是解决中频高频。
当前AI服务器单机柜MLCC总用量约50-60万颗,其中去耦MLCC占50%,而去耦MLCC中容值105&106占比50%;1颗硅电容可替代2-3颗MLCC,单机柜理论硅电容用量上限约6万颗左右。
光模块:1.6T单模块用量约30颗,3.2T单模块用量预计50-60颗。容值较AI服务器低,主要用103为主;并非所有1.6T光模块都标配硅电容,取决于厂商设计能力,今年3-4月以来光模块硅电容订单明显放量。