存储芯片超级周期：产业链投资逻辑梳理

存储芯片超级周期：产业链投资逻辑全梳理 一、行业全景：超级周期正在深化 存储芯片行业正经历一轮历史罕见的超级周期，其驱动力 、持续时间和市场规模均远超以往。 市场规模爆发式增长。 美银预计全球DRAM和NAND市场规模2026年将达8,768亿美元，2027年突破1.2万亿美元。瑞银更乐观，预测行业收入2026年达9,920亿美元，2027年升至1.76万亿美元。TrendForce则预估2026年存储器产值达5,516亿美元，2027年有望再创新高。 供需缺口持续扩大。 摩根士丹利 测算，全球NAND市场2026年供应不足15%，2027年缺口仍达9%。瑞银分析认为，DRAM行业供需将至少持续紧张至2028年上半年，2027年供需失衡程度达到过去30年罕见水平。美光管理层同样表示，供应紧张局面将持续至2027年之后。 涨价趋势远未结束。 DDR4（8Gb）自2024年底至2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）自2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。瑞银最新上调价格预期：DDR三季度环比上涨32%（此前预期17%），四季度上涨18%。虽然三季度涨幅因高基期有所收敛至13%-18%，但服务器DDR5、企业级SSD涨幅仍维持在10%-30%区间。 二、核心驱动逻辑 1. AI需求是绝对主线 本轮周期的核心驱动力 是AI，与以往PC、手机补库存主导的短周期有本质区别。AI服务器存储用量激增：AI服务器DRAM用量达到传统服务器的8至10倍。美银预计服务器将在2026年占全球DRAM bit需求约43%，2027年升至56%。AI NAND需求井喷：AI相关NAND需求从2025年的205 EB增长至2026年的400 EB，2027年进一步升至609 EB，占NAND总消费量比例从18%升至41%。HBM成为价值高地：美银预计全球HBM销售额将从2025年的64.6亿美元增至2026年的269.4亿美元、2027年的485亿美元。 2. 供给端多重受限 原厂战略退出利基市场：三星、美光、铠侠、海力士等原厂逐步退出利基型存储市场，将资源集中于HBM、DDR5等高端产品，供给端呈现明显收缩。产能扩张受限：EUV光刻等高端设备瓶颈制约DRAM晶圆厂产能扩张速度；HBM4E产能对通用DRAM供应形成潜在挤压。资本开支虽高但有效供给有限：美银指出，资本开支虽快速增长，但可转化为有效供给的新增产能依然有限。 3. 商业模式发生根本转变 存储行业正从"周期性大宗商品"向"长期战略资源"转变。美光已签署16份战略客户协议（SCA），对应约1,000亿美元累计最低收入，长期锁单正在弱化存储行业的周期属性。 三、产业链投资逻辑分层 第一层：原厂 ＞ 模组厂（关键分化） 摩根士丹利明确指出，存储投资逻辑正从"涨价普惠"转向"结构分化"，原厂优于模组厂、DRAM优于NAND是最核心的判断。 原厂优势：原厂控制着供应分配权，将更多产出导向超大规模云客户，限制模组厂进入企业级SSD和AI存储市场的渠道。亚洲SSD模组厂仅有10%-20%的收入来自企业级SSD，高度暴露于消费级疲软风险。 模组厂风险：模组厂和分销商库存正在上升，智能手机和PC客户在经历连续涨价后已开始实际砍单。传统"周期底部囤货、上涨周期出货"的模式正面临结构性压力。 第二层：DRAM ＞ NAND 摩根士丹利列举了偏好DRAM的四点理由：DRAM长期协议条款更优，客户更愿为供应保障支付溢价；在AI计算和服务器更新周期推动下，需求可见度更高；EUV光刻技术制约了DRAM晶圆厂产能扩张速度；HBM4E潜在放量会挤占现有DRAM产能，进一步收紧供应。通用DRAM与HBM的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点。 第三层：服务器 ＞ 消费电子 需求两端已明显分化。企业级SSD NAND价格三季度环比上涨约30%，而消费级NAND仅小幅上涨。消费端价格承受力已达极限。 四、A股产业链公司全景 根据产业链环节分类： 1. 国内原厂（最受益于"原厂优于模组厂"逻辑）

公司状态长鑫科技	科创板IPO注册生效
长江存储	IPO辅导备案

2. 模组厂（需警惕消费端风险）

公司市值体量年内表现江波龙（301308）	约2,615亿	年内+152%，上半年预增超600倍
佰维存储（688525）	超千亿	创历史新高
德明利（001309）	超千亿	创历史新高
朗科科技（300042）	约135亿	年内约+74%

3. 利基存储（海外原厂退出，国产替代加速）

公司核心看点兆易创新（603986）	存储+MCU双轮驱动，Q1净利润14.61亿（同比+523%）
普冉股份（688766）	NOR Flash等利基产品，股价突破700元
北京君正（300223）	DRAM产品持续涨价，Q3预期继续上调
东芯股份（688110）	国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM设计的企业，预计下半年利基价格继续上行

4. 存储设备（国产替代空间最大） 东吴证券 指出，存储测试机国产化率仅8%-10%，替代空间巨大。重点推荐：长川科技（300604）；建议关注：精智达（688627）、联讯仪器（688808）。 5. 代工封测与材料 代工封测：中芯国际 、华虹公司、长电科技 、通富微电 、深科技 等；材料：江丰电子 、鼎龙股份 、安集科技 等。 五、机构核心观点汇总

机构核心判断摩根士丹利	原厂＞模组厂，DRAM＞NAND；AI NAND需求2027年同比+60%
美银	存储超级周期延续至2027年；2027年市场规模突破1.2万亿美元
瑞银	上调DDR/NAND价格预期；2027年供需缺口或扩大至-13.6%
东吴证券	存储测试机国产化率仅8%-10%，替代空间巨大
华鑫证券	兆易创新"买入"，存储+MCU涨价浪潮形成
招商证券	同有科技"强烈推荐"，信创+AI+军工三重共振

六、需重点关注的风险 消费端疲软：消费级定价可能已见顶，模组厂面临利润率压缩风险。三季度DRAM合约价涨幅已从二季度的58%-63%收敛至13%-18%。 AI资本支出放缓：这是最大的宏观威胁。大型云厂商可能需要持续通过资本市场融资以支撑相关投资支出。 高估值与高波动：36只存储个股年初总市值约1.23万亿元，截至6月25日已达3.33万亿元，半年增长约2.1万亿元。7月2日板块曾出现集体大跌，高弹性伴随高波动。 2028年潜在供应过剩：若新增晶圆产能投产速度快于需求增长，2028年可能出现供应过剩。 国产替代进程不确定性：长鑫科技HBM3e预计2027年量产，与国际龙头HBM4仍有代差。 ⚠️ 风险提示：以上内容基于公开信息和机构研报整理，不构成任何投资建议。存储芯片行业处于高景气周期，但股价已累积较大涨幅，估值处于历史高位，行业内部结构性分化正在加剧，投资需结合自身风险承受能力独立判断。股市有风险，投资需谨慎。