【产业】磷化铟（InP）

一、基础定义与核心物理特性

磷化铟（Indium Phosphide，化学式InP），Ⅲ-Ⅴ 族第二代化合物半导体，由金属铟（In）、非金属磷（P）化合而成，深灰色闪锌矿晶体，熔点 1070℃。
三大不可替代核心优势（硅、砷化镓无法替代）
1.直接带隙（1.34eV）
电子跃迁直接发光，电光转换效率接近 100%；硅是间接带隙，几乎不能发光，高速光激光器只能用 InP。
2.天然匹配光纤黄金通信波段
发光波长精准覆盖光纤最低损耗窗口1310nm、1550nm，是长距离、AI 高速光互联唯一量产基材。
3.超高电子漂移速度
电子饱和速度是硅 10 倍、砷化镓更高，可支撑100GHz 以上超高频调制，超低信号损耗，适配毫米波、太赫兹 器件。
附加优势：抗太空辐射、导热好、耐高温、与 InGaAs 外延晶格完美匹配，便于光电集成。

二、核心下游应用（光通信占需求 80% 以上）
1. AI 数据中心高速光模块（最大增量赛道）
800G/1.6T/3.2T 光模块、CPO 共封装光子芯片刚需衬底：
生产 DFB 连续波激光器、EML 电吸收调制激光器、APD 雪崩探测器；
单颗 800G 光模块消耗 4~8 片 InP 芯片，1.6T 用量是 800G 的 2.7~3 倍；
英伟达、云厂商万卡 AI 集群爆发，机构预测 2026-2030 全球 InP 需求增长近 20 倍。
2. 毫米波 / 卫星 / 6G 射频器件
依托高电子迁移率制作 HEMT/HBT 高频晶体管：
低轨卫星星载射频、太空通信接收机（强辐射耐受）；
5G 毫米波基站、6G 太赫兹通信、军工雷达、高精度微波器件。
3. 车载 1550nm 激光雷达
1550nm 是人眼安全波段，InP 激光器探测距离 300~500 米，大气穿透强，L3/L4 自动驾驶高端车型标配。
4. 其他小众场景
航天多结太阳能 电池：转换效率超 30%，卫星专用；
红外探测、高速示波器、量子光芯片、医疗光学设备。

三、完整产业链（壁垒从高到低：衬底＞外延＞光芯片＞模块）
上游：高纯原料
1.高纯铟（6N/7N）：全球原生铟稀缺，中国占全球 75% 供给，龙头：锡业股份 、有研新材 ；
2.三甲基铟（有机铟前驱体）：外延生长必备，南大光电 国产突破；
3.磷化原料，合成磷化铟多晶。
中游最高壁垒：磷化铟衬底（晶圆）
全球市场高度垄断：日本住友电气（42%）、AXT 北京通美（36%）、JX，海外合计占据 90% 份额。
国内核心厂商：
云南锗业 （鑫耀半导体）：国内唯一 6 英寸衬底量产，华为哈勃持股，国内市占 80%；
有研新材：央企，2/4 英寸成熟，6 英寸送样；
三安光电 ：IDM 一体化，自研衬底自用。
中游：外延片
在 InP 衬底上生长 InGaAs 多层薄膜，决定芯片性能，设备为 MOCVD；
代表：三安光电、源杰科技 、海特高新 。
下游：光芯片 + 光模块
光芯片：源杰科技、光迅科技 、三安光电；
光模块：中际旭创 、新易盛 、剑桥科技 （AI 算力核心客户）。

四、行业核心逻辑
1.供需长期紧张
AI 算力扩张带动高速光模块持续放量，6 英寸高端衬底扩产周期 18 个月，短期产能跟不上需求，衬底持续涨价；
2.国产替代空间巨大
国内衬底自给率仅 30%，高端 6 英寸长期依赖日美，政策扶持化合物半导体；
3.资源稀缺属性
铟无独立矿产，伴生锌矿，全球年产量仅千吨，属于战略稀有金属；
4.长期成长赛道
除 AI 光通信外，6G、卫星互联网、自动驾驶激光雷达打开持续增量，单一行业周期波动对冲风险。
$云南锗业(sz002428)$ $有研新材(sh600206)$ $三安光电(sh600703)$