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关于HBM技术瓶颈与iHBM+玻璃基板协同突破:2026年最新进展与产业主线(今日复盘晚上放此帖评论区)

26-05-27 16:36 4655次浏览
泡姐杠上花
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一、当前HBM演进的硬瓶颈:为什么热阻和翘曲是"卡脖子"问题?

HBM的性能提升本质是堆叠层数增加+数据传输速率提升,但这两者都会放大热与结构问题:

热阻瓶颈:传统HBM采用"DRAM堆叠+TSV+微凸点+有机基板"结构,热量只能通过垂直TSV和边缘路径传导。每增加4层堆叠,整体热阻上升约30%HBM3E16层)的热阻已达0.48℃/W,功耗上限约18W;若直接堆叠24HBM4,热阻将突破0.7℃/W,核心温度会超过125℃的可靠性阈值,导致DRAM漏电率飙升、数据错误率增加。

翘曲瓶颈:有机基板的热膨胀系数(CTE≈17ppm/℃)与硅芯片(CTE≈2.6ppm/℃)相差6倍以上。在封装回流焊(260℃)和芯片工作(85-100℃)过程中,基板会产生严重翘曲,导致微凸点(间距已缩小至40μm以下)开裂、虚焊。16HBM3E的翘曲量已接近50μm的安全极限,24层以上堆叠若仍用有机基板,良率将低于30%

二、SK海力士iHBM:从"被动散热""内部主动导热"的革命

SK海力士2025年量产的iHBMIntegrated HBM)方案,核心是ICEIntegrated Cooling Element)集成散热元件,彻底改变了传统HBM的热传导路径:

技术原理:在每两片DRAM裸片之间嵌入10μm厚的高纯度铜散热片,并在堆叠中心构建垂直散热柱,将各层DRAM的热量直接传导至封装顶部的散热盖和底部的基板,形成"上下双向导热"的立体散热网络。

实测效果:iHBM3E的热阻降至0.29℃/W,比传统HBM3E降低40%;相同功耗下核心温度降低25℃以上;功耗上限提升至28W,可稳定支持16层堆叠1.2TB/s的带宽。

迭代方向:2026年下半年量产的iHBM4将升级为ICE 2.0,采用铜-金刚石复合散热片,热阻进一步降至0.22℃/W,可支持24层堆叠(单颗容量36GB)和2.4TB/s的带宽。

三、玻璃基板:解决翘曲问题的终极方案,同时赋能更高带宽

玻璃基板凭借与硅近乎匹配的热膨胀系数,成为替代有机基板的唯一可行路径,且带来了额外的性能增益:

核心优势:

1. 热失配消除:无碱玻璃的CTE可精确调控至3-5ppm/℃,与硅芯片的差异缩小至1倍以内,24HBM堆叠的翘曲量可控制在10μm以下,封装良率提升至90%以上。

2. 布线密度翻倍:玻璃的介电常数(ε≈4.5)低于有机材料(ε≈3.8-4.2),且表面平整度更高,可实现1μm以下的线宽/线距,布线密度是有机基板的2倍,支持更多的HBM通道和更高的传输速率。

3. 刚性更强:玻璃基板的杨氏模量是有机基板的10倍以上,可支持更大尺寸的封装和更多的HBM颗粒(从8颗提升至12颗)。

产业进展:

◦ SK海力士已与康宁、旭硝子合作,在2026Q1实现了玻璃基板HBM的小批量量产,良率达到85%

台积电同步推出CoWoS-Glass封装技术,将玻璃基板应用于中介层,与iHBM形成完美协同,预计2026Q3为英伟达H300 GPU供货。

三星、美光也计划在2027年推出采用玻璃基板的HBM4产品。

四、二者协同:突破AI算力存储天花板的唯一主线

iHBM解决了"热量散不出去"的问题,玻璃基板解决了"结构撑不住"的问题,两者缺一不可:

没有iHBM,即使玻璃基板解决了翘曲问题,24层以上HBM的热量也无法有效导出,芯片会因过热而无法工作。

没有玻璃基板,即使iHBM降低了热阻,有机基板的翘曲也会导致封装失效,无法实现高堆叠层数的量产。

2026-2028年产业路线图:

1. 2026年:iHBM3E16层,1.2TB/s)大规模量产,搭配有机基板,用于英伟达H200AMD MI325AI芯片。

2. 2027年:iHBM424层,2.4TB/s+玻璃基板大规模量产,用于英伟达H300、英特尔Xeon 6等下一代AI芯片,单芯片带宽突破19.2TB/s8HBM4)。

3. 2028年:iHBM532层,4TB/s+液冷集成玻璃基板量产,单芯片带宽突破32TB/s,支持1PFLOPS以上的单芯片AI算力。

五、产业链投资与技术风险提示

核心受益环节:

1. 玻璃基板:康宁、旭硝子、中国建材 (中建材玻璃院)

2. 散热材料:铜散热片、铜-金刚石复合材料厂商

3. 封装设备:TGV(玻璃通孔)加工设备、激光打孔设备

主要风险:

1. 玻璃基板良率提升缓慢,导致成本过高(目前玻璃基板成本是有机基板的3倍以上)。

2. 液冷集成技术难度大,需要与服务器散热系统协同升级。

3. 三星、美光的技术追赶可能导致市场竞争加剧。
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泡姐杠上花

26-05-29 08:43

12
我没事给你们聊聊这些嘛,别一天看连板啊,情绪小票啊,你们只需要了解光,算,存,芯龙头,材料端核心就足够玩转
A股,不然很多人这只为什么大涨逻辑都不知道
泡姐杠上花

26-05-28 22:47

12
反正我是研究科技细分龙头的,不作情绪的,明天见各位!
泡姐杠上花

26-05-28 22:30

12
Mlcc,玻璃基板以后,下半年HBM高端材料是最强主线之一、结构性紧缺实锤;缺口最紧张在2025–2027,后续可以验证跟踪
泡姐杠上花

26-05-28 22:25

12
PBC是电路板,MLCC是上面的小疙瘩,又叫电容技术含量很低,毛利率也不高,但是扩产能需要周期,眼下新一代机柜需要海量的电容,所以这段时间涨得很猛,不过行情最多三四个月以内
国内龙头是风华高科,核心材料端都说了
泡姐杠上花

26-05-28 15:43

12
收工了,明天准备上一杯新茶,已经复盘备选,明天早盘见!
泡姐杠上花

26-05-28 14:30

12
我没动啊
泡姐杠上花

26-05-28 09:07

12
大家早,楼市造富的时代彻底落幕,科技造富的黄金时代正式开启。芯光算存,不再是简单的科技题材,而是替代房地产、承载全民财富、支撑经济增长、锁定国运红利的新一代超级资金蓄水池。

顺势而为,拥抱芯光算存,就是拥抱下一个十年的财富核心逻辑。

要坚定科技赛道,不要因为一点波动就转变想法,下半年主赛道大概率会在半导体玻璃载板,MLcc,堆叠,光模块持续发酵
泡姐杠上花

26-05-27 16:42

12
完美
泡姐杠上花

26-05-29 08:38

11
中际光总龙头统领创业板,只希望他能一直好下去。技术创始人从美回来之后,第一笔天使投资就是谷歌 博通等老东家给他投的,后来中际旭创主动找到他们团队,进行收购希望公司转型。从这段历史,就能明白中际旭创能当市场一哥,一供是有技术和实力背景的,背后有老美支持,芯片也是他们给的垄断了物料,业绩只会每次都超预期,最后还是看市场怎么走,希望他带领创业板继续走好
泡姐杠上花

26-05-29 07:54

11
中韩可以先看一年,长电是唯一“全技术+全客户+大规模量产+全球卡位”的国产先进封装平台型龙头;通富偏AMD绑定,华天偏车规,都不是全域龙头。电茶留底仓,机会很多,对它保持关注,十日线附近设置条件单,破线剪一部分仓位。今天又缩量强势打上去了,行情没走完,长电它是最全面的,当年就是长电和中芯国际生了盛合晶微,长电把最高端的2.5D给了盛合晶微,因为美国制裁中芯所以长电和中芯退出了,由国资接手盛合晶微,但是长电是市场最大的,它是全栈的,必须要跟踪
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