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关于HBM技术瓶颈与iHBM+玻璃基板协同突破:2026年最新进展与产业主线(今日复盘晚上放此帖评论区)

26-05-27 16:36 4698次浏览
泡姐杠上花
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一、当前HBM演进的硬瓶颈:为什么热阻和翘曲是"卡脖子"问题?

HBM的性能提升本质是堆叠层数增加+数据传输速率提升,但这两者都会放大热与结构问题:

热阻瓶颈:传统HBM采用"DRAM堆叠+TSV+微凸点+有机基板"结构,热量只能通过垂直TSV和边缘路径传导。每增加4层堆叠,整体热阻上升约30%HBM3E16层)的热阻已达0.48℃/W,功耗上限约18W;若直接堆叠24HBM4,热阻将突破0.7℃/W,核心温度会超过125℃的可靠性阈值,导致DRAM漏电率飙升、数据错误率增加。

翘曲瓶颈:有机基板的热膨胀系数(CTE≈17ppm/℃)与硅芯片(CTE≈2.6ppm/℃)相差6倍以上。在封装回流焊(260℃)和芯片工作(85-100℃)过程中,基板会产生严重翘曲,导致微凸点(间距已缩小至40μm以下)开裂、虚焊。16HBM3E的翘曲量已接近50μm的安全极限,24层以上堆叠若仍用有机基板,良率将低于30%

二、SK海力士iHBM:从"被动散热""内部主动导热"的革命

SK海力士2025年量产的iHBMIntegrated HBM)方案,核心是ICEIntegrated Cooling Element)集成散热元件,彻底改变了传统HBM的热传导路径:

技术原理:在每两片DRAM裸片之间嵌入10μm厚的高纯度铜散热片,并在堆叠中心构建垂直散热柱,将各层DRAM的热量直接传导至封装顶部的散热盖和底部的基板,形成"上下双向导热"的立体散热网络。

实测效果:iHBM3E的热阻降至0.29℃/W,比传统HBM3E降低40%;相同功耗下核心温度降低25℃以上;功耗上限提升至28W,可稳定支持16层堆叠1.2TB/s的带宽。

迭代方向:2026年下半年量产的iHBM4将升级为ICE 2.0,采用铜-金刚石复合散热片,热阻进一步降至0.22℃/W,可支持24层堆叠(单颗容量36GB)和2.4TB/s的带宽。

三、玻璃基板:解决翘曲问题的终极方案,同时赋能更高带宽

玻璃基板凭借与硅近乎匹配的热膨胀系数,成为替代有机基板的唯一可行路径,且带来了额外的性能增益:

核心优势:

1. 热失配消除:无碱玻璃的CTE可精确调控至3-5ppm/℃,与硅芯片的差异缩小至1倍以内,24HBM堆叠的翘曲量可控制在10μm以下,封装良率提升至90%以上。

2. 布线密度翻倍:玻璃的介电常数(ε≈4.5)低于有机材料(ε≈3.8-4.2),且表面平整度更高,可实现1μm以下的线宽/线距,布线密度是有机基板的2倍,支持更多的HBM通道和更高的传输速率。

3. 刚性更强:玻璃基板的杨氏模量是有机基板的10倍以上,可支持更大尺寸的封装和更多的HBM颗粒(从8颗提升至12颗)。

产业进展:

◦ SK海力士已与康宁、旭硝子合作,在2026Q1实现了玻璃基板HBM的小批量量产,良率达到85%

台积电同步推出CoWoS-Glass封装技术,将玻璃基板应用于中介层,与iHBM形成完美协同,预计2026Q3为英伟达H300 GPU供货。

三星、美光也计划在2027年推出采用玻璃基板的HBM4产品。

四、二者协同:突破AI算力存储天花板的唯一主线

iHBM解决了"热量散不出去"的问题,玻璃基板解决了"结构撑不住"的问题,两者缺一不可:

没有iHBM,即使玻璃基板解决了翘曲问题,24层以上HBM的热量也无法有效导出,芯片会因过热而无法工作。

没有玻璃基板,即使iHBM降低了热阻,有机基板的翘曲也会导致封装失效,无法实现高堆叠层数的量产。

2026-2028年产业路线图:

1. 2026年:iHBM3E16层,1.2TB/s)大规模量产,搭配有机基板,用于英伟达H200AMD MI325AI芯片。

2. 2027年:iHBM424层,2.4TB/s+玻璃基板大规模量产,用于英伟达H300、英特尔Xeon 6等下一代AI芯片,单芯片带宽突破19.2TB/s8HBM4)。

3. 2028年:iHBM532层,4TB/s+液冷集成玻璃基板量产,单芯片带宽突破32TB/s,支持1PFLOPS以上的单芯片AI算力。

五、产业链投资与技术风险提示

核心受益环节:

1. 玻璃基板:康宁、旭硝子、中国建材 (中建材玻璃院)

2. 散热材料:铜散热片、铜-金刚石复合材料厂商

3. 封装设备:TGV(玻璃通孔)加工设备、激光打孔设备

主要风险:

1. 玻璃基板良率提升缓慢,导致成本过高(目前玻璃基板成本是有机基板的3倍以上)。

2. 液冷集成技术难度大,需要与服务器散热系统协同升级。

3. 三星、美光的技术追赶可能导致市场竞争加剧。
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评论(390)
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热门 最新
泡姐杠上花

26-05-28 16:47

8
有二波预期
泡姐杠上花

26-05-28 16:46

9
散户跟风太多,特别是小票
泡姐杠上花

26-05-28 16:46

10
下次改掉,等待二波机会
泡姐杠上花

26-05-28 16:45

10
Mlxx总龙头,里面呆着每天tt
泡姐杠上花

26-05-28 16:45

6
沃格啊
泡姐杠上花

26-05-28 16:44

9
你开盘就搞啊,这个趋势很好没问题,搞不好明天我来找你
泡姐杠上花

26-05-28 16:43

28
简单复盘,其他不看,直说重点:

指数逼近4000点,科技仍是市场主线。重点锚定封测堆叠,MLCC+玻璃基板三大新分支,MLCC受益AI算力需求放量,玻璃基板卡位先进封装TGV材料拐点,联动华天、长电封测核心,震荡回暖聚焦这条共振主线。本质:电子工业大米,AI服务器/算力芯片刚需被动元件;单台AI服务器MLCC用量是普通服务器3倍+,高端高容高压型号紧缺、日韩控产涨价、交期拉长,进入供需紧平衡+涨价周期。

科技赛道:“韬”系概念日内再度回流走强,当前资金风格偏好十分明确,主攻成交额百亿以上的大容量新晋题材。这类板块第一波行情的核心标的必须打出足够强度,既能给到先手布局资金充足容错空间,也能持续吸引场外增量资金进场接力,进一步铺垫后续二波行情机会。

细分方向上,MLCC、半导体玻璃基板两大支线同步联动走强,成为科技线重要助攻:MLCC作为电子工业核心被动元件,受益AI服务器与算力基建需求爆发,高端产品供需持续偏紧,叠加国产替代提速进入价值重估周期;玻璃基板作为先进封装下一代关键材料,突破传统有机基板性能瓶颈,适配AI高算力芯片封装升级需求,和先进封装主线形成强势共振。

封测堆叠核心:长电,华天,通富
Mlcc核心:风华,材料端核心,洁美,博迁
玻璃基板:沃格
熊猫赏月

26-05-28 16:38

0
我今天上了风华绝代
羽小琦

26-05-28 16:34

0
@胡正1 封测那几个也是上完热门就开始调整
半生归尘

26-05-28 16:31

0
每天复盘都这么深刻吗?花多少时间?
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