光芯片投研:
1,
LITE 2025出货量8000万颗
全年规划1.2亿颗,YOY50%
其中100G EML 7500万 2025年7000万
200G EML 2500万 2025年200万YOY1150%
CW(硅光)2000万 2025年 600万 YOY200%+
EML和CW均基于InP平台
2,
COHR 2025出货量4500万颗
全年规划9000万颗 YOY100%
其中100G EML 约4500万 YOY100%
200G+EML 约1800万颗 YOY100%
CW光源 约2250万颗 YOY100%
剩余为DFB
3,索尔思(东山100%)2025出货量3600万
2026年全年规划2.4亿颗 YOY567%
其中100G EML1.8亿 YOY500%
200G EML 3600万 YOY1100%
CW 1900万 YOY744%
DFB等500万
扩产节奏:2026年Q2月产能达900万颗,Q3达1500万颗,Q4冲刺2200万颗,2027年Q1目标2800万颗/月,全年规划3亿颗。
4,
AVGO 全年规划5000万颗,其中100G 2920万,200G 760万,CW、DFB120万 总体YOY33% (光芯片非主营业务收入)
5,源杰
2026规划2000万颗,其中CW1500万
100G EML 400万 200G EML 100万 YOY66.7%
6,
长光华芯2026规划2000万颗 其中100G 1000万,200G 500万,CW400万,其他100万 总体YOY233%
2026年100G缺口15-20%,200G缺口35-40%(保守预测),CW缺口20-25%(>200mW缺口30+%)
综述:
1,结构性缺口:200G EML与CPO大功率CW为核心瓶颈,100G EML与普通CW相对缓解,反映1.6T/CPO升级加速。
2,供给侧限制:全球InP产线集中(前四大厂占90%+),扩产受磷化铟衬底、MO
CVD设备、技术人才三重制约,单条6英寸产线建设周期12–18个月。
3,长协锁量:英伟达、
谷歌、AWS等与Lumentum/Coherent/
博通签订3–5年长协,锁定2026–2028年80%+高端产能,二线厂商溢价难获供给。
4,国产替代空间:国产厂商(源杰/长光华芯/
仕佳光子)在100G EML与中低功率CW实现突破,2026年有望贡献10–15%有效产能,缓解缺口。