存储芯片国产替代概念股梳理(仅收藏学用）

存储芯片国产替代概念股梳理

1、芯片设计公司
兆易创新（603986）：NOR Flash 国产替代领军者，全球 NOR Flash 市占率前三，车规级产品通过 AEC - Q100 认证，19nm 工艺 NOR Flash 量产。自研 DRAM 芯片进入样品测试阶段，是比亚迪 、蔚来 车载存储供应商，华为手机 NOR Flash 份额超 30%。
北京君正（300223）：车载 DRAM 全球市占率 19%，LPDDR4 产品适配特斯拉 FSD、英伟达 Orin 芯片平台。存算一体芯片（X2000 系列）算力达 24TOPS，功耗仅 1.2W，已导入 DeepSeek 大模型服务器，是字节跳动 AI 硬件核心 NOR Flash 供应商。
紫光国微（002049）：国内唯一掌握军用级存储芯片技术的企业，智能安全芯片市占率国内第一，与长江存储合作开发企业级 SSD，3D NAND Flash 研发进入流片阶段，目标 2025 年量产 128 层堆叠产品。
澜起科技（688008）：DDR5 内存缓冲芯片市占率超 40%，互连类芯片适配英伟达 H100、AMD MI300 X GPU 集群，在内存接口芯片领域具有较强的技术优势和市场地位。
东芯股份（688110）：同时提供 NAND、NOR、DRAM 芯片，适配物联网传感器、智能家居 等场景，车规级 NOR Flash 通过特斯拉认证，用于车载摄像头存储，2024 年汽车电子业务营收同比增长 75%。
2、晶圆制造公司
中芯国际 （688981）：国内晶圆代工龙头，14nm 量产，7nm 良率达到 90%，承接存储代工订单，无锡新厂 2025 年投产，在存储芯片的制造环节具有重要地位。
华虹公司（688347）：特色工艺晶圆制造全球第五，聚焦车规级功率器件，12 英寸厂扩产中，为存储芯片等半导体产品提供制造服务。
3、设备与材料企业
中微公司（688012）：是国产刻蚀设备龙头，产品切入长江存储产线。公司12英寸高深宽比刻蚀机精度达0.02纳米，技术达到国际先进水平。
雅克科技（002409）：是HBM薄膜沉积材料独家供应商，前驱体材料通过三星认证，GMC塑封料用于HBM封装。
北方华创（002371）：作为国内半导体设备龙头，北方华创覆盖刻蚀、薄膜沉积等关键环节。公司是、长存扩产的核心设备供应商，5nm刻蚀机技术有突破。
4、封装测试公司
长电科技（600584）：全球封测前三，HBM3 封装技术取得突破，承接存储 80% 订单，车规产线良率 99.95%，在存储芯片封装测试领域实力雄厚。
通富微电（002156）：国内唯一量产 FCBGA 封装，支持 16 层 NAND 堆叠，是 AMD AI 芯片独家封测商，在存储芯片封测方面有独特的技术优势。
华天科技（002185）：Chiplet 技术量产，是华为海思存储芯片核心合作伙伴，车规级封装占比提升，为存储芯片的封装测试提供了重要支持。
5、、存储模组与主控芯片公司
佰维存储（688525）：国内少数具备 “设计 + 封测 + 模组” 全链条能力的企业，ePOP 封装技术将 NAND 与 DRAM 集成，是 Meta AI 眼镜存储供应商，2024 年海外营收占比达 61%。
江波龙（301308）：旗下 Lexar 存储卡全球市占率 18%，闪存盘市占率 15%，服务器用 PCIe 4.0 SSD 进入浪潮、新华三采购名单，自研 SLC NAND Flash 控制器适配工业级场景。
香农芯创（300475）：2023 年联合 SK 海力士成立合资公司，代理海力士企业级 SSD 在中国区的设计、生产与销售，基于海力士 HBM3 芯片开发 AI 服务器存储模组，适配中科曙光 、华为昇腾 910B 集群。
联芸科技 （688049）：独立固态硬盘主控芯片出货量全球第二，PCIe 4.0 主控芯片支持 8 通道 NAND Flash，连续读写速度达 7400MB/s，是华为、联想、西部数据 核心供应商。