半导体设备——中微公司为例

2月28日中微公司 发布2022年业绩快报。

公司2022年实现营收47.40亿元，同比增长52.50%；归母净利润11.70亿元，同比增长15.66%；扣非后归母净利润9.19亿元，同比增长183.44%。其中Q4实现营业收入16.97亿元，同比增长63.88%；归母净利润为3.77亿元，同比减少19.75%；扣非归母净利润为2.76亿元，同比增长72.79%。

受益于半导体设备行业景气度提升，以及国产化替代加速推进，公司2022年业绩持续高增长。5G、新能源汽车等领域的蓬勃发展开启全球新一轮半导体景气周期，下游晶圆厂积极扩产带动半导体设备市场快速增长。

据集微咨询预测，中国大陆未来5年将新增25座12英寸晶圆厂，总规划月产能将超过160万片。作为半导体产业链中的支撑性行业，在国产替代、自主可控的迫切需求以及国内产业政策支持下，国内半导体设备行业将迎来新一轮发展机遇。

中微公司专注于集成电路、LED关键制造设备的研发，是国内领先的刻蚀设备和MOCVD设备 生产商。公司核心产品主要包括用于IC集成电路领域的等离子体刻蚀设备(CCP、ICP)、深硅刻蚀设备(TSV),以及用于LED芯片领域的MOCVD设备。

2021年公司营收31.08亿元，其中刻蚀设备收入为20.04亿元，营收占比64.4%；MOCVD设备收入5.03亿元，营收占比16.2%。

公司CCP等离子体刻蚀设备主要应用于8/12英寸逻辑晶圆前道工艺、3 D NAND及DRAM等存储工艺中氧化硅氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料刻蚀，工艺制程覆盖90m~5nm逻辑工艺、128层及以下3DNAND存储工艺在目前广泛使用的高密度等离子刻蚀设备上，公司的CCP设备与全球最大刻蚀设备提供商一泛林集团DRIE设备的效果相当。

同时，公司的介质刻蚀已经进入台积电 7nm/5nm产线，是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。截至2020年，公司CCP介质刻蚀机在国内领先的3 O NAND晶圆厂64层生产线中市占率达34%，128层生产线中达35%；在国内领先的逻辑晶圆厂28nm生产线市占率达39%。

在我国台湾领先的晶圆厂22nm逻辑器件产线中市占率达22%，在14nm逻辑器件产线中市占率达24%，市场占有率已进入前三位。同时公司积极布局3D封装、5nml以下逻辑、1Xnm以下DRAM和3 D NAND存储芯片等下一代制程工艺。

公司CP等离子体刻蚀设备主要应用于12英寸1Xn及以下的逻辑和存储器件刻蚀、各种尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀等领域。公司1CP深硅刻蚀设备主要应用于8英寸和12英寸CMOS图像传感器、2.5D、三维芯片和芯片切割等领域以及3D封装、2.5D封装和微机电系中的硅通孔刻蚀工艺，刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米、深度可达几百微米的孔洞，可根据客户的需求生产不同的刻蚀形状（例如垂直、圆锥形和锥形等），目前已成功进入日月光、长电先进、通富微电 等国内外先进封装大厂。

公司MOCVD设备主要应用于国内外主流LED生产线大批量LED/深紫外LED(主要为氮化镓基及砷化镓基)、功率器件外延片以及高质量氮化铝和高铝组分材料生长等工艺，凭借优异的产品性能，目前公司MOCVD设备在全球增量市场市中占比第一。

公司瞄准MiniLED/MicroLED以及第三代半导体GaN/SiC市场，于2021年6月成功推出MiniLED用MOCVD设备并获得客户批量重复订单超100台；另外，公司GaN功率器件用OCVD也已交付国内外领先客户验证。

公司深耕集成电路关键设备领域同时，持续扩展在泛半导体关键设备领域的应用（平板显示设备LCD/OLED太阳能 电池设备Solr、发光二极管设备MOCVD、微机电系统设备MEMS等其他微观加工设备)，并积极探索其他新兴领域。

公司基于自身技术优势，已开始研发外延生产设备和LPCVD低压化学气相沉积设备。
其中，外延设备主要聚焦Foundry/,Logic Device,主要应用于Si、Si/Ge的Epi工艺；LPCVD设备聚焦Memory Device,主要应用于W、WN、TiN等沉积工艺。

目前公司EP设备已进入样机的设计，制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。公司应用于金属互联的钨填充CVD设备已经能够满足客户工艺验证需求，产品正与关键客户对接验证，并进一步开发CVD和ALD设备，实现更高深宽比和更小的关键尺寸结构的填充，以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。

同时，公司参股PECVD设备领域拓荆科技 、光伏电池及平板显示屏用PECVD领域理想万里晖，以及镀膜和膜层改性设备领域SOLAYER,各参股公司在业务上和中微形成协同效应，推动公司加速切入化学沉积薄膜设备和外延生产设备市场。2022年2月公司进一步增资上海睿励，持股比例从20.4%提升至29.4%。

上海睿励主营光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备，以及硅片厚度及翘曲测量设备等，是国内少数几家进入国际领先的12寸生产线的高端装备企业之一，且是国内唯一进入某韩国领先企业的国产设备企业。

上海睿励自主研发的12英寸光学测量设备TFX3000系列产品，已应用在65/55/40/28纳米芯片生产线并在进行14纳米工艺验证，在3D存储芯片产线支持4层3 D NAND芯片的生产，并正在验证96层3 D NAND芯片的测量性能；

应用于LED蓝宝石衬底图形检测的自动光学检测设备，也已成功销售到国内ED PSS衬底和LED芯片生产线。目前上海睿励正在开发下一代可支持更高阶芯片制程工艺的膜厚和OCD测量设备以及应用于集成电路芯片生产的缺陷检测设备，有望进一步扩大可服务的市场规模。

公司主要零部件如机械手传输系统、喷嘴ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采购自国外，近年来公司逐步参股上游产业链如志橙半导体、靖江先锋、新美光半导体等企业，以降低成本并确保零部件的稳定供应。同时，公司通过入股下游半导体晶圆制造企业，以期形成产品的协同开发及验证，加速新产品产业化应用。

截至2022年底，公司客户已覆盖台积电、中芯国际 、华虹集团等逻辑晶圆厂商，三星、SK海力士、长江存储、长鑫存储等先进存储厂商；以及华天科技 、长电科技 、日月光、通富微电等封测厂商以及化合物、功率半导体等特色工艺厂商。

公司累计已有3311台等离子体刻蚀和化学薄膜的反应台，在国内、亚洲和欧洲怕的106条生产线，全面实现量产和大量重复性销售。公司的CCP电容性高能等离子体刻蚀设备市占率不断提升，累计已有2320台反应台在生产线合格运转。

在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上已有超过200台反应台在生产线合格运转。公司的ICP电感性低能等离子体刻蚀机已在超过20个客户包括逻辑、DRAM和3 D NAND等各类芯片生产线上进行超过100多个1CP刻蚀工艺的量产，并持续扩展到更多刻蚀应用的验证。

同样应用ICP技术的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备也已在先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片生产线等刻蚀市场持续获得批量重复订单。

2021年公司通过定增募资82亿元，拟用于中微产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目以及科技储备基金。其中，中微临港产业化基地项目地块总占地面积约157.5亩，中微南昌产业化基地项目占地面积约130亩，项目建成后主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备以及部分零部件等。

中微临港总部和研发中心项目地块总占地面积约25.05亩，项目建成后将成为公司临港总部和研发中心，用于除刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究，推动集成电路生产设备及零部件国产化、推进泛半导体设备产品的研发及产业化等。

上海临港 新片区和南昌高新区均具有明显的产业化集群优势，随着产能加速释放，将为公司中长期高速增长奠定基础。2022年公司营收、新增订单均有超过5成的成长，意味着公司市场占有率的进一步提升。

展望未来，虽然短期内受美国对中国半导体加大遏制力度影响，中国大陆半导体产能扩张步伐或放缓，但长期设备本土化的进程势必将加快。而中微作为国内半导体设备龙头企业，在高端刻蚀设备技术储备国内领先，将长期受益于国产替代的推进。 $中微公司(sh688012)$