纳米压印技术龙头

EUV设备和工艺极其复杂和昂贵，因此业界一直在研究替代方案。三个主要竞争者是：

纳米压印光刻（NIL）
直接自组装（DSA）光刻
电子束光刻（EBL）

虽然EBL提供非常高的空间分辨率（优于10nm），但配置和执行速度较慢，本文将不再进一步讨论。EBL确实可以商业应用，但不适用于大批量的先进节点制造。

纳米压印光刻最早由明尼苏达大学的Stephen Chu提出，该技术基于聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的压缩成型。Chu和他的合著者于1995年发表了开创性的专利US5772905A，并在1996年《科学》杂志的一篇论文中报道了25纳米分辨率的图案化。2003年，NIL技术被添加到ITRS路线图中，这是一个不断研发的领域。佳能是全球光刻机的主要供应商之一，他们现在提供NIL产品线，东芝是他们的早期客户之一，其中提出的应用是NAND闪存生产。

直接自组装光刻是指嵌段共聚物在预图案化衬底上的直接取向，该技术类似于SADP和SAQP，使用更粗的间距模板来创建更细的间距结构。DSA技术于20世纪90年代首次提出，并于2007年成为ITRS路线图的一部分，IMEC的一个研究小组是其主要支持者，2021年他们使用DSA演示了18 nm间距线型的形成。据TechInsights所知，任何一家大型半导体制造商都尚未采用直接自组装进行大批量生产，虽然在过去的二十年里，这项技术已经有了相当多的研发和专利活动，但还没有商业用途。