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半导体利好的要点:专人、贸易、金融、技术、突围

21-06-17 20:30 3731次浏览
铁杆老韭菜
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利好要点

1、专人负责

2、包括:贸易、金融、技术等

3、第三代半导体技术的突围
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评论(83)
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vshellv

21-06-30 13:28

1
科创板大牛市,高测股份:三代半导体+光伏品茗股份:昇腾+鲲鹏,彩讯股份搭上昇腾20CM,悲催的是前几天被我卖飞,神思电子也好早推荐过同样卖早了
盯盘十年

21-06-22 09:08

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@wenbird 我曾给新劲刚公司发过邮件,建议管理层主攻军工的微波武器系统,这是超前军工科技前沿的 最新领域,不要分散精力去东一榔头西一棒子,他们立刻回信感谢我的建议,这个态度就非常好。我也给中银绒业提过建议趁重整后公司股价处于1元多回购 股价,给散户一个长期价值投资的示范,这个建议在公司客服互动上 应该还能找得到。
888666邹明玉

21-06-20 21:06

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周末还是吹风科技股 还是第三代半导体概念在风口, 消息看全球都缺芯片 ,香港劫匪抢芯片 下周还是积极做多这个炒作主线方向,综合看 芯片当下是概念大风口 第三代半导体是强国竞争高地 ,总龙头 300708 聚灿光电 周五机构大幅买入 后市看高一线 ,聚灿光电 实质龙头 周五空中接力 明天又是大涨
铁杆老韭菜

21-06-18 11:16

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乾照光电
铁杆老韭菜

21-06-18 08:22

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全球芯片竞赛加剧! 美参议院提案:对半导体投资提供25%税收抵免[淘股吧]

原创半导体芯片
2021-06-18 08:07 
星期五财联社 周玲

财联社(上海,编辑 周玲)讯,为促进美国半导体行业发展,赢取全球性的战略优势,继上周520亿美元芯片行业支出议案之后,当地时间周四(17日),六名美国参议员组成的跨党派小组再提出一项议案:为半导体制造业投资提供25%的税收抵免

根据周四的两党议案,税收抵免将适用于制造设备投资和制造设施的建设投资,法案还包括对芯片制造和制造芯片所需专用设备的激励措施。

该法案是美国提高国内芯片供应做出的最新努力,以应对全球芯片短缺造成的汽车和消费电子产品生产中断的问题。

本月早些时候,美国参议院通过了一项强化本土芯片行业竞争力的一项法案:参议院以68票赞成、32票反对的结果批准了520亿美元的支出,用于增加美国在半导体和电信设备方面的生产和研究,其中20亿美元用于汽车制造商使用的芯片。

美国商务部长吉娜·雷蒙多(Gina Raimondo)上月表示,520亿美元可以令美国新建七到十家半导体工厂。他预计政府资金将在芯片生产和研究上,产生“1500多亿美元”的投资。

台积电(TSMC)、荷兰芯片制造商NXP Semiconductors NV、以及英特尔美光科技等在美公司都有可能受益。

跨党派小组周四没有立即提供新提案的成本估算。但支持人士指出,美国在全球半导体和微电子产品生产中的份额已从1990年的37%降至12%。

参议院财政委员会主席Ron Wyden表示,美国不能允许外国继续把美国制造业吸引到海外,“这将增加我们经济的风险,让美国工人失去高薪工作。”

"这项新法案将进一步帮助美国制造商在本土生产半导体芯片,以避免这种(芯片)短缺再次发生。"该法案的共同发起人、民主党参议员Debbie Stabenow在一份声明中称。声明还表示,将为国内半导体制造业提供“合理且有针对性的激励措施”。

美国半导体产业协会称赞该提议,称将"加强国内芯片生产和研究,这对美国创造就业、国防、基础设施和半导体供应链至关重要"。
铁杆老韭菜

21-06-17 23:15

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国内碳化硅产业主要公司:[淘股吧]

山东天岳:单晶衬底,量产四英寸单晶衬底,独立自主开发6英寸衬底技术。

天科合达:单晶衬底,国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司,量产2-4英寸晶片。

河北同光:单晶衬底,4英寸及六英寸导电性、半绝缘碳化硅衬底;其中4英寸衬底已达世界先进水平。

瀚天天成:外延片,形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线。

天域半导体:外延片3英寸、4英寸以及6英寸的碳化硅外延晶片。

中电2/13/55所:器件/模块/IDM,量产高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片;实现4-6寸碳化硅外延片、芯片设计制造、模块封装的完整产业链。

中车时代:器件/模块/IDM,国内首家6英寸碳化硅生产线;实现碳化硅二极管和MOSFET工艺。

世纪金光:器件/模块/IDM,集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体,贯通了第三代半导体全产业链。

泰科天润:器件/模块/IDM,建成国内第一条完整的4~6寸碳化硅器件量产线,可在碳化硅外延上实现半导体功率器件的制造工艺。
铁杆老韭菜

21-06-17 22:31

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第三代半导体[淘股吧]

——碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
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