高带宽内存（HBM）产业链解析：供需格局、技术演进与龙头厂商布局（受益公司分析）

英伟达 芯片配套HBM

HBM4至HBM8：高带宽内存的演进路线图，驱动AI计算新纪元
随着AI模型参数量的爆炸式增长以及对更高内存带宽的迫切需求，高带宽内存（HBM）正逐步演进为AI芯片架构中不可或缺的基石。从即将于2026年推出的HBM4，到2038年面向Exa级别AI系统的HBM8，一场存储与封装技术的深层革新正在加速进行。
HBM4：2026年的性能跃迁
NVIDIA 即将推出的Rubin Ultra加速卡预计将首次搭载16个HBM4堆栈，内存容量翻倍至768 GB。而AMD Instinct MI500系列同样将采用HBM4，目标是实现432 GB的高带宽内存容量，以支持LLM和Transformer模型的高效运行。
HBM5 与 HBM6：通道倍增与封装演化
NVIDIA Feynman 系列预计将成为首款采用HBM5的AI加速器，其将400–500 GB HBM5集成于多芯片封装（MCM）中，总功耗超过4400 W。
铜铜键合与3D封装的核心角色
从HBM4开始，传统微凸点焊接正被无缝铜-铜键合逐步替代。这一技术具备以下优势：
·更小互连间距（<5μm）
·更高信号完整性与I/O密度
·支持更高堆栈层数与功率密度
台积电 已在SoIC-X平台中实现商用，SK hynix和美光也在HBM4/5封装中大规模导入铜铜互连。此外，配套封装技术如CoWoS（台积电）Foveros（Intel）3D Fabric（AMD）正持续演化，支持多达16个HBM堆栈与Chiplet异构集成。
HBM7与HBM8：通往Exa与Zetta级AI的阶梯
NVIDIA预计将推出功耗高达15,360W的超高性能加速平台，以适配HBM7堆栈带来的数据洪流。
HBM-HBF架构：AI系统的下一跳
DRAM虽然带宽高，但容量受限。面对超大规模模型训练与实时推理的挑战，业界正在推动**HBM + HBF（高带宽闪存）**的混合架构：
·通过TSV和混合键合将NAND堆栈与DRAM层级配对
·实现低延迟高速缓存与大容量非易失性存储的协同
·有望成为 AI Foundation Models（如GPT-6）等应用的关键架构基底
从HBM4到HBM8，高带宽内存不仅推动着AI加速器的持续跃迁，也重塑了整个芯片封装与存储架构的思路。铜铜键合、3D堆栈、混合架构……这些技术并非孤立演化，而是在性能、能效与集成密度的张力中交织前行。
HBM是什么？
HBM（高带宽内存）是3D堆叠构成的“高带宽、高速”DRAM内存。

HBM性能优势？

HBM发展历史？
HBM的主要玩家为三星、海力士和美光。
海力士作为HBM的首发者，于2013年首次成功研发HBM内存芯片，并于2017H2量产HBM2。与所有内存一样，HBM在每次迭代中都在性能改进和功耗方面取得进步。
2019年至2020年，三星、SK海力士、美光先后推出自己的HBM2E。
海力士、三星分别于2021、2022年发布其HBM3代际产品。
由此可见，三家存储原厂持续推出HBM新品，以构筑其核心竞争优势。

HBM搭配场景？

HBM供需及价格变化？
HBM总位元需求量&增速：
据Yole数据，自2022年底ChatGPT横空出世以来，生成式AI蓬勃发展，推动2023年HBM出货量同比+187%，2024年更是进一步飙升193%。
据美光预计，2025年全年HBM需求容量将达22.5亿GB，以每颗HBM3e-12Hi提供36GB计算，需求量至少高达6250万颗。
我们测算2026年HBM总位元需求量将达34.05亿GB（同比增长67%)，以每颗HBM3e-12Hi提供36GB计算，需求量至少高达9458万颗。

HBM竞争格局、代际变化？

HBM未来产品趋势？

HBM未来技术发展方向？

HBM未来市场推动力？

HBM代表性经营业绩（SK海力士）
12层HBM3E大量出货，HBM4推进顺利HBM延续强劲增长，海力士重申预计25年HBM销售额将翻倍，并表示Q212-HiHBM3E销售额大规模增长。
公司于24年9月量产12-HiHBM3E，为行业第一家供应英伟达B300,并于今年3月率先送样。据Digitimes,目前部分用于Rubin的HBM4已少量先行供应。
更多ASIC落地将带来HBM容量和规格双双升级，存量的ASIC大部分以搭载HBM2E为主，转移到HBM3E/HBM4乃Al大势所趋。

据《韩国经济日报》，海力士可能已拿下微软 、博通 等订单准备搭载HBM4E。竞争对手三星目前希望押注1cDRAM的HBM4,公司预计26H1量产。据TrendForce，5月三星1c DRAM晶圆良率达50%-70%（对比海力士4月测试良率约为80%-90%）。三星计划从16层HBM4开始导入Hybrid Bonding,12层则沿用TC Bonding，后者为保良率是更稳妥做法，而前者是公司试图弯道超车的较激进尝试。
存储产业链

国产 HBM 的挑战与未来
国产 HBM 产业链已在封装（长电科技 ）、材料（华海诚科 ）、接口芯片（澜起科技 ）等环节实现 “点状突破”，但存储芯片设计（存储）和高端设备仍需追赶。随着华为昇腾 950 系列搭载自研 HBM、存储HBM3E 量产，2026-2027 年有望在性价比和生态适配性上形成差异化竞争力，逐步打破 SK 海力士、三星的垄断格局。
未来十年，HBM将是AI硬件时代重头戏。