存储大涨，行情还能走多远

今天存储延续大涨，引领两世市场，板块持续火热，指数创新高。今年以来，通达性半导体行业指数上涨57.53%，存储芯片指数上涨65.54%，二级市场创历史新高。

除了二级市场火热，存储产业市场涨价潮似乎更加汹涌。
数据层面，存储指数持续创历史新高。以存储DXI指数为例，上周指数再次大涨18.84%，报收180,853点，续创历史新高，今年以来该指数已上涨超300%；以DDR4 16G (2G*8) 3200 Mbps为例，上周现货均价周涨14.75%，报收20.55美元，续创历史新高，今年以来该指数已上涨超500%。消息层面，涨价消息此起彼伏。据韩媒报道，三星电子近日通知主要客户将在第四季度上调产品合约交易价格，其中DRAM上涨15%-30%，NAND上涨5%-10%。除了三星外，另外两大晶圆厂SK海力士、美光科技 以及闪迪 等此前也都发布了涨价函。除了上游晶圆厂，中游模组商如江波龙 、佰维存储 等也反馈上游拿货面临涨价压力。下游端，雷军在回复小米K90手机涨价缘由时指出，主要是近期内存涨价实在太多。
存储超级周期下，存储行情还能持续多久。
国际投行摩根士丹利 在其报告中指出，预计存储行业将开启一个持续数年的“超级周期”，全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。若按小摩的说法，本轮存储超级周期持续性如何，继而反映到二级市场还能演绎多久？
短期看库存。据格隆汇数据，2025年第三季度DRAM平均库存已降至仅8周，明显低于半行业惯例的10-12周健康库存水平，表明市场供应正快速吃紧。同样是短期看，产能收紧+补库需求+中间商囤货炒货，存储可能面临越涨越缺、越缺越涨的阶段性局面。
中长期看供需。供给侧，旧款内存产能快速恢复基本无望。国际大厂调整产能转向DDR5 DDR5和HBM等更高利润的产品，时长期战略性调整，而非短期战术。而国内厂商想扩产，也面临设备、工艺等诸多问题，想快速提升产能难度依旧很大，短期很难补上缺口。需求侧，破局的关键可能在HBM。回本溯源，本轮存储全面涨价，启动点还是AI对于HBM的持续超额需求，推动大厂调整产能结构，继而引发普通存储芯片供应结构性失衡所致。如果HBM的需求增长变慢，或者有新的技术突破或产品替代，那么传统DRAM的供应压力才会缓解。