算力基建爆催存储芯片

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HBF技术

目前主要指高带宽闪存（High Bandwidth Flash），是一种专为AI领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）特性，旨在满足大规模AI模型的存储和推理需求 

技术原理与设计

HBF采用类似HBM的堆叠设计，通过硅通孔（TSVs）将多个高性能闪存核心芯片堆叠在一起，并连接到一个可以并行访问闪存子阵列的逻辑芯片上。这种架构基于SanDisk的BICS 3D NAND技术，采用CMOS直接键合到阵列（CBA）设计。

核心优势

高容量：在相似成本下，HBF可实现比HBM高出8到16倍的容量提升。单堆栈容量可达512GB，八个堆栈可实现4TB总容量
高带宽：能够匹配HBM的带宽性能，满足AI推理对高带宽的需求
成本效益：相比HBM，在提供相近带宽的同时显著提升了容量，更适合大规模AI推理部署

应用场景

主要面向AI推理场景，特别是需要低功耗、高容量模型驻留的边缘设备。单GPU搭载4TB HBF存储可直接加载GPT-4等大型AI模型，减少数据迁移延迟34。

发展进展

闪迪与SK海力士已签署谅解备忘录，共同制定HBF规范并推动标准化。计划2026年下半年实现HBF样品出样，2027年初推出搭载HBF的AI推理设备原型。

技术挑战

NAND闪存的延迟高于 DRAM ，需要依赖接口优化和算法补偿
写耐久性问题尚未完全解决
生态系统仍在建设中，需要GPU厂商的深度参与

需要注意的是，HBF在不同领域可能有不同含义，在水声探测中指超波束形成技术，在通信领域可能指混合波束成形技术，但当前产业关注的重点是高带宽闪存这一应用方向6。

存储技术迭代无止境？巨头纷纷押注HBF “HBM之父”也看好


2025-11-01 10:33 星期六
科创板日报 张真

①三星、SK海力士、闪迪等存储厂商正纷纷投入HBF技术的研发。
②SK海力士与闪迪签署谅解备忘录，预计在2026年下半年推出首批HBF内存样品；
③韩国新荣证券数据显示，预计到2030年，HBF市场规模将达到120亿美元。

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复盘

算力基建（CPO/PCB/光模块/铜缆/存储芯片）等板块指数都是技术性双鼎回调，一时半会或很难反弹

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【黄仁勋：全球算力基建才走完“第一年” 完整周期至少10年】

英伟达首席执行官黄仁勋周五表示，人工智能(AI)产业已进入一个“良性循环”，推动整个行业实现持续增长。当天在韩国举行的APEC CEO峰会上，黄仁勋指出，AI模型的飞速进步正吸引更多资本投入，而这些投资又进一步推动模型的迭代优化，形成互相强化的增长循环。“我们现在已经实现了所谓的良性循环。AI越来越强大，用户越来越多。用户越多，利润越高；利润越高，就会建造更多工厂，从而制造出更先进的AI；更好的AI又会吸引更多用户，这就是AI的良性循环。这也是你们看到全球资本开支加速增长的原因。”黄仁勋指出，AI的崛起标志着一个全新的计算时代的开启。“我们正处在一个新的十年建设周期的开端。随着AI时代的到来，整个计算架构的每一层都在被彻底改变。”他补充道：“可以想象，全球过去制造的计算机资产可能高达数万亿美元，而现在，这些资源都需要向新的计算平台进行转移。”他给出时间表：新一轮全球算力基建才走完“第一年”，完整周期至少10年。

（财联社）

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