潮到爆的hbm4叠加近日amd入华扩张传言 ：通富微电迎来戴维斯双击？

通富微电 （002156.SZ）作为全球封测龙头企业之一，在先进封装领域尤其在HBM（高带宽存储器）产业链中扮演着核心枢纽角色，其经营情况和业绩增长表现不仅直接受益于全球AI算力爆发及存储技术迭代浪潮，更依托与AMD等国际巨头的深度绑定及技术卡位优势，实现了显著的业绩跃升。以下是基于最新财务数据、产业动态及技术布局的深度分析：

一、经营情况：深度绑定头部客户与技术迭代，构筑核心竞争力

1. 战略定位与客户结构：全球封测生态的关键节点

• 绑定AMD构筑基本盘：通过“合资+合作”模式成为AMD最大封测供应商，占其订单总量的80%以上，并承接了AMD MI300 系列等AI GPU的核心封装业务。2024年来自AMD的营收占比超59.4%，贡献了业绩的核心支撑。此外，公司客户覆盖英伟达 、联发科、瑞昱、华为海思等国际头部企业，全球前20强半导体企业多数为其客户，抗风险能力较强。

• 聚焦先进封装赛道：深耕Chiplet、2.5D/3D封装等前沿技术，成为英伟达HBM GPU供应链的重要参与者（如Blackwell架构部分订单）及国内AI芯片厂商（如寒武纪 ）的异构集成伙伴。南通工厂产能利用率达90%+，直接服务于HBM堆叠封装需求，产能弹性充足。

• 产业链垂直整合：通过收购苏州及马来西亚槟城的AMD工厂（超威苏州、超威槟城），深度整合封测产能与技术Know-how；同时控股测试服务商京隆科技（26%股权）完善产业链布局，提升整体运营效率。

2. 技术实力：突破HBM封装壁垒，引领国产替代

• HBM封装能力验证：已开发12层堆叠样品并推进量产落地，TSV（硅通孔）密度突破10⁶/cm²，适配HBM4（16层堆叠）及下一代超高密度互连需求。其XDFOI技术（异构集成平台）虽非传统CoWoS路径，但可实现HBM与GPU/CPU的混合键合封装，契合国产HBM供应链（如存储合作项目）需求。

• 专利与研发壁垒：拥有976项专利（70%为发明专利），在5nm FC（倒装芯片）技术、6层RDL（再布线层）开发等领域领先，技术迭代速度直接支撑HBM4产业化能力提升。2024年研发投入达15.33亿元（同比增长31.96%），占营收比重6.42%，持续强化技术护城河。

• 车规级与工控延伸：通过IATF 16949认证切入智能座舱、ADAS等汽车电子供应链，车载产品业绩同比激增超200%，成为业绩增长的第二曲线。

二、业绩表现：营收稳健增长，利润暴增印证结构优化

1. 2024年：净利润同比近300%，核心业务爆发

• 营收稳步增长：2024年实现营业收入238.82亿元，同比增长7.24%，反映半导体行业复苏及需求回暖。

• 净利润暴增：归母净利润6.78亿元，同比增长299.90%；扣非净利润6.21亿元，同比飙升944.13%，凸显核心业务盈利能力质变。这主要得益于：

◦ 产品结构升级：中高端手机SoC出货增46%、射频产品增70%、Memory业务（含HBM）营收增超40%，高附加值业务占比持续提升。

◦ 产能利用率提升：叠加降本增效措施，毛利率回升至13%（先进封装业务主导），净利率显著改善。

◦ 资产处置收益：出售部分资产带来非经常性收益，但扣非净利润高增长更真实反映主业贡献。

2. 2025年Q1：营收延续增长，利润温和提升但结构向好

• 营收增长15.34%：一季度实现营收60.92亿元，同比增长15.34%，增速高于行业平均，印证需求韧性。

• 净利润增长2.94%：归母净利润1.01亿元，同比增长2.94%；扣非净利润1.04亿元，同比增长10.19%，增速放缓主因：

◦ 高基数效应：2024Q1净利润同比激增838.32%（基数极低），2025年增长趋稳属正常波动。

◦ 成本费用阶段性上升：原材料价格波动、研发投入加大（Q1研发费用同比增28%）及所得税费用飙升（679.96%）短期压制利润弹性。

• 现金流显著改善：经营活动产生的现金流量净额同比大增84.53%，现金流健康为产能扩张提供支撑。

3. 全年展望：机构共识高增长，中报预增动能强劲

• 券商盈利预测：综合多家机构观点，预计2025年归母净利润达10.7亿元（同比增长57%-80%），对应动态市盈率（PE）约36–38倍，低于行业平均（66倍），反映市场对其成长性的认可。

• 中报预增驱动：雪球等平台预期2025年中报净利润增速超180%，主要因HBM封装订单放量及车电业务持续贡献增量，若兑现或成股价突破契机。

• 产能扩张支撑：计划投资60亿元扩产，苏州/槟城基地新增产能及南通工厂产能爬坡（HBM相关产能利用率90%），为业绩增长提供明确弹性。

三、业绩大幅增长的核心驱动力

1. AI算力需求爆发，先进封装（含HBM）成核心引擎

• 全球AI芯片需求激增：英伟达、AMD等加速迭代HBM GPU（如英伟达Hopper/Blackwell架构、AMD MI系列），通富微电作为配套封测主力，直接承接增量订单。HBM业务收入占比显著提升（行业横向对比：相关标的HBM收入占比已达8%-12%），南通基地产能利用率提升至**90%+**印证业务热度。

• Chiplet与异构集成技术普及：Chiplet技术推动多芯片整合需求，通富微电在2.5D封装领域良率达95%，技术壁垒构筑护城河，进一步受益于AI服务器渗透率提升（全球AI加速器市场2027年或达4000亿美元）。

2. 大客户深度绑定，AMD业务持续放量

• AMD的AI芯片出货爆发（如MI300X）直接拉动通富微电营收。AMD 2024年营业额创纪录达258亿美元，作为其核心封测伙伴深度受益；合资工厂（超威苏州、槟城）贡献营收占比超60%，构成业绩基本盘保障。

• 合作模式从传统代工升级为“技术融合”，双方在封装工艺、产能规划上协同紧密，降低订单波动风险，强化长期绑定优势。

3. 产品结构优化与成本管控成效显著

• 提升高毛利业务占比：Memory、FCBGA（球栅阵列封装基板）、车电等高端产品收入占比提升，推动综合毛利率回升至13%+（2025Q1达13.2%），净利率中枢上移。

• 规模效应与降本增效：产能利用率提升摊薄固定成本，叠加供应链管理优化，盈利能力质变（2024年扣非净利润暴增944%为核心佐证）。

四、潜在挑战与风险提示

1. 大客户依赖风险：AMD营收占比过半，若其AI芯片需求不及预期或订单结构变化，可能影响短期业绩弹性。需关注英伟达订单拓展进展及国产客户（如寒武纪）放量节奏。

2. 产能爬坡与成本压力：HBM封装（如12层堆叠）技术复杂良率爬坡慢，叠加原材料（如GMC塑封料、Low-α粉体）价格波动及美国对华设备管制（影响扩产速度），可能阶段性压制利润率。

3. 地缘政策扰动：美国对华半导体出口限制若升级，可能影响英伟达特供版HBM订单能见度，间接波及通富微电的国际业务份额。

4. 行业竞争加剧：长电科技 、日月光等对手加速布局先进封装，价格竞争或技术迭代滞后可能削弱份额。需持续验证南通基地HBM产能目标（2025年规划10万片/月）落地进度及良率突破。

五、总结：经营稳健+业绩爆发，HBM赛道核心受益者

通富微电的经营表现呈现以下核心特征：

• 客户与技术护城河深厚：深度绑定AMD、英伟达等巨头，先进封装技术（Chiplet、HBM堆叠）构筑全球竞争力，车电业务打开第二增长曲线。

• 业绩增长确定性高：2024年净利润同比近300%印证业务拐点，2025年营收延续高增长，全年净利润增速预期57%-80%（机构共识），中报预增动能强劲。

• HBM产业链关键卡位：南通基地产能利用率高企（HBM相关业务占比提升），12层堆叠样品开发适配HBM4技术迭代，长期受益于存储层数升级浪潮。

结论：通富微电凭借技术稀缺性（HBM封装能力）、产能弹性（南通基地爬坡）及大客户协同（AMD深度绑定），成为AI算力革命与HBM产业链升级的核心受益者，其业绩在2024–2025年实现大幅增长（尤其2024年利润暴增近300%），且未来增长动能明确。投资者需关注产能落地进度、HBM订单能见度及中报业绩验证，以把握国产替代与技术迭代带来的长期价值机遇。