内存条国产替代，存储供应链合作伙伴分析

国产DRAM内存芯片大厂存储（科技集团股份有限公司）启动上市辅导，中国半导体产业自主可控征程又一里程碑事件。

存储是国内规模最大、技术最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的全产业链企业，DRAM产品广泛应用于手机、电脑、平板、服务器等领域，存储目前已量产了DDR4/LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5芯片，12GB LPDDR5芯片（16nm工艺）已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

存储2025年DRAM芯片产量规模预计为273万块（以12英寸晶圆计），比2024年的162万块增长68%，接近美光（约360万片）水平，约为SK海力士（592万片）的一半。2025年一季度SK海力士以36%的市场份额首次超越三星（34%），成为全球最大DRAM供应商，第三名的美光以22%的市场份额紧随其后，三巨头合计占据全球DRAM市场92%的份额。

目前DRAM产业技术竞争的焦点集中在HBM领域，HBM芯片以其高带宽和低功耗的特性，已成为AI训练与推理芯片的核心标配，AI服务器单机HBM搭载量已达到1TB级，远超传统服务器的128GB，直接推动存储芯片需求的结构性升级，HBM3E（12层堆叠）成为2025年主流产品，SK海力士和美光的产能已完全分配，主要供应英伟达 H200、B200等AI芯片，其中SK海力士HBM市占率70%，主导AI服务器市场。

国家集成电路产业投资基金三期明确向存储芯片领域注资超500亿元，其中存储获追加投资150亿元，重点用于17nm以下先进制程研发及HBM产线建设。存储的HBM2已向国内客户送样如华为昇腾，计划在2025年底前交付HBM3样品，并争取在2026年实现量产。

国际巨头将更多产能倾斜至利润更高的HBM等高端产品，集中于AI服务器所需的DDR55600/6400规格、HBM3E，导致消费级DDR4等成熟制程产品供应缺口扩大，传统DRAM市场供给持续偏紧，存储通过DDR4抢占消费级市场，挤压三星、SK海力士利润空间。

核心供应商：楼下列举。