【GTC大会前瞻：PTFE材料在高速互联场景下的技术升级路径】

【GTC大会前瞻：PTFE材料在高速互联场景下的技术升级路径】

💡NVIDIA GB200量产进度推迟的核心痛点指向机架级铜缆过多存在的热管理瓶颈及芯片间信号完整性挑战。当前产业链对GB300及下一代Rubin架构转向新型互连方案的预期正在逐步形成共识，PTFE基材的技术演进路径成为关注焦点。市场对GTC大会可能披露的技术路线图保持高度预期博弈状态（我们不能完全保证大会上一定会提及）。

相较于传统铜缆方案，PTFE抗电磁串扰性能优异，系统级稳定性提升显著（信噪比改善达15dB以上）、介质损耗角正切值（Df）低至0.002，在56Gbps+高速率场景下保持信号完整性。因此当需要更高的速率或更长的线长时，其他材料如PPO无法达到PTFE的损耗性能，替代铜缆链接的高速背板必须使用PTFE，以确保信号传输的质量和效率。而在compute或者是nvswitch的tray里，目前看还是以传统m8、m9等级材料继续升级的路径为主。

PTFE材料由于表面能低导致的层间粘接难题（剥离强度<0.8kN/m），存在加工难度。因此目前更适用于高多层的方案中而非HDI中。之前PTFE材料在基站天线等领域应用过，但是产品以底层数为主，加工面临的难度不一样。因此提前布局研究的公司具备更好的工艺know-how和先发优势。

🚀PCB环节受益标的：景旺电子 、沪电股份 等；
🚀CCL环节受益标的：生益科技 等。