第三代半导体碳化硅是新能源高压电力时代最核心的芯片技术，是时代的发展方向，
华为汽车全面应用碳化硅芯片技术使得未来行业空间不可限量，我们需要把握这一重要的行业业绩拐点进行投资布局。我们分析了行业龙头天科合达和天岳先进，并明确最佳投资标的为
600509天富能源。最近一个多月天岳先进从底部上涨了50%多，而天富能源只上涨了10%多，有强烈的补涨需求！
无论天科合达于2024年4月申报科创上市还是直接借600509天富能源平台上市，都会给天富能源的股价和市值带来至少翻倍上涨的空间。时间点上，最大很可能性就在12月份内公布天富能源大股东变更中新建电力集团的公告时出现股价拐点，另外1月8日15亿定增基金和券商持股上市，他们共同的利益也是股价上涨获利，天科合达的上市将为天富能源的股东们带来巨大的获利机会。
目前国内的碳化硅衬底市场处在寡头垄断的状态，对天科合达与天岳先进两个寡头企业进行比较优势分析
天科合达（600509天富能源）在SIC行业中有五个方面领先天岳先进（
688234），
一是天科合达2023年底碳化硅单晶衬底量产规模已达近30万片，天岳先进预计最快2024年才能达产30万片，量产规模上提前一年。
二是天科合达在2023年就实现了全国首个完成8英寸碳化硅衬底量产，天岳先进技术上目前还没有达到这一水平。
三是天科合达的子公司重投天科在深圳的25万片6英寸碳化硅外延片一期项目下半年已经投产量产，而天岳先进没有外延片项目。
四是天科合达的碳化硅单晶炉是沈阳子公司自研自产的，天岳先进用的主要是外购生产设备。
五是从2023年三季度业绩上看，天科合达12亿营收，天岳先进8亿营收。
总结来说：天科合达是国内唯一一家技术自研自主且在碳化硅芯片产业链中独占75%份额利润的企业，业务包括了碳化硅单晶炉、8英寸碳化硅衬底和6英寸碳化硅外延全部自主量产。2024年初其市占率就排名到世界第二、全国第一。
投资潜力上，天科合达2022年底的估值为180亿，2023年底的估值预计为350亿，2024年 的上市发行估值预计为500亿。天岳先进当前市值为300亿左右。
早在2006年，600509天富能源与中科院物理所共同成立北京天科合达半导体股份有限公司，天富能源最初持有该天科合达51%股权，后经历多轮增资扩股等股权变化，现在天富能源持有天科合达9.09%股权为第二大股东，母公司天富集团持有天科合达11.6%股权，为第一大股东，两者为一致行动人，共持有天科合达20.7%股权。另外股东有，中科物研所5.6％，宁徳时代4.7％，厦门中和致信3.8%，国家基金3.7％，高瓴4.6%（合计），华为哈勃3.5％，以及
比亚迪 等等，还有管理层总计持股20%左右。股东们的背景都非常靓丽。
近日，据天科合达披露，今年下半年，公司营收首次突破10亿元，截至今年10月份，公司营收已经较去年全年翻一番（12亿）。公司现已累计服务国内外客户500余家，累计销售导电型碳化硅（SiC）衬底材料60余万片。
资料显示，天科合达成立于2006年9月，总部设在北京市大兴区，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底研发、生产和销售的国家级高新技术企业，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。
据悉，自2017年以来，碳化硅单晶衬底材料作为第三代半导体领域重要材料，市场需求迎来了大爆发。2021年，碳化硅半导体材料被正式写入国家“十四五”规划。 碳化
硅产业 发展形势喜人，深耕行业十多年的天科合达乘势步入了高速增长阶段，2017年-2022年该公司年复合增长率超过90%。 强强合作是公司发展壮大的绝佳选项，而天科合达和英飞凌之间的绑定助推双方合作共赢。今年5月，英飞凌与天科合达签订了一份长期协议，天科合达将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的6英寸碳化硅衬底和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额（20%）。 根据该协议，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料的供应，但天科合达也将提供8英寸碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸晶圆过渡。 与世界知名厂商合作的同时，天科合达持续提升产能。
今年8月8日，天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司（以下简称江苏天科合达）碳化硅衬底二期扩产项目开工。江苏天科合达二期项目将新增16万片碳化硅衬底产能，并计划明年6月建设完成，同年8月竣工投产，届时江苏天科合达总产能将达到23万片。 伴随产能提升的是天科合达技术不断升级。
天科合达近日在第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议期间，公开展出了350微米厚8英寸碳化硅衬底、6英寸碳化硅外延片等产品。据公开资料显示，其6英寸碳化硅外延片产品的耐压强度可达1200V，可用面积可达97%。 值得一提的是，自2009年以来，天科合达连续多年位居全球碳化硅衬底主要制造商行列，2024年初市占率排名到世界第二、全国第一。
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