基于MO
CVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法项目编号:201310646117
技术简要说明
本发明公开了一种基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法,主要解决现有技术工序复杂和有效面积小的问题。其实现步骤如下:(1)将圆片级衬底放入MOCVD生长室,并向反应室通入H2,对衬底表面进行预处理;(2)向反应室通入过渡族金属有机源五戊铜或二茂镍,原位淀积金属薄膜;(3)向反应室通入H2,对步骤(2)中淀积的金属薄膜进行原位退火;(4)向反应室通入Ar和CH4,使C原子溶解于金属薄膜中或吸附于金属薄膜的表面上;(5)向反应室通入BH3或NH3,使得B或N原子溶解于金属薄膜中;(6)自然降温到100℃以下,使C原子从金属薄膜中偏析出来,形成石墨烯薄膜。本发明工艺简单,生长的石墨烯有效面积大,可用于石墨烯器件的制造。