下载
登录/ 注册
主页
论坛
视频
热股
可转债
下载
下载

电企600509

14-04-23 09:57 1629次浏览
旁观
+关注
博主要求身份验证
登录用户ID:
天富热电 圆满完成2013-2014年度冬季采暖期供暖任务

通讯员徐亮报道:4月21日下午16时开始,天富各热源厂热网班组控制室内值班员们紧张而有序地操作,缓慢停止加热器、减少补水量。至下午20点,根据回水压力的变化,将所有转机全部停止,所有操作全部结束。各发电厂运行部领导现场亲临现场指挥,整个现场操作过程紧张而有序。

每年停暖日期应为4月15日24时,但15-16日受西西伯利亚冷空气入侵的影响,公司党委决定根据天气情况将供暖时间延长。21日24时起,延时供暖到期,全市开始停暖。

在市电力调度中心,及各热源厂、供热公司的相互协调和密切配合下,圆满完成石河子地区2013至2014年度的冬季供热任务,天富各热源厂机组顺利完成了冬季供热指标。延迟停暖虽然使企业增加了运营成本约300万元,但天富热电关心市民冷暖,为广大群众做好事、办实事,不收取任何费用。这一举措受到了市民们的欢迎。
打开淘股吧APP
0
评论(6)
收藏
展开
热门 最新
caiyun1998

15-01-06 14:32

0
天富热电圆满完成2013-2014年度冬季采暖期供暖任务
caiyun1998

15-01-05 11:09

0
600509   天富能源
旁观

14-12-31 00:09

0
 碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓(GaN)的晶格失配小,SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本,下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求,目前国际市场上已有6英寸(150毫米)产品,预计市场份额将逐年增大。

  中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组(A02组,功能晶体研究与应用中心)长期从事SiC单晶生长研究工作,团队人员通过自主创新和探索,获得了SiC单晶生长设备、晶体生长和加工技术等一整套自主知识产权。研发成功的2英寸SiC单晶衬底在国内率先实现了产业化,并相继研发成功3英寸、4英寸SiC单晶衬底,实现了批量制备和销售。2014年11月,团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸SiC单晶衬底。拉曼光谱测试表明生长出的SiC晶体为4H晶型,(0004)晶面的X射线衍射摇摆曲线半高宽平均值仅27.2弧秒,表明晶体结晶质量很好。这一成果标志着物理所的SiC单晶生长研发工作已达到国际先进水平。6英寸SiC单晶衬底的研发成功,为高性能SiC基电子器件的国产化提供了材料基础。

  相关研究得到科技部、国家自然科学基金委、协同创新中心、中科院、北京市科委、新疆生产建设兵团科技局等有关部门的支持。
旁观

14-12-31 00:07

0
 碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点。

  作为新兴的战略先导产业,碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。

  法国咨询机构Yole公司的报告显示,2012年到2015年,全球碳化硅市场年均增长率将不低于30%,2015年后全球市场将会出现爆发式增长。

  北京天科合达蓝光半导体有限公司作为国内首家同时也是规模最大的碳化硅单晶产品的制造及供应商,拥有近300家客户。《中国科学报》记者日前在采访中发现,2006年公司成立以来,面对碳化硅制备过程中的诸多技术难题以及国外的技术封锁,天科合达不仅通过自身努力缩小了与国外的技术差距,还走出了一条值得借鉴的自主创新和产业化之路。

  应用前景广阔

  在半导体材料领域,一般将硅、锗等材料称为第一代半导体材料,将砷化镓、磷化铟等材料称为第二代半导体材料,而以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料则被称为第三代半导体材料。

  如今,碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点,拥有广阔的应用前景。

  首先是高亮度发光二极管(LED)。中科院物理所研究员、天科合达技术发明人陈小龙告诉《中国科学报》记者,由于碳化硅的热导率高、晶格匹配性好,因此适用于制备大功率、高亮度的LED。

  据陈小龙介绍,目前市场上蓝宝石基的LED发光效率可以达到120流明/瓦,而使用碳化硅的LED则能得到200流明/瓦,正处于实验室研发阶段的碳化硅基产品则已经达到300流明/瓦。这种大功率、高亮度的LED,在汽车前大灯、道路照明等领域均有重要的应用价值。

  这一点从碳化硅行业的龙头企业—美国科锐(Cree)公司的收入上可见一斑。2013年,科锐公司LED产品的营收为8亿美元,产品毛利为3.45亿美元,毛利润达43%。

  除了高亮度LED,碳化硅还是制造电力电子器件的理想材料。陈小龙告诉记者,碳化硅具有耐高电压、耐高温和节能等特点。同时,使用碳化硅的电力电子器件,体积可以做得非常小。因此,在新能源汽车、太阳能发电、机车牵引以及大功率输配电等领域,都将发挥重要作用。

  据陈小龙介绍,碳化硅还是射频微波器件的理想衬底材料,可以提高雷达、通信、电子对抗以及智能武器等的整体性能和可靠性。此外,碳化硅还可以用于制作人工宝石,而通过碳化硅外延生长制备石墨烯的技术也吸引了不少研究者的注意。

  据预测,到2019年,全球碳化硅单晶炉数量将超过3000台,碳化硅衬底产量将超过200万片,市场规模将达到20亿美元,外延材料市场规模约10亿美元。同时,碳化硅的发展还将带动上游单晶设备、外延设备产业和下游的器件以及模块等相关产业发展,规模将达数百亿美元。

  与国外差距日益缩小

  和很多高新技术类似,我国碳化硅晶体的发展,也同样是一个追赶国际先进水平的过程。

  据了解,早在1991年,科锐公司就推出了碳化硅晶片产品,而我国的碳化硅晶体研究则从上世纪90年代末才刚刚起步。不过,在国内研究人员的努力之下,我国与国外的技术差距正在被逐渐缩小。

  2011年,科锐公司发布了6英寸碳化硅晶体,并开始小批量销售。而国内天科合达的4英寸碳化硅晶体2011年已经准备进入量产阶段,并从2013年开始进行6英寸碳化硅晶体的研发工作。

  陈小龙告诉记者,我国与国外的技术差距正在缩短。

  一路行来,陈小龙和他的团队经历了一系列的艰难险阻。

  陈小龙坦言,1999年刚开始搞碳化硅晶体研究的时候,由于国外对技术严格保密,陈小龙和他的团队只能从基本原理做起,很多基础的实验和基本规律,都是自己一点一点摸索出来的。

  到了2006年,在经过7年的辛苦打拼后,陈小龙团队终于看到了产业化的曙光。不过,在产业化进程中,同样遭遇了诸多挑战。

  陈小龙告诉记者,碳化硅从2英寸、4英寸到6英寸的发展过程中,扩晶技术非常关键。而且,晶体的尺寸变大以后,温场发生很大的变化,因此带来一系列的问题,如相变等,需要投入大量的人力、物力去克服。碳化硅特有的微管等缺陷,对于材料和器件性能具有致命影响,其形成机制需要细致、深入的研究。

  其次,加工的碳化硅晶片厚度只有约0.4毫米,因此,在晶片直径增加以后,还需要克服晶片变形的问题。

  此外,碳化硅晶片要求表面非常平整,粗糙度在0.3纳米以下。这些都对碳化硅的制备形成了挑战。

  如今,经过不懈努力,天科合达已经建成了碳化硅生长的生产线以及加工、检测、清洗、封装的生产线。在碳化硅研发和产业化过程中,天科合达还申请了近30项发明专利,包括3个PCT国际专利,其中已经授权发明专利接近20项。

  产业化经验

  据陈小龙介绍,目前天科合达正计划引入新的投资,在北京建立晶体生产基地,并尽快实现6英寸碳化硅晶体的规模化生产。

  对于天科合达这些年走过的自主创新和产业化的道路,陈小龙颇有一番感慨。

  “首先感谢国家的支持。”陈小龙说,“我们最初的基础研究得到了国家自然科学基金委的支持,产业化过程中又得到了科技部、国家发展改革委、中科院、北京市和新疆生产建设兵团等的支持。可以说,没有国家的支持,我们不会有今天的成绩。”

  如今,天科合达已经是国内最大的碳化硅单晶产品的制造商及供应商,拥有近300家客户,并带动了国内碳化硅半导体行业的发展,我国已初步形成了晶体、外延和器件的产业链。在陈小龙看来,天科合达能够取得这样的发展,还得益于对基础研究的充分重视。

  “很多人不理解,说搞产业化,有必要如此重视基础研究吗?而在我看来,产业化阶段的技术水平,恰恰是基础研究阶段积累的体现。”陈小龙说。

  此外,在陈小龙看来,产学研的实质性合作,也是推动碳化硅产业化的重要因素。

  陈小龙告诉记者,这种产学研的实质性合作主要得益于两个方面。一个是高的反馈效率。“实验室的基础研究取得进展后,马上把得到的新认识、新规律应用到中试生产线,得到反馈后,又立即反馈到实验室这边。这种产学研的密切结合,有助于加快产业化的进程。”陈小龙说。

  体制和机制的突破同样重要。“研究所和投资方按照股份制的方式成立了独立的公司。研究所和股东大力支持,物理所与天科合达联合设立了研发中心,并共同承担科研项目,这使得产学研的结合更为紧密。”陈小龙说。
旁观

14-05-17 19:55

0
正面:
  跟踪期内,公司供电、天然气业务保持较快增长,业务规模进一步扩大;
  跟踪期内,非公开发行股票进一步提升公司资本实力;
  跟踪期内,担保方经营状况良好,对本期债券的偿还提供了一定保障。
关注:
  公司供电、天然气业务成本上升,相应毛利率水平有所下降;
  公司前五大客户收入集中度较高,其所处行业多属于强周期性行业,公司未来供电
收入或呈现一定的波动性;
  未来新建供电项目投入运营导致装机容量大幅增加,实际产能消化情况需进一步关
注;
  公司资产构成中固定资产和在建工程占比较高,资产流动性一般;
  未来随着对在建项目的持续投入,公司存在较大的资金需求;
  公司资产负债率较高,且有息负债规模较大,未来存在一定的偿付压力;
  公司对外担保规模较大,存在较大的或有负债风险。
旁观

14-05-17 19:52

0
1、关于公司更名暨修订公司章程的议案  

  同意公司更名暨修订公司章程的议案。(详见“新疆天富热电股  

  份有限公司关于修订《公司章程》的公告”)  

  本事项还需提交公司股东大会审议。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  2、关于公司变更经营范围暨修订公司章程的议案  

  同意公司变更经营范围暨修订公司章程的议案。(详见“新疆天  

  富热电股份有限公司关于修订《公司章程》的公告”)  

  本事项还需提交公司股东大会审议。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  3、关于投资开展20兆瓦并网光伏电站项目建设的议案  

  同意公司投资开展20兆瓦并网光伏电站项目建设,该项目总投  

  资拟不超过19,908.71万元,其中静态投资为19,403.19万元,单位  

  千瓦静态投资9,701.60元,单位千瓦动态投资9,954.44元。项目资  

  金来源为资本金占总投资的20%,其余为银行贷款。项目建设期预计  

  为1年。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  4、关于公司开展页岩气勘探相关工作的议案  

  同意公司开展页岩气勘探相关工作,在三年内投资不超过1亿元  

  人民币,用于在新疆地区各盆地开展页岩气形成、保存条件、含气特  

  征及资源潜力等与页岩气开发有关的勘探、评价工作,寻找勘探目标  

  区块,为公司全面开展页岩气开发业务做好准备,并授权公司经理层  

  全权办理相关事宜。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  5、关于公司申请银行授信的议案  

  同意公司向乌鲁木齐市商业银行石河子分行申请2亿元人民币  

  的授信额度,有效期一年。  

  本事项还需提交公司股东大会审议。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  6、关于公司拆除部分小型机组的议案  

  同意公司拆除部分小型机组的议案。小型机组拆除清理工作将在  

  2014年度完成,预计会减少公司发电装机容量约97MW。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。  

  7、关于公司就红山嘴电厂增效扩容项目拟向国家开发银行申请  

  贷款的议案  

  同意公司就红山嘴电厂增效扩容项目向国家开发银行申请贷款。  

  公司拟以红山嘴电厂二级至五级水电站增效扩容项目全部电费收费  

  权及其全部收益提供质押担保,在国家开发银行新疆分行开立电费归  

  集账户,并将红山嘴电厂二级至五级水电站增效扩容项目的电费收入  

  及时足额划拨至该账户。如出现不能按期还本付息的情况,从该账户  

  中扣收应缴的到期贷款本息。  

  本事项还需提交公司股东大会审议。  

  同意3票,反对0票,弃权0票。
刷新 首页上一页 下一页末页
提交