中国22纳米技术获重大突破 全球仅英特尔有量产
2013年07月09日 10:51 来源：中国科学报
我国在22纳米技术这一高端研发上有所建树——4年前，这会被看做是天方夜谭。然而，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心团队实现重大突破，让这一梦想成真。到目前为止，全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。(科学报图片)
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。
由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。
这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。
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华进半导体封装先导技术研发中心有限公司简介
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司于2012年9月在无锡新区正式注册成立。公司英文全称为: National Center for Advanced Packaging (NCAP China)。该公司是由中科院微电子所和集成电路封测产业龙头企业
长电科技 、
通富微电 、
华天科技 、深南电路5家单位共同投资而建立。
公司目标：建设在国际半导体封测领域中具有影响力的国家级封装与系统集成先导技术研发中心，在部分领域能够引领国际产业技术发展。面向我国集成电路产业结构调整和创新发展需求，建设世界一流水平的国际化产业技术研发中心，在全球创新链中占有自己的位置，从而推动我国集成电路产业做大做强。
公司作为国家级封测/系统集成先导技术研发中心，通过以企业为主体的产学研用结合新模式，开展系统级封装/集成先导技术研究，研究领域包括2.5D/3D 硅通孔(TSV)互连及集成关键技术、晶圆级高密度封装技术、SiP产品应用以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发，为产业界提供系统解决方案。
公司团队由具有国际知名企业和研发机构长期技术与管理经验、入选中科院“百人计划”、“千人计划”的领军人才和具有丰富研发经验的本土团队相结合，研发人员近百人，其中一半以上具有博士学位和硕士学位。
公司的研发平台包括:2000平方米的净化间及300mm晶圆整套先进封装研发平台（包括2.5D/3D IC后端制程和微组装，测试分析与可靠性），及先进封装设计仿真平台。
服务宗旨：以市场需求为导向，以有偿服务为原则，以技术成果出让创收益，为产业服务，为提升中国集成电路封装产业整体技术水平服务。
公司价值观：合作，创新，进取，卓越。
在今后几年中，公司将针对未来半导体封测先导技术进行研究和开发，立足于我国集成电路和电子制造产业特色，在主流技术和产业发展上赶上和部分超越国外先进水平。并通过多种方式，形成可持续发展能力和规模化成套技术转让能力，持续支撑国内封测产业技术升级。结合上下游产业链的需求，建设成为行业共性技术研发平台、产业孵化和人才培养基地。
飞龙下海
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