比锂电更强的题材_ IGBT概念

股票我不知道这几只怎么样，但是IGBT最好别当什么新玩意炒。

现在的UPS逆变器里大部分都是用这个IGBT,UPS的规格这行的都知道，小的几千瓦，大的几百千瓦.这个技术已经用了十几年了。电动汽车的电功率，大家可以查查传统汽车的功率是多少马力,再乘以0.735就知道是几千瓦了。所谓的大功率IGBT，电动汽车的只有大UPS的百分之一.尽管电动车里的是低压高电流，但就电动车的功率还是小的可怜.

科达股份-省科技厅下发批复，同意科达集团（旗下项目）组建山东省半导体工程技术研究中心，组建期三年。 
　　据了解，组建山东省半导体工程技术研究中心是我市大力发展高新技术产业的重要举措，科达半导体项目自主研发了多种规格的IGBT、MOSFET、FRD等产品。目前，科达半导体公司有设施齐全的功率MOSFET、IGBT动静态参数测试设备、可靠性试验设备、芯片设计平台等研发设施，是目前国内测试设施最全、最先进的功率半导体研发基地。
山东省半导体工程技术研究中心成立后，通过研发，每年可为企业提供3个以上的产业化的新产品项目，每年可为企业提供不低于5000万元的新增效益，确保企业产品的市场竞争优势，并可为会其他企业提供产品设计方案和技术解决方案，年综合经济效益可达数亿元

华微电子——老牌功率半导体生产基地，，2010年3月国家发改委进行了战略性调研。与美国飞兆（快捷）有紧密的合作。拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，IGBT产品目前已取得突破性进展，无论从人才资源的利用、国内行业的契合、初期烧钱的承受力方面，华微无疑具有明显的优势。未来功率半导体潜在的龙头老大。

根据《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》，科技部在“十一五”国家科技支撑计划重点项目“电力电子关键器件及重大装备研制”中，将“新型电力电子器件及电力电子集成技术”列为该重点项目的第一项课题。
  令人欣喜的是国家发改委于2010年3月19日下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化等。这充分体现了上层对目前功率半导体国产化的瓶颈和困局已有比较深刻的认识和危机意识。

【 · 原创: 任风吹 2010-11-06 19:37 只看该作者(-1)  】  已经开始爆发了，
  下周重点关注中

这个英文缩写，我翻译理解为：一个变态 概念。

董事长刘锋杰则用“巨大的鼓励”来形容“新36条”对公司未来发展的影响。科达股份的主营业务是公路工程、市政工程建设施工，正是国家鼓励和引导民间资本进入的重要领域。刘锋杰表示，公司进入基础设施领域已经有近10年的历史。和投资别的领域不同，民营经济投资基础设施建设除了考虑企业的经济效益外，还需要承担更多的社会责任。“新36条”的出台给了民营企业进入相关领域的机会和条件，但在运营模式等具体运作上还需要进一步探讨完善。他相信，公司一定能找到合适的切入点，利用“新36条”带来的政策机会做大做强公司的各项业务，如半导体业务。他说，半导体行业也属于军工行业，而国防科技工业则是“新36条”重点扶持民营资金进入的行业之一，公司目前也正在研究进入该领域的可能性。http://www.sina.com.cn  2010年07月28日 18:09  中国证券网-上海证券报

已经开始爆发了，
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一般只在牛贴留名。

8月26日下午，省经信委副主任杨少军一行到科达半导体公司参观指导,11月3日，省经信委副主任廉凯、总工程师许敏、电子信息处处长陆平等一行到科达半导体公司参观指导。省经信委短期内一次又一次到科达参观表态将继续大力支持科达半导体发展，鼓励、帮助科达半导体做大做强，应该不是空头支票，下一步有可能先为科达半导体融资而进行定向增发，科达股价仍有很大的想象力嘿嘿

【2010年半年报】
  2、坚持以市场为导向，以企业技术中心为平台，立足优化产品结构，全面推进《产品经理制度》，打造公司产品强势竞争力。 
  报告期内，公司根据掌握的市场信息及功率半导体器件技术发展趋势，确立研发项目55 项，其中新产品开发项目40 项。同时，公司实施产品经理制度，成立“双极产品团队”、“MOS产品团队”、“二极管产品团队”，进一步细化管理，明确职责。双极产品团队，其双极型晶体管产品系列已占有国内多个市场领域的主要份额，产品战略主要以优化老产品降低生产成本为主，同时不断开发市场急需的新产品。上半年，开发出 48系列产品，形成了较好的新产品销售业绩。MOS产品团队，主要负责VDMOS场效应晶体管、IGBT绝缘栅双极型晶体管、CMOS功率集成电路等新型功率器件产品的开发。该产品团队是公司未来实现经营业绩增长的中坚力量。上半年，该团队完成了第二代 T系列 VDMOS产品开发，产出 11款产品，其中 6款产品已经批量投放市场，获得了在开关电源、充电器、LCD等领域客户的普遍认同。第三代 JMH技术的 VDMOS产品已有 1款样品产出，正在研发中的产品有 4-5款。对比第二代 T系列产品，JMH产品的硅片利用率更高，品质因数 FOM降低 30%。另外，公司已经规划在未来五年内陆续开发五代 VDMOS产品，并且在 VDMOS产品工艺平台之上，与相关设计公司合作研发 IGBT产品并取得明显进展。二极管产品团队，主要负责肖特基二极管、FRD快恢复二极管、可控硅、放电管产品的开发及销售。2010年，快恢复二极管产品系列重点开发 400-600V和 1200V产品，已有样品产出；肖特基二极管为原有 SBL、HBR、MBR产品系列，新增 10余款产品。以上新品开发工作的有序推进为公司“三项结构调整”策略的有效实施提供有力保障，同时为公司整体获利能力的持续提升奠定坚实基础。