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云南锗业
一、发行人简介
（一）发行人基本情况
公司名称：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
英文名称：Yunnan Lincang Xinyuan Germanium Industrial Co.,LTD.
法定代表人：包文东
注册资本：9,360万元
住所：云南省临沧市临翔区忙畔街道办事处忙畔社区喜鹊窝组168号注册资本为5,200万元，2009年注册资本增加至9,360万元。
本公司是目前国内锗产业链最为完整、锗金属保有储量最大、锗产品产销量最大的锗系列产品生产商和供应商。经过多年发展，公司业务已由单纯的锗矿开采、粗二氧化锗生产发展为集锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发为一体的锗系列产品生产商和供应商，随着公司产业链的延伸，公司盈利能力得到了有效提高。报告期内，公司低端产品（高纯二氧化锗）形成的营业收入由期初的8.60%逐渐下降到期末的不到2%。本次募集资金投资项目产品锗镜片及镜头、太阳能电池用锗单晶片报告期内销售收入逐步增长，形成的毛利占总额的比重由报告期初的0%上升至2009年度的14.07%，公司中高端产品毛利的增长不仅是公司产品综合毛利率保持稳定的一个因素，同时也是公司保持市场领先地位的根本原因。公司产品战略的成功实施不仅提高了资源的使用效率，使公司能够准确跟踪国际、国内锗行业的发展趋势，同时亦有效促进了锗行业整体的健康发展。
本公司产业链的延伸得益于良好的技术创新能力。2009年6月5日，由国家科技部牵头，经云南省科技厅、清华大学、中国电子科技集团第18所等单位委派的行业专家评审，与本次募集资金投资项目密切相关的“高效太阳能电池用锗单晶及晶片开发”、“探测器级锗单晶产品研发”项目被国家科技部认定为国家科技支撑计划项目。国家科技支撑计划为国家贯彻落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006―2020年）》，在原国家科技攻关计划基础上设立的，目的在于重点解决经济社会发展中的重大科技问题。若列入国家科技支撑计划需要经过的严格的评审，经评审，公司具备实现上述项目目标所需的各项条件。目前，本公司及控股子公司拥有已获授权的专利6项（其中发明专利5项），另外，公司参与起草、制定了12项国家标准和2项行业标准，其中12项已由国家相关部门正式发布实施（详细情况见本招股说明书“第六节 业务与技术”之“三、发行人的行业地位”）。除前述技术外，公司还拥有成熟的锗提取工艺技术，自主开发了红外级锗单晶生长、VGF法生产低位错密度太阳能级锗单晶生长、锗单晶切磨抛晶片加工工艺等关键核心技术。由于公司突出的技术开发创新能力，公司被认定为高新技术企业，公司锗业研究所被认定为云南省省级企业技术中心。公司在锗行业的技术优势和产品规模优势为公司市场拓展奠定了良好的基础，随着公司产业链的延伸，公司核心产品均先后得到了市场广泛认可。
目前，公司已形成稳定的客户群体，其中，境内外主要客户包括：日本HAYAKAWA 公司、德国PS公司、美国SYLARUS ECHNOLOGIES公司、日本TOKO公司、美国F&C公司、美国NOVOTEC公司、美国JANOS TECHNOLOGY 公司、浙江大立科技股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限责任公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、上海空间电源研究所、厦门乾照光电股份有限公司等，上述客户均为锗行业或相关领域的领先企业。公司稳定的客户群体是公司持续发展的重要基础。
（二）主营业务情况
公司的经营范围包括：锗系列产品及其他冶金产品、矿产品生产、冶炼、销售；本企业自产的高纯二氧化锗、锗锭、区熔锗、有机锗系列产品、有色金属及矿产品相关技术的出口；本企业生产、科研所需原辅材料、机械设备、仪器仪表、零配件及相关技术的进口；红外光学锗镜头设计与制造；光学元件加工热压成型；锗、煤生产与销售（以上经营范围中涉及国家法律、行政法规规定的专项审批，按审批的项目和时限开展经营活动）。
公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发，目前主要产品为区熔锗锭、红外级锗单晶（光学元件）及锗镜片。公司主导产品的最终运用领域主要包括红外光学、太阳能电池等行业。随着再生能源和红外光学技术的大范围运用，锗金属的运用领域迅速扩大，这种变化趋势对锗金属需求量和精深加工技术提出了更高的要求。为适应这种变化，公司在努力扩大和保有现有矿产资源的基础上，逐年加大技术投入，通过技术创新和储备，加快向高附加值精深加工产品领域的延伸。公司的产品战略符合国家产业政策，根据国家有关部委颁布的《中国高新技术产品目录（2006）》、《高技术产业化“十一五”规划》等规定，红外光学用锗晶体、高转换效率能源新材料均为国家重点扶持的高新产业领域。报告期内，公司精深加工产品红外级锗单晶（光学元件）、锗镜片、锗镜头、太阳能电池用锗单晶片的营业收入占全部营业收入的比重由2006年度的0.37%上升至报告期期末的19.64%。该类产品的研发、制造不仅为本次募集资金投资项目的实施奠定了坚实基础，同时，也使公司能够快速跟踪国内外锗行业的发展趋势。
（三）发行人市场地位
本公司是国内锗资源保有储量最大的企业，同时也是国内锗产业链最为完整的锗系列产品生产商和供应商。根据亚洲金属网锗业研究报告、上市公司年报及市场调查数据，公司主要产品的生产能力、产销量均位居国内第一。
（四）发行人的主要竞争优势
1、优质的锗矿资源
本公司拥有的大寨锗矿和梅子箐煤矿储量丰富，品质较好，品位较高，截至2009年12月31日，已经探明的锗金属保有储量合计达689.55吨，等于全国上表保有储量3,500吨的19.70%（上表保有储量来源：《现代锗冶金》，冶金工业出版社2005年1月第1版；《锗的提取方法》，冶金工业出版社2007年1月第1版）。本公司拥有的云南省凤庆县砚田多金属及锗矿探矿权、云南省永德县尖山铅锌矿探矿权，目前正在进行勘探工作，如勘探成功将使公司的资源储备更加丰富。
目前，本公司正在申请云南省永德县乌木龙乡银厂街锗及多金属矿探矿权。由于锗矿资源的稀缺性，本公司资源储量优势十分明显。本公司还通过东昌金属进行锗废料回收锗业务，补充原料的需求。
2、完整的产业链
本公司是全国唯一拥有锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发一体化产业链的锗业企业。公司通过开采、火法富集生产锗精矿；通过湿法提纯、区熔精炼生产高纯二氧化锗、区熔锗锭，可供直接销售，可供精深加工生产高附加值的高端产品。本公司拥有完整的一体化产业链，在提供充足原料保障、有效降低经营成本的同时，还可以通过盈利相对稳定的高纯二氧化锗、区熔锗锭产品保障盈利水平，并可以通过下游精深加工产品保证公司赚取产业链中利润率最高的部分。此外，本公司较为完整的锗系列产品可以在多层次满足不同客户的需求，有利于公司建立稳定的客户基础。3、领先的产业规模本公司是国内第一、亚洲最大的锗系列产品生产商和供应商，2009年度、2008年度、2007年度高纯二氧化锗、区熔锗锭产量为42.61、35.47、41.47金属吨，其中自产产量为33.82、27.63、25.62金属吨，加工产量为8.79、7.84、15.20金属吨；自产销售量为23.45、19.45、18.67金属吨，加工销售量为0、8.34、14.18金属吨；自产内部领用量为7.85、5.69、7.95金属吨，加工内部领用量为8.79、0、0.65金属吨。领先的产业规模优势使本公司具备了规模经济效益，能有效提高锗金属的综合回收率和利用率，降低物料消耗和综合能耗，优化成本结构，为实现经济效益最大化提供充分保障。
4、强大的技术实力
本公司于2006 年成立了锗业研究所，建成1,500m2 的锗业研究楼，并在锗业研究所下设了红外级锗单晶实验室、太阳能级锗单晶实验室、探测器级锗单晶实验室、高纯锗探测器实验室、新产品开发实验室等机构。2007 年9 月，公司锗业研究所被认定为云南省省级企业技术中心。此外，本公司与北京航空航天大学共同成立了“红外光学工程中心”，实现产学研相结合，促进公司实现技术升级和提高产品设计能力，为公司提供红外光学技术保障。本公司在锗的开采、提炼与精深加工等技术领域具有强大的技术和研发实力，2008年12月被云南省科技厅、云南省财政厅、云南省国家税务局、云南省地方税务局联合授予高新技术企业，本公司锗业研究所2007年9月被认定为省级企业技术中心。
目前，本公司及控股子公司已开发出红外锗镜片、红外锗镜头、太阳能电池用锗单晶片等精深加工产品，且获得了客户的认证，实现了销售。在多年的发展过程中，本公司及控股子公司中科鑫圆承担了省级新产品重点开发计划1项、国家级科研项目2项，拥有专利技术6项（其中发明专利5项），获得2项省科技进步奖，起草制定了14项锗行业的国家标准和行业标准。
5、技术团队
本公司在锗的开采、冶炼与精深加工等技术领域具有强大的技术研发队伍。公司目前共拥有专、兼职技术研发人员41 人，其中高级工程师8 人、中级工程技术人员8 人、初级工程技术人员15 人，本公司依托省级企业技术中心锗业研究所，逐年加大资金投入，建立了完整的技术创新体系，组建了不断创新的研发团队和以中国科学院、中国工程院院士为核心的外部技术支持团队。
(1)郑志鹏 中国科学院高能物理研究所研究员、博士生导师、纽约科学院院士,国家科技进步特等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院科技进步特等奖、中国科学院自然科学一等奖、中国科学院科技成就奖、全国科技信息系统成果一等奖、何梁何利基金物理学奖，获国务院批准的政府特殊津贴。
(2)冼鼎昌 中国科学院高能物理研究所中国科学院院士、研究员、第三世界科学院院士何梁何利基金物理学奖、同步辐射生物大分子晶体结构研究平台项目奖。
(3)叶铭汉 中国工程院 中国工程院院士、中国高等科学技术中心学术主任,国家科学技术进步奖特等奖、中国科学院科技进步特等奖。
(4)李金 中国科学院高能物理研究所研究员，博士生导师、中国高能物理学会理事、中国核探测器和核电子学会委员中国科学院重大科研奖（二项）、中国科学院科学技术进步三等奖、、国家科学技术进步二等奖、中国物理学会“吴有训物理奖”、中国科学院自然科学一等奖、国家自然科学二等奖。获国家授予的“中青年有突出贡献专家”称号，获国务院批准的政府特殊津贴。
(5)高德喜 中国原子能科学研究院研究员 多项部级科技进步奖二等奖、三等奖。
（6）、米家蓉，女，出生于1953 年11 月12 日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，高级工程师。自1976 年12 月至1996 年1 月，在会泽铅锌矿第二冶炼厂任副厂长兼主任工程师；自1996 年2 月至2003 年4 月，在昆明冶金研究院安宁中试基地任主任兼书记；自2003 年5 月至2005 年12 月，在云南冶金集团总公司技术中心工作；自2006 年1 月至今，任公司副总经理。长期从事有色冶金试验研究、工业设计及生产管理，主持或参与过万吨电锌设计和锗冶炼加工工程等设计，2001 年，被选入云南省科技厅专家数据库。作为项目负责人组织的《电炉合金锌粉推广应用在硫酸锌溶液的深度净化》获得了云南省冶金工业总公司1991 年度科学技术进步二等奖，参与的《湿法炼锌用斜板浓密机》项目获得云南冶金集团总公司1995 年度科学技术进步二等奖、云南省1996 年度科学技术进步三等奖，参与的《高频等离子气相合成亚微米级超细功能性粉体材料》项目获得云南冶金集团总公司2002 年度科技进步三等奖、云南省2003 年度科技进步
三等奖，作为课题负责人主持了《高钛渣提高品位的工艺方法研究》的项目于2006 年申报专利。
（7）、惠峰，男，出生于1963年2月5日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院半导体研究所学术委员会委员、SEMT中国标准委会材料分会委员。自1984年8月至今，在中国科学院半导体研究所工作；自2007年1月至今，在本公司工作，任本公司控股子公司中科鑫圆总经理。做为中国科学院重大项目负责人，带领课题组先后完成了国家“八五”、“九五”重点科技攻关项目、“十五”国家“863”计划重大项目、北京市重大科技项目等10多项科研和产业化任务，解决了晶体生长中热场设计、提高单晶率、优化警惕生长和晶片加工工艺条件及批量生长的重复性等一系列关键工艺技术，多次获得中国科学院科技进步二、三等奖；并产业化生产出高质量的砷化镓、磷化铟及锗单晶，达到当代国际同类商品先进水平。于1988年、1993年、1997年分别被破格聘任为中国科学院助理研究员、副研究员、研究员；1993年12月获中国科学院优秀青年荣誉；2000年获得国务院颁发的政府特殊津贴。
（8）、代卫东，男，出生于1966年10月17日，中国籍，无境外永久居留权，大专学历。自1992年2月至1993年2月，在日本研修一年，学塑料模具加工和设计；自1999年2月至1999年8月，在美国AXT公司进修学，熟练掌握晶体各个晶向的制作加工，学考评优异；自1999年2月至2002年2月，在北京通美晶体技术有限公司（美国AXT公司独资子公司）工作，任生产部长，参与工厂的设计和建设及设备的安装调试，负责组织生产开盒即用砷化镓及锗晶片从试生产月产500片到最高月产14万片，试验成功使用多线切割设备加工晶片背面无需研磨的技术；2002年3月至2006年4月，在中科镓英半导体有限公司工作，任生产部部长，负责生产阶段砷化镓材料的切磨抛加工，生产开盒即用的晶片从试生产月产1千片到批量生产月产5万片。参与试验使用在多线切割设备上使用0.10毫米切割线（原使用0.16毫米切割线）加工砷化镓材料，在国内首创，达到国际先进水平。参与研制成功半导体材料专用抛光药剂，替代了进口药剂，大幅度降低生产成本；自2006年5月至2007年12月，在河南新乡神舟科技发展有限公司工作，任副总经理；自2008年3月至今，在本公司工作，现任本公司控股子公司中科鑫圆副总经理。
（9）普世坤，男，出生于1974年7月6日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，高级工程师，全国有色金属标准化技术委员会委员，昆明市有突出贡献的优秀专业技术人员，全国“创争活动”先进个人，全国半材标委先进个人。自2000年10月至今，在本公司工作，历任化验室主任、生产技术部主任，现任质量管理部部长。长期从事锗冶金研究，有色金属分析检验工作，长期从事锗金属分析测试工作，主持的“从含锗废料中高效回收锗金属”项目获得了临沧市人民政府颁发的2005－2006年度临沧市科学技术二等奖及云南省人民政府颁发的2007年度云南省科学技术三等奖，参与了发明“从提锗煤渣中回收锗的方法”专利及组织发明了“湿法从锗废料中回收锗”和“湿法从铬-锗合金废料中回收锗”专利的工作，主持起草的《再生锗原料中锗的测定方法》获得了全国有色金属标准二等奖，主持起草了《再生锗原料》，《锗精矿化学分析方法 重量法测定硫量》，《锗精矿化学分析方法 离子选择电极法测定氟量》，《锗精矿化学分析方法 重量法测定二氧化硅量》，《锗精矿化学分析方法 碘酸钾滴定法测定锗量》，《太阳能电池用锗单晶》等国家标准。
（10）、张爱华，女，出生于1956年11月4日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，高级工程师。自1984年9月至2004年4月，在临沧冶炼任化验室主任；自2004年5月至2007年4月，在香港东风公司云南鸿骏矿业公司任试验部主任；自2007年4月至今，在本公司工作，现任试验室主任。长期负责氯化蒸馏渣中锗的提取工艺流程生产技术，熟悉锗湿法冶金生产工艺流程。
（11）、唐新成，男，出生于1972年1月12日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，工程师。自1995年9月至2000年3月，昆明机床股份有限公司工作，任工程师；2000年4月至2008年6月，在爱克瑞光学工作，任工程师；2008年6月至今，在本公司工作。长期从事数控加工技术工作，对该领域的技术特点和发展有着较深刻的认识，在单点金刚石车床车制非球面光学元件和红外光学元件技术领域积
累了丰富的工作经验。
（12）、王胜江，男，出生于1969年9月12日，中国籍，无境外永久居留权，大学学历，工程师。自1990年至1998年，在昆明无线电厂光学元件厂工作，任生产工艺技术员；自1999年至2008年5月，在爱克瑞光学工作，任镀膜工场技术员、责任负责人；自2008年6月至今，在本公司工作，任工程师。先后参加和主持了爱克瑞光学红外光学薄膜的研发并使之稳定批量生产，在光学薄膜工艺方面经验丰富。
（13）、王智和，男，出生于1968年2月28日，中国籍，无境外永久居留权，大专学历，工程师。自1989年至2000年，在云南北方光电仪器有限公司工作，历任技术员、助理工程师、工程师；自2001年至2008年5月，在昆明高新爱克瑞光学有限公司工作，任工程师；自2008年6月至今，在本公司工作，任工程师。主要从事设备管理、维修维护及光学薄膜研发设计工作，具有国内外精密数控设备及高性能镀膜机的专业维修维护经验，成功研发了红外高效增透膜镀制工艺技术、类金刚石膜镀制技术、红外高效滤光片的设计及镀制工艺、PMMA材料高效增透膜镀制工艺。
（14）、卢伟，男，出生于1983年2月11日，中国籍，无境永久居留权，大专学历，高级技师，助理工程师。自2001年2月至2005年2月，在北京通美晶体技术有限公司工作，任主管；自2005年8月至2006年12月，在中国科学院半导体研究所+材料中心工作，任工艺主管，主要负责3”多晶料准备和生长，单晶料的准备和生长及单晶料的测试；自2007年1月至今，在公司锗业研究所工作，任工艺工程师。掌握了VGF的单晶生长前准备和加工工艺，熟悉生产车间的管理工作。
5、研发投入情况
本公司最近三年用于技术开发、产品试制的费用情况以及未来三年的支出计
划如下表：2009 年 2,141.53 万元
2008 年 2,872.23
2007 年 1,180.97
6、突出的产业拓展能力
本公司成立以来依托优质的锗矿资源，历经了锗矿开采、高纯二氧化锗、区熔锗锭、红外级锗单晶（光学元件）、红外锗镜片、红外锗镜头、太阳能电池用锗单晶片的产品延伸，这种延伸主要依靠公司技术创新能力的提升。公司突出的产业延伸能力和丰富的经验是公司构建合理产品结构的重要保障。
7、有利的成本结构
]本公司拥有丰富的锗资源储备，降低了原料供应成本；采用先进的生产技术，依托完整的产业链，有效控制了资源浪费和废料损耗，加强了锗废料回收，进一步降低了生产成本。本公司主要生产区位于云南省临沧市，可以利用丰富的水电资源和人力资源，具有一定的地区成本优势和人工成本优势
8、卓越的管理团队
本公司的管理团队在开采、冶炼、精深加工、技术研发、经营管理等方面具有丰富的经验。本公司核心管理层深刻了解国内外行业发展趋势和本公司的具体情况，能够及时制订和调整公司的发展战略，在市场竞争中抢占先机，使本公司保持行业领先地位。
二、发行人的主要财务数据及主要财务指标
（一）报告期经营业绩情况
单位：万元
项目 2009 年度 2008 年度 2007 度
营业收入 18,882.88 20,928.48 16,618.43
营业利润 6,880.49 8,419.52 6,881.99
利润总额 9,237.51 9,432.99 7,072.92
归属于母公司
股东的净利润 7,800.67 8,141.19 6,967.60
未分配利润 12,952.26 12,256.83 5,940.67
（二）报告期主要财务指标
财务指标 2009年 2008 年 2007 年
每股经营活动现金净流量（元/股） 1.10 0.67 0.75
每股净现金流量（元/股） 0.63 0.51 -0.02
每股收益（ 元/股）（发行前） 0.83 0.87 0.74
三、募集资金用途
本次发行募集资金投资项目具体情况如下：
序号 项目 投资总额 募集资金使用额
1 高效太阳能电池用锗
单晶及晶片产业化建设项目 22,898.25 16,158.59
2 红外光学锗镜头工程建设项目 20,287.83 18,787.83
合计 43,186.08 34,946.42
（一） 高效太阳能电池用锗：
本项目由本公司控股子公司中科鑫圆负责组织实施及经营管理，项目募集资金由本公司以增资方式投入中科鑫圆。项目建设期为2 年，竣工投产后第1 年达产80%，第2 年达产100%。
（1）中科鑫圆基本情况
中科鑫圆成立于2008年6月13日，注册资本3,000万元，注册地址为昆明高新技术产业开发区海源中路18号，法定代表人为包文东，经营范围：太阳能电池用锗单晶及晶片、高纯锗单晶、红外光学材料等系列产品。其股东结构为：本公司占72%，中国科学院半导体研究所占10%，核心技术人员代卫东占18%。中国科学院半导体研究所的基本情况如下：
中国科学院半导体研究所为中国科学院所属的法人事业单位，住所为北京海淀区清华东路甲35号，开办资金16,305万；宗旨和业务范围为开展半导体研究，促进科技发展、半导体器件与物理研究、光学技术研究、仪器科学技术研究、材料学技术研究、电气工程研究、电子科学与技术研究、光电子科学与技术研究、信息通信及网络工程技术研究、相关技术咨询与产品开发、相关学历教育、继续教育、专业培训、学术交流与博士后培养、《半导体学报》出版。中国科学院半导体研究所现有职工480人，其中有9名中国科学院和中国工程院院士，研究员69人，副研究员94人。现拥有半导体超晶格国家重点实验室（半导体研究所区）、半导体表界面国家重点实验室（挂靠物理所）、国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体材料科学实验室。该所具有先进的物理测试分析、超薄层材料MBE、MOVCD生长和半导体器件工艺加工等大型仪器装备的技术条件。在半导体理论、半导体材料、半导体光电子器件、半导体微电子器件、半导体人工神经网络等方面获得国家及省部级以上成果奖励130多项，其中一项为国家最高科学技术奖。在半导体材料方面，“自组织生长量子点激光材料和器件研究”项目获2001年国家自然科学二等奖；利用分子束外延技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学控制和生长工艺优化，初步实现了对量子点（线）尺寸、形状、密度和空间有序性的控制生长，研制出(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的量子点、准量子线材料，达到国际领先水平。
本项目建成正常投产后，可实现年销售收入22,362.82 万元，年净利润总额6,196.10 万元，总投资利润率36.08%，税后内部收益率27.52%，税后投资回收期（含建设期）5.06 年。
（二） 红外光学锗镜头工程建设项目
本项目建成并正常投产后，可实现年销售收入30,384.62 万元，年净利润总额5,920.26 万元，总投资收益率38.91%，税后内部收益率30.12%，税后投资回收期（含建设期）5.04 年。
两项目合计年净利润：6,196.10+5,920.26万元=1.22以元
（三）本次募集资金运用对经营状况的影响
区熔锗锭处于锗系列产品的中游，而太阳能电池用锗单晶片和红外光学锗镜头均处于锗系列产品的下游。太阳能电池用锗单晶片和红外光学锗镜头需要区熔锗锭作为原料，而区熔锗锭加工成太阳能电池用锗单晶和红外光学锗镜头后的附加值得到了极大的提升。因此，本公司产品结构将得到进一步优化，主营业务收入将大幅增加，利润总额也会有较大幅度的上升，本公司市场综合竞争能力明显提高。
综上所述，本公司董事会认为：本次募集资金投资项目是根据市场实际情况和发展前景，结合公司的实际情况和战略发展目标确定的，充分运用了公司资源优势、锗高附加值产品加工优势、自主研发优势以及中国科学院半导体研究所的技术平台优势，促进了我国锗高附加值产品加工的技术升级和结构调整，符合国家产业政策导向和西部大开发发展战略。项目的实施有利于公司提高精深加工能力，实现锗高端系列产品产业化，提升产品的技术含量，适应国际市场需求，增强企业核心竞争力及改善财务结构，降低财务风险。
四：未来可预见的重大资本性支出
1、支付大寨锗矿建设款
为进一步扩大锗金属生产的规模优势，并为本次募集资金投资项目提供充足的原料，确保募集资金投资项目顺利进行，本公司正在自筹资金进行大寨锗矿9万吨/年技改工程项目；目前，该项目已部分投产，使公司矿石开采量每年增加5万吨。
2、扩建8.60吨/年锗金属生产线
为进一步扩大锗金属生产的规模优势，并为本次募集资金投资项目提供充足的原料，确保募集资金投资项目顺利进行，本公司正在利用自有资金和银行贷款进行扩建8.60吨/年锗金属生产线，预计该项目投资总额为2,645.69万元，截止2009年底已支出71.71万元。
3、烟气废热发电项目
为响应政府“节能减排”的政策，实现《有色金属产业调整和振兴规划》中关于余热利用的规划目标，发展循环经济，本公司正在建设烟气废热发电项目，目前该烟气废热发电项目处于前期可研阶段，截至2009年底已支出前期费用22.43万元。
五： 业务发展目标
本公司具有十余年的锗系列产品专业生产经验，拥有达到国内先进水平的生产工艺技术，已在市场中树立了良好的品牌形象，拥有稳定的客户群体，公司有能力利用和创造有利条件，把握市场机遇。本公司结合市场与自身实际情况，制定了公司发展战略和发行当年及未来两年的业务发展计划。
（一）公司发展战略
以丰富的资源储备和雄厚的研发实力为依托，以市场为导向，不断优化产品结构，开发高端产品，加强“科技、环保”内涵，提升企业核心竞争力，扩大行业领先优势，成为全球领先的锗系列产品生产商和供应商。
（二）经营目标
根据发展战略，本公司将主要完成下列经营目标：
1、发展高附加值的精深加工产品，完成募集资金投资项目建设。
2、不断开拓市场，提高锗精深加工产品的销售比例，使锗精深加工产业成
为公司新的利润增长点，同时保持现有产品的既有优势。
3、进一步增加锗矿产资源保有储量，继续保持在锗行业的资源储备领先优
势和行业地位。
4、力争募投项目建成达产后年销售收入达到8亿元人民币，成为全球著名的
锗系列产品生产商和供应商。
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按你的逻辑,恩,所有的贵金属或者稀有金属公司,都值得投资
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石油的用途不比它差
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