天瑞仪器的核辐射探测器专利

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申请号： 200710073847 申请日： 2007/04/13
公开日： 2008/10/08 公告日：
公开号： 101281915 公告号：
授权日： 授权公告日：
专利类别： 发明 国别省市代码： 32[中国|江苏]
代理机构代码： 44256[对照表] 代理人： 刘大弯
发明名称： 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器
国际分类号： H01L 27/144
范畴分类号： 38F
发明人： 应刚
申请人： 江苏天瑞信息技术有限公司
申请人地址： 江苏省昆山市苇城南路1666号清华科技园
邮编： 215347
文摘：
一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。所述光电二极管和所述前置放大用场效应管分别位于所述半导体硅片的正面和背面，所述光电二极管和所述前置放大用场效应管之间通过蚀刻连接。本发明的有益效果在于：本发明将光电二极管和前置放大用场效应管集中安装在同一片硅片上，且通过蚀刻连接，这样一来前置放大用场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，降低分布电容，其分布电容大约在０．０１～０．０２ｐｆ。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。
主权利要求：
一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器，包括光电二极管，前置放大器场效应管和半导体致冷片组成，其特征在于：在所述光电二极管的底部设有一半导体硅片，所述光电二极管与所述前置放大用场效应管均设置于该半导体硅片上。