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谢谢楼主提供的资料，很有价值
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最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產，且正積極擴大產能。產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性，平均微管密度低於10個/cm2、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求，適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率器件。
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SiC衬底市场
SiC器件的基础材料是SiC衬底。决定SiC器件能否普及的是器件价格。影响价格的是器件成品率。而器件成品率受到衬底质量的制约。2009年世界最大的SiC衬底厂商美国Cree公司，已可批量生产高质量6英寸SiC衬底。2008年起，Cree公司已可量产无中空贯穿缺陷(微管)的SiC衬底。从2008年5月开始，其微管基本为零的4英寸衬底能批量供应。日本新日本制铁2008年也生产出同样基本无微管缺陷的4英寸衬底。
在SiC衬底市场方面，美国Cree公司垄断了优质SiC衬底的供应。2007年起，该公司在市场上供应2至3英寸基本上无微管的衬底。2008年其位错为每平方厘米5千个。2009年将提供6英寸基本上无微管的衬底。其次是德国SiCrystal公司和日本新日铁公司。SiCrystal2008年可提供基本上无微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米2千个;新日铁目前拥有每平方厘米1个微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米5千个至2万个，2009年稍晚些可推出4英寸SiC衬底。第3梯队产品质量一般，有日本东纤-道康宁合资公司和中国天科合达蓝光半导体公司。天科合达蓝光公司在出售2英寸SiC衬底基础上，2008年第3季度又推出了3英寸SiC衬底，其每平方厘米微管数量在50个以下。据Yolu发展公司的统计和预测，2005年至2009年SiC器件市场的年增长率为27%，2010年至2015年的年增长率为60%至70%。
有关专家指出，我国天科合达蓝光公司进入SiC衬底市场影响巨大。其将迅速降低国际市场上SiC衬底的售价，从而推动SiC器件的更快普及。我国有关部门应进行支持，促进SiC器件在国内的应用，而不要使其只为国外厂商，特别是日本厂商，做廉价原料的供应商。
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报告期内(09年三季报)，公司碳化硅晶片项目仍维持小量销售局面，根据市场情况，公司谨慎增加碳化硅晶片产能，新疆生产基地又订购了6台生长炉，截止目前，设备已安装完毕，正在调试运行。
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天科合达寄希望于SiC晶片的成品率
高工LED技术中心 发布时间：2009-03-24 17:25:51
中科院的技术将体单晶到衬底的成品率提高到70%,降低了成本。
中科院孵化公司天科合达(Tankeblue)宣布,受益于专业的晶体生长技术,它提供的SiC衬底价格比其他竞争对手的便宜60%。该公司的发言人表示,他们已经能以很低的成本制备出高成品率的SiC晶片。
该公司把这项开发归结于CEO陈小龙在物理气相传输(PVT)SiC生长技术上的突破,这项技术允许提单晶被切割成便于使用的衬底CSOT,并使得成品率达到70%以上,降低了成本。
天科合达正在出售一些导电的2英寸4H和6H晶体取向的衬底,微管缺陷不到10个,每平方厘米的晶片上的位错在5×104。达到了当今全 全球的领先水平。另外,CSOT它也供应质量稍低的2英寸半绝缘6H SiC晶片和3英寸的导体4H SiC晶片。
陈小龙和来自中科院纳米物理与器件实验室两位教授组成了核心团队,在2006年成立了公司,成为中国第一个SiC衬底供应商,产品CSOT远销美国、德国、澳大利亚和日本。陈在晶体生长上有十数年的经验,他集中于SiC缺陷形成的研究。在今年陈领导的团队出版了一篇有关缺陷CSOT的分析论文,内容是有关“定向变异范围”形成时温度梯度产生的影响。在SiC体晶的生长过程中,通过控制PVT炉中的温度梯度并限制其生长速率,有效晶片的产量得到更大的提高。(CSOTC MH编译)
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从报道看,技术工艺有实质性提升
原来:微管密度均低于30个/cm2，X-射线衍射摇摆曲线半高宽小于50弧秒(09年2月)
现在:平均微管密度低於10個/cm2、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒(09年9月)
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天科合达将高质量碳化硅 (SiC) 晶圆价格推向历史新低
2009-02-24 出自： 新华美通
北京2009年2月24日电 /美通社亚洲/ -- 目前，半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料，可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。根据权威机构 -- Yole 发展公司在2008年的市场报告，SiC 晶圆的市场规模在2012年将达到4亿美元，3英寸、4英寸以及更大尺寸的 SiC 晶圆将成为国际市场的主流产品。因此，国际上主要的 SiC 晶圆生产商：北美的 Cree 和 Ⅱ-Ⅵ 公司、欧洲的 SiCrystal 和 Norstel 公司、亚洲的天科合达蓝光半导体有限公司和 Nippon Steel 公司，一直在努力改善晶体质量和放大晶体尺寸。其中，美国 Cree 公司的 SiC 晶圆产销量处于国际领先地位，占有约60-70%的市场份额，但是对于其他生产商的技术优势正日渐减小。过去的几十年间，多种高性能的 SiC 基半导体器件已被成功研制。然而，价格因素仍是阻碍 SiC 晶圆在国际上广泛应用的壁垒。
作为亚洲地区 SiC 晶圆产销的旗帜性公司，天科合达依托于享誉国内的中科院物理所的技术支撑，一直致力于高质量 SiC 晶圆的稳定生产，为 SiC 基器件的研发和应用提供保障。日前，天科合达在 SiC 单晶生长技术方面取得了突破性进展，已经实现了2英寸和3英寸高质量 SiC 晶圆的稳定批量生产。天科合达为了满足相关研究机构及工业用户对于 SiC 晶圆日益增加的需求，大幅调整了两种2英寸高质量产品的销售价格：导电型 6H-SiC 每片150美元，导电型 4H-SiC 每片250美元，这个价格较国际同类产品价格低60%左右。此产品质量居国内领先、国际先进水平，即两种产品的微管密度均低于30个/cm2，X-射线衍射摇摆曲线半高宽小于50弧秒。此外，天科合达是否或何时对其3英寸 SiC 系列产品进行价格调整值得期待。相信天科合达新的价格策略将极大地加速 SiC 基器件产业的发展步伐，如发光二极管，肖特基二极管，混合动力汽车的转换器等。天科合达也将于近期推出其最新开发的非掺杂半绝缘 SiC 晶圆，可广泛用于制备高性能功率器件。
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