大陆LED芯片厂商与相关上市公司

哈哈，楼上也没睡啊

那么晚还在做功课啊

6，清芯光电股份有限公司

清芯光电股份有限公司为清华大学控股的中韩合资企业。于2005年12月成立，占地200亩，投资总额达到1.3亿美元。
　　公司是一家生产高亮度GaN基LED外延片、芯片的高科技企业，产品质量达到世界先进水平。
　　公司以掌握高亮度LED最新核心技术的国际化团队为核心，以清华大学的技术力量及各种资源为依托，打造世界一流光电企业。公司具有自行设计、制造LED外延生长的关键设备－MOCVD的能力。
　　2006年芯片正式投产，生产的高亮度芯片已正式用于2008年奥运场馆等工程。公司设计产量400KK/月，公司计划2009年实现国内主板上市。
　　清芯光电公司全体员工秉承“创新，进取”的企业精神，生产国内外最高亮度的芯片，打造一流的光电企业。正在成长中的清芯人将为国内、国际半导体照明的发展做出巨大的贡献！
　　公司注重企业文化的建设，尊重人才、善用人才，推崇敬业精神与良好职业道德的培养，力争给投资人和员工以最大利益的回报。
　　清芯人秉承“锐意创新，实现共赢”的企业精神，用绿色照明照亮世界

5，上海蓝光科技有限公司

上海蓝光科技有限公司成立于2000年4月，是国内首家从事氮化镓基LED外延片、芯片产业化生产的企业，注册资金2亿元，主要股东为彩虹集团公司、黑龙江省大正投资集团有限责任公司、哈尔滨大正产权经营有限责任公司、上海浦东科技投资有限公司、上海张江创业投资有限公司、上海张江高科技园区开发股份有限公司、北京大学科技开发部等。

4，深圳方大

1999年，方大集团股份有限公司作为国内第一家批量生产半导体照明用外延片和芯片企业，经过几年的努力，其核心业务已涵盖从外延生长、芯片制造、光源封装到各种灯具，泛光和景观照明系统设计与制造，各种背光源模组设计与制造，室内室外广告显示系统设计与制造整条产业链，是国内著名企业之一。  
 
  2007年9月，方大集团股份有限公司与沈阳市浑南新区国有资产经营公司共同投资组建了沈阳市方大半导体照明有限公司（＂下简称公司＂）,下设子公司沈阳沃科半导体照明工程有限公司，深圳市方大国科光电技术有限公司，深圳沃科半导体照明有限公司和深圳市半导体照明工程研究开发中心，并以此为核心企业建设沈阳市半导体照明系统集成产业园。产业园计划总投资20亿元人民币，规划占地面积30万平方米。首期拟投资5亿元人民币，规划占地面积8.5万平方米，规划建筑面积8.5万平方米，计划5年内全部建成后，核心企业沈阳方大半导体照明有限公司将实现产值20亿人民币，带动园内半导体照明产业实现年产值100亿元人民币。
  　　　
  公司主导产品包括用于制造紫、蓝、绿色芯片的外延片，各种尺寸的抗静电正装芯片和倒装芯片，各种规格的照明用大功率发光二极管，用于各种照明场合的标准和非标准照明灯板、灯条以及各种规格的背光模组，各种照明灯具，各种数码控制之户内户外泛光和景观照明系统，各种室内室外广告显示系统和彩显幕墙系统。主要研究方向以外延技术和芯片制造为核心，不断提升芯片发光效率，通过结合封装、灯具、照明、显示、系统设计方面的独特技术，特别是防水、防紫外和全方位散热技术，开发和生产新一代半导体照明产品与系统。十五期间，承担并完成国家半导体照明产业化重大科技攻关项目，开发并研制成功的Tiger系列半导体照明芯片被列为2006年国家重点新产品。国家863项目下完成的衬底减薄技术获2004年"深圳市科技进步二等奖"半导体照明台灯被列为2005年国家重点新产品。上海市花旗大厦LED彩显幕墙系统集半导体光源、彩显控制、幕墙技术与工程设计施工技术于一身，2006年获首届国家半导体照明工程创新大赛工程应用创新奖。方大是2006年成立的深圳市半导体照明产业发展促进会理事长单位，建有深圳市企业博士后工作站，市级企业技术中心。建有深圳市半导体照明工程研究和开发中心。十一五期间，承担国家"863"半导体照明工程重大项目"高效大功率氮化镓LED芯片及半导体照明白光源制造技术"、广东省科技计划项目"氮化镓基蓝光外延片表面粗化的金属有机物气相沉积生长技术"和深圳市科技计划项目"80密耳半导体照明用蓝光LED芯片的研制"等。

3，南昌欣磊光电科技有限公司（600363联创光电控股子公司）


南昌欣磊光电科技有限公司是国内最大的生产发光二极管LED芯片的专业生产厂家。公司成立于一九九三年，现由江西联创光电科技股份有限公司与香港普光科技有限公司、香港达华中外有限公司合资经营，总投资1346万美元，注册资本672万美元（中外投资比例为74∶26）。公司九四年被江西省对外贸易合作厅确认为先进技术性企业，九六年被江西省科委认定为区外高新技术型企业和两个密集性企业,2004年被评为南昌市科技示范企业。1998年企业通过ISO9002认证，2002年获得2000版ISO9001认证。
公司自成立以来始终坚持以“技术为本，创新为主”的原则，先后承担了多项国家及省市级重大科技项目，目前公司LED芯片年产能已达60亿粒。其研究开发的磷化镓LED芯片1994年获江西省优秀新产品一等奖、1995年获原电子工业部科技进步三等奖、1997年获江西省科技进步二等奖、2002年荣获江西省科技厅高新技术产品证书，并且公司配合原国营七四六厂承担的863计划“GaP LED外延片材料生产”关键研制项目中的磷化镓芯片生产技术研究和配合南昌大学承担的863计划铟镓氮外延片研究项目中的芯片生产技术获得成功，使上述两个项目顺利通过国家验收。
公司近年来，通过深化企业内部改革和技术改造，进一步增强了企业的创新意识和创新能力，产品品种涵盖了除紫光外的红外、红、橙、黄、绿、蓝等全色系LED芯片，各项经济指标保持高速增长，在国内同行业中一直保持龙头领先地位。

士兰明芯——再创辉煌

  ——2009年8月销售额突破3100万 

  2009年7月LED业界轰动新闻，士兰明芯LED芯片入围天安门广场彩屏项目，士兰明芯的产品将与国际顶级LED厂家----日亚的产品同台展出。士兰明芯将借此打响高端市场领域，走向国际市场。火热的8月，士兰明芯的生产销售同样红火，销售收入突破3100万元，蓝、绿光芯片销量突破390kk，当月产出达306KK，当月产量、销售量、销售额均创历史新高。

士兰明芯蓝宝石图形化衬底进入批量生产
发布日期2009-09-02 　点击次数:744

杭州士兰明芯科技有限公司开发出具有自主知识产权的蓝宝石图形化衬底（patterned sapphire substrates ，简称PSS）（如图－1所示）。

  相对于普通蓝宝石衬底，在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷，外延层晶体质量明显提高。另外，蓝宝石的折射率为1.8，氮化镓的折射率为2.4，由于折射率的差异，当光从外延层进入图形衬底时，会形成反射，从而改善GaN基发光二极管出光率。
  基于PSS衬底的外延材料制成的LED器件参数表明，其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底制作的器件光功率增加约30％，因此采用PSS衬底是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。
  通常PSS衬底的主要制作方法如下：在蓝宝石衬底上制作图形化的掩膜，通常采用的是SiO2或金属掩膜；刻蚀蓝宝石；去掉掩膜，得到图形化的蓝宝石衬底。尽管目前这种方法已经进入大规模批量生产阶段，但是相关的研究工作还在进行，主要集中在图形形貌优化，提高刻蚀工艺的重复性、一致性以及降低生产成本等方面。
  由于制作工艺存在一定难度，目前PSS衬底价格比普通蓝宝石衬底上价格高，主要是因为蓝宝石衬底比较坚硬，无论是干法刻蚀还是湿法腐蚀，整片图形做好一致性、均匀性都有一定难度，制作过程对设备和工艺要求很高，这是导致PSS衬底价格偏高的一个主要因素。
  杭州士兰明芯科技有限公司的技术团队，走不同的技术路线，立足于公司现有条件，实现蓝宝石衬底图形化，进入规模生产阶段，其性能到达目前市售的国外同类产品水品，但制作成本更低。除满足本公司使用外，还可对外销售。

士兰明芯高亮度红光LED芯片研发成功、进入批量生产
发布日期2009-09-02 　点击次数:683

  高亮度红光LED芯片是一种亮度高、可靠性好的发光器件。相对于普通结构的红光LED芯片，高亮度红光芯片采用键合工艺实现衬底置换，用到热性能好的硅衬底（硅的热导率约为1.5W/K.cm）代替砷化镓衬底（砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm），芯片具有更低热阻值，散热性能更好，有利于提高可靠性。另外，在P-GaP上镀反射层，比普通红光外延层中生长DBR反射镜出光效率更高。为了克服光在芯片与封装材料界面处的全反射而降低取光效率，还在芯片制作一些表面纹理结构。相同尺寸相同波长的芯片，20mA电流下，两者光强相差两倍以上，图-1是高亮度红光芯片剖面示意图。图-2是芯片实物图片.

  高亮度红光LED芯片因为本身发光效率高、可靠性好，主要应用于对亮度、可靠性要求较高的场合，比如幕墙屏幕、液晶显示屏LED背光源等领域。之前由于普通红光LED芯片亮度不够，在由红（R）绿（G）蓝（B）组成的一个全色模组中通常的构成是一颗蓝光芯片、一颗绿光芯片、两颗普通红光芯片。现在若使用高亮度红光芯片则一颗就可满足要求，而且可靠性高，维护成本明显降低。
  目前市场上较多的是普通结构的红光芯片，价格已经很低，利润空间很小。高亮度红光芯片有较大的市场需求，由于在制造技术上有一定的难度，目前只有少数几家公司能批量供货，产品的性价比较高。
  2008年底士兰明芯开始开发高亮度红光芯片，技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数，使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽，键合良率和可靠性得到保障。
  金属反光特性一直是影响红光芯片亮度的一个主要因素，通过大量试验，已经彻底解决了这一问题。
  发光二极管的电极合金条件不合适会导致金丝键合时电极脱落，对于高亮度红光芯片而言，电极合金的工艺要求更高。为了解决好电极和红光外延层粘附性问题，士兰明芯的技术团队在表面处理、合金层结构、合金条件做了大量试验和重复验证工作，克服了电极容易脱落这一难题。
  士兰明芯高亮度红光芯片的各项参数指标已达到先进的水平，2009年7月份进入批量生产。现在生产的芯片尺寸规格有280um×280um、350um×350um两种。
  士兰明芯蓝、绿光LED芯片的客户一直以来希望士兰明芯能提供高亮度红光芯片以为他们的全色模组配套，将方便他们的采购和质量管理。对士兰明芯来说，高亮度红光芯片的推出除了增加一个新的产品系列外，也将有利于扩大现有蓝、绿光芯片的销售。

士兰明芯LED芯片入围天安门广场彩屏项目
发布日期2009-09-02 　点击次数:743

  2008年北京奥运会上亿万观众领略了美轮美奂的LED显示效果，国庆六十周年期间，人们又可在天安门广场看到四块大型LED显示屏提供的丰富多彩画面。

  天安门广场大型LED显示屏项目现已完成招标工作。其中有两块屏由北京利亚德用日亚管子中标；另外两块由北京利亚德、东莞勤上深圳洲明中标，该两块屏采用杭州士兰明芯科技有限公司的产品，由深圳雷曼封装。

  日亚是世界上最早开发氮化物LED的日本公司，它以雄厚的技术实力和卓越可靠的产品性能一直保持行业领跑位置。杭州士兰明芯科技有限公司是国内业界产品性能最好的LED芯片制造商之一，尤其以产品可靠性高著称，这源于其集成电路制造背景。

  能与国际大厂产品同台展示，对国内企业来说，是机遇也是挑战，士兰明芯将借此机会迎来新的发展机会，这也是国内企业走向世界市场的必经之路。