汉用的是
比亚迪自己的SIC,SIC相对SI基IGBT只能说各有特点,还不是全面碾压,对于电驱部分,在大电流上IGBT更占优势,高频以及耐高温特征上SiC占优势,表现为IGBT用的管子数量能少一点(大功率大扭矩电机用比较合适),SiC的散热需求会低一些(所以整体电控的体积可以小一些,而且瞬时峰值功率可以高一些),在当前的450V左右的电池电压系统中,一般采用750V耐压的器件,这个电压等级SiC MOSFET,和Si IGBT性能差异不大,很小吗,特斯拉和汉EV用SiC噱头的意义更大。性能提升很小。未来800V高压采用1200V模块用SiC的性能会更有实用意义。
拿F91操作举例,看来养大年龄不算大,或许还是同龄人~