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公司在这个行业是龙头！
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是的，如果这个是真的！
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这个牛逼
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这个行业，公司在第一梯队！
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光刻机的提问，公司讲了需要用到的材料，这个材料上，公司是这个行业龙头啊。
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互动上的回答，没有承认，也没有否认。
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你还拿着吗？认真看了你的资料，这个公司还真的可能是光刻机概念！
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老师，这个不行，价格太高了。
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今年台积电、三星5nm工艺的量产，则对于EUV光刻机的需求进一步提高。根据ASML预计，2020年将会交付35 台EUV光刻机， 2021年则会进一步提高到45台到50台的交付量。此外，针对后续更为先进的3nm、2nm甚至是1nm工艺的需求，ASML也针对性的规划了新一代的EUV光刻机EXE:5000系列。
据了解，EXE:5000系列将物镜系统的NA（数值孔径）提升到了0.55（数字越大越好，上一代的NXE:3400B/C的NA都是0.33）,可实现小于1.7nm的套刻误差，产能也将提升至每小时185片晶圆以上，其主要合作伙伴是卡尔蔡司和IMEC比利时微电子中心。根据ASML公布的信息，EXE:5000系列光刻机最快在2021年问世，不过首发的还是样机，估计2022或者2023年左右才能够量产交付给客户。
而按照目前台积电的和三星的进度来看，今年会量产5nm工艺，而3nm工艺虽然目前已有突破，但是可能也要等到2022年才会量产。按照三星的规划，在6nm LPP之后，还有5nm LPE、4nm LPE两个节点，随后进入3nm节点，分为GAE（GAA Early）以及GAP（GAA Plus）两代。去年5月，三星的3nm GAE设计套件0.1版本已经就绪，以帮助客户尽早启动3nm的设计，但是量产应该要等到2022年以后了。而台积电的目标也是在2022年量产3nm工艺。据了解，目前台积电的3nm进展顺利，已经开始与早期客户进行接触。而台积电新投资6000亿新台币的3nm宝山厂也于去年通过了用地申请，将于今年正式动工。
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EUV：半导体业的终极武器
这全靠总部后头那栋最高机密的巨型厂房，里头身穿无尘衣的员工正在组装，如同货柜车般大的EUV微影系统3350B之赐。这是令全球半导体业引颈期待的「终极武器」。
台积电、英特尔都寄望，这台史上最昂贵的「工具机」，会在2017年开始试产的七奈米制程大发神威，成为主力机种。
全球每年生产上百亿片的手机晶片、记忆体，数十年来都仰赖程序繁琐，但原理与冲洗照片类似的曝光显影制程生产。
其中以投射出电路图案的微影机台最关键、也最昂贵。过去十多年，全球最先进的微影机，都采用波长一九三奈米的深紫外光，然而英特尔、台积电量产的最先进电晶体，大小已细小到仅有数十个奈米。这形同用同一支笔，要写的字却愈来愈小，最后笔尖比要写的字还粗的窘境。要接替的「超细字笔」，技术源自美国雷根时代「星战计划」，波长仅有十三奈米的EUV；依照该技术的主要推动者英特尔规划，2005年就该上阵，量产时程却一延再延。
因为这个技术实在太难了。EUV光线的能量、破坏性极高，制程的所有零件、材料，样样挑战人类工艺的极限。例如，因为空气分子会干扰EUV光线，生产过程得在真空环境。而且，机械的动作得精确到误差仅以皮秒（兆分之一秒）计。
最关键零件之一，由德国蔡司生产的反射镜得做到史无前例的完美无瑕，瑕疵大小仅能以皮米（奈米的千分之一）计。
这是什么概念？ASML总裁暨执行长温彼得（Peter Wennink）接受《天下》独家专访时解释，如果反射镜面积有整个德国大，最高的突起处不能高于一公分高。
「满足这类（疯狂）的要求，就是我们的日常工作，」两年前由财务长接任执行长的温彼得说。
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