作为国内领先的IDM厂商，
士兰微成立于1997年，持续努力建设国内最具规模的设计、制造一体的集成电路产业发展模式。
公司创始人“士兰七君子”陈向东、范伟宏、郑少波、江忠永、罗华兵、宋卫权、陈
国华都来自绍兴华越微电子，有着长期从事集成电路设计和制造的从业经验，深知特色工艺产品设计和制造衔接的重要性，在寻求特色代工资源未果后，开始启动IDM模式。2002年12月士兰微旗下士兰集成开始在杭州运营5英寸兼容晶圆生产线；在 2003年上市后，再建设一条6英寸晶圆生产线；2004年测试工厂开始投产；2010年进入功率模块封装领域；2014年硅外延厂房投入生产；2017年3月，在大基金的支持下，公司旗下士兰集昕8英寸晶圆生产线开始投产；同年6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线通线；2019年10月12英寸miniLine通线。
从集成电路芯片设计业务开始，经过20多年的探索和发展，逐步搭建了特色工艺的芯片制造平台，并延伸至功率器件、功率模块和MEMS传感器的封装领域，建立了较为完善的IDM（设计与制造一体）经营模式，在电源管理、功率驱动、
半导体功率器件与模块、MCU、音视频SoC、MEMS传感器、LED芯片等多个技术与产品领域取得了进展，成为可以综合性地向客户提供集成电路、半导体分立器件、半导体化合物器件、功率模块、MEMS传感器等半导体产品及方案的供应商。
IDM模式可有效进行产业链内部整合，公司设计研发和工艺制造平台同时发展，形成了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及器件、集成电路和模块产品的协同发展。公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合实力，提升产品品质、加强控制成本，向客户提供差异化的产品与服务，提高了其向大型厂商配套体系渗透的能力，成为国内目前唯一为白电提供功率半导体产品的本土企业。
20余年士兰微就专注在特色工艺上。相较先进工艺而言，特色工艺投入不算大。特色工艺追求的不完全是线宽的缩小，而是根据不同的物理特性，做出不同的产品，比如高压高功率半导体、射频器件、模拟器件、无源器件、传感器等，关键看技术研发的能力。研发能力体现在公司的研发支出上，自2013年以来，士兰微研发费用已连续6年增长，年增长15%左右，2018年研发费用首次超过3亿元。
公司研发工作分为芯片设计研发与工艺技术平台研发两个部分。在芯片设计研发方面，以IPD为引导，将技术研发工作根据各产品线进行划分，分为电源与功率驱动产品线、MCU产品线、数字音视频产品线、射频与混合信号产品线、分立器件产品线等，持续推动新产品开发和产业化，根据市场变化不断进行产品升级和业务转型，保持了持续发展能力；在工艺技术平台研发方面，公司依托于5、6、8英寸芯片生产线，建立了新产品和新工艺技术研发团队，陆续完成了国内领先的高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发，形成了比较完整的特色工艺的制造平台。
通过芯片设计研发与工艺技术平台研发，在不断丰富产品群的同时，产品也得到了多家国内外品牌客户的认可。
随着士兰集昕8英寸芯片生产线产能持续爬坡，加上士兰微厦门基地两个项目，将进一步夯实士兰微IDM策略，持续推动士兰微整体营收迈向新台阶。
allenjudy
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