士兰微公告,2017年打通了一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月,公司公告厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物
半导体生产线正式开工。士兰微18年公告与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币,在厦门规划建设两条12英寸90~65nm的特色工艺芯片(功率半导体芯片及MEMS传感器)生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件(第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片)生产线。
此外,IGBT领域公司19年进展顺利、再上新台阶。公司生产的600V单管 IGBT产品已经在电焊机、变频器和IPM领域大规模应用。IGBT器件已经推进到第五代Field-Stop工艺,采用了业内领先的Narrow mesa元胞设计,将器件的功率密度较上一代产品提升了30%,最大单芯片电流提升至270A。