@一言不合 公告直接说三代
半导体和碳化硅、氮化镓。
露笑科技 sz0026172月20日晚间公告,公司拟筹划非公开发行股票,募资用于投资碳化硅晶体材料和制备项目。
公司将继续专注第三代半导体晶体产业,拓展碳化硅在 5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiC MOSFET、SiC IGBT 等元器件芯片方面的应用,初步拟定产品为 4-6 英寸半绝缘片以及 4H 晶体 N 型导电碳化硅衬底片及其他产品制品, 具体项目预算和产品方案正在编制中。
募资用于投资碳化硅晶体材料和制备项目。
碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。
目前碳化硅和氮化镓这两种芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。即碳化硅上长碳化硅外延层,用于制造功率器件;碳化硅上长氮化镓外延层,可以用来制造中低压高频功率器件(小于650V)、大功率微波射频器件以及光电器件。