苏大维格参展SEM
ICON China 20192019年3月20日-22日,SEMICON China 2019将在上海新国际博览中心盛大开幕,全球半导体产业的众多企业在此齐聚一堂。苏大维格集团作为微纳装备与材料器件研发及产业化并举的创新型企业,我们将带着最专业的技术人员以及最新的产品资料亮相本次盛会。欢迎莅临展位,我们期待与您的互动和交流!
时间:2019年3月20-22日
地点:上海新国际博览中心
展位:N1馆1164
本次展会上,苏大维格将带来微纳直写光刻解决方案:
>> 苏大维格的图形化直写系统,应用空间光调制(SLM)技术和位相调制(PLM)技术,实现亚微米直写光刻。可达0.5um解析度和100nm套刻。
>> 在应用中省去了繁琐的掩膜加工步骤,相比单束直写具有效率高、技术先进、应用灵活等特点。
>> 100nm-100um精度的直写取代了部分电子束光刻和传统紫外光刻。
>> 支持2-65英寸的写入面积,为专用集成电路、平板显示、微机电系统、微光学、微流体、传感器、计算机产生全息图以及所有其他应用需要进行掩膜和微结构图形的快速制造的场所,提供了完美解决方案。
苏大维格在多年的高端微纳制造装备的研发中积累许多核心技术,这些核心技术有力保障了在高端微纳制造装备领域苏大维格走在世界的前列:
1.先进的SLM PLM组合光学架构
>> 创新应用基于高精度DMD的SLM空间光调制激光直写和PLM相位调制,支持500nm分辨率的任意图形和100nm的特征图形光刻。
2.频闪平铺光斑曝光技术
>> 运行效率比传统采用Raster Scanning的激光直写系统提高数倍以上。多写入模式(频闪光斑平铺曝光、灰度曝光、拖曳扫描和矢量扫描)的选择能够针对不同的应用需求提供优化图形与微结构的性能支持。
3.
海量数据 处理和全尺寸覆盖
>> SLM空间光调制,14Tbit(0.25m、55英寸),传输速度达2000帧/秒。
>> PLM位相调制,40Tbit,传输速度达8000帧/秒 可以满足2”-65” 基板的直写光刻。
4.3D 导航飞行曝光
>> 3D导航:Z轴驱动分辨率20nm、行程:10mm,保障大幅面基板微纳图形聚焦。
>> 4轴同时曝光:通过纳秒时序(10ns-30ns),匹配位置,在高速运行中曝光,达500mm/s。
>> 重叠曝光:实现了深纹微结构,深度大于4m。