原材料——锗

锗有望成为继硅元素达到极限之后的下一代主要芯片材料。

芯片行业面临难以进一步缩小硅组件的问题。

锗制成的首个集成电路表明，计算机行业可另辟蹊径，冲破物理限制并不断取得进步，且锗有望取代硅元素。普杜大学研究人员在旧金山召开的国际电子器件会议上展示了该电路。

使用锗代替硅元素似乎是个讽刺性的转折。1947年于贝尔实验室发明的首个晶体管就是由锗板制成，即元素周期表中硅元素下方的元素。选择锗的原因是电流能快速通过锗材料，这正是晶体管必备的特征。但是，工程师们考虑大规模制作集成电路时，又将锗抛之脑后，因为硅材料更容易处理。

现在，由于生产商们面临着硅材料无法进一步微型化的问题，锗元素得以重新应用。普杜大学叶培德（Peide Ye）教授及其同事所展示的锗电路表明，锗材料将被商品化。

当前生产的微型晶体管直径仅14纳米，且极其紧密连在一起。若进一步减小晶体管的尺寸，半导体产业将面临大量问题。国际电子器件会议小组会议期间，因特尔公司的高级研究员马克·波尔（Mark Bohr）表示，十年之后，将不可能进一步缩小硅晶体管的尺寸。波尔说：“我通常更倾向于新创意。”

锗具备良好的电气性能，从而电路传输速度始终优于硅元素。但是，根据当前行业内所使用的生产技术，即互补金属氧化物半导体技术（CMOS）或互补金氧半导体技术，工程师们无法利用锗材料制出紧凑却节能的电路。

利用互补金氧半导体制成的电路同时采用传输负电荷的晶体管，即负电场效应晶体管，以及传输正电荷的晶体管，即正电场效应晶体管。

“正电场效应锗晶体管得分”，斯坦福大学电气工程师克里希纳·萨拉斯沃特（Krishna Saraswat）未参与叶培德教授的项目，“但是负电场效应锗晶体管正遭遇瓶颈”。叶培德提出了新的负电场效应锗晶体管设计方案以显著提高其性能。

锗元素能再次引起广泛关注，萨拉斯沃特应负部分责任。2002年，他首次发布论文，说明锗晶体管具有高性能，比硅晶体管强两到三倍。萨拉斯沃特说：“我们已经完成基本科学工作，现在我们重点关注基础工程。”

其他可用材料如碳纳米管或由多种元素组成的复合半导体也有望取代硅材料，但是其使用方式更为复杂，难为芯片行业所用。相比之下，芯片制造商已将锗元素用于正电场效应硅晶体管。伊利诺大学香槟分校工程师李秀玲（Xiuling Li）说：“无论什么时候，你都可使用元素半导体，如硅或锗，这非常简单。”

此文由MIT Technology Review 中国大陆地区独家授权，更多精彩内容请搜索官方微信“mit-tr”，同我们一道关注即将商业化的技术创新，分享即将资本化的技术创业。

MACOM推出四通道64G线性调制器驱动芯片
日前，MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）宣布推出MAOM-006408，这是一款面向64 GBaud长距离、城域和数据中心互连（DCI）应用的单芯片四通道线性差分调制器驱动器，采用高达64QAM的高阶调制方案。该器件以极小的芯片尺寸实现了低功耗、高带宽和出色的线性度，有望满足光互联网 论坛(OIF)正在制定的HB-CDM和IC-TROSA标准。

随着电信运营商和互联网内容提供商不断促进数据速率和面板密度需求的提高，OIF正努力制定有关64 Gbaud和64 QAM的小尺寸元件标准予以支持。为了满足小尺寸和高工作频率要求，对驱动芯片和Mach-Zehnder调制器采用封装级集成则变得极具优势。与多个裸片集成在表面贴装模块中的现有分立式驱动器解决方案相比，这推动了对在单个半导体裸片中实现四通道线性驱动器的需求。

MACOM网络高级产品经理Rajiv Somisetty表示：“我们非常高兴能够推出这款新型高度集成的高带宽调制器驱动器。在过去的七年里，MACOM在调制器驱动器相干技术部署创新方面一直处于前沿地位，凭借最新推出的面向64Gbaud系统的调制器驱动器产品组合，我们的领先地位将扩展到新一代400G及以上速率的部署中。”

MACOM的MAOM-006408在单一硅锗芯片中集成了四条通道，并且可通过串行外设接口（SPI）实现全数字控制，促进了技术创新标准的提高。MAOM-006408已经过优化，能够以极低的功耗灵活驱动各类MZ调制器。此外，它还提供全模拟和全数字控制，有望满足HB-CDM和IC-TROSA标准的要求。

材料（百度 百科搜传感器材料可找到）
半导体传感器主材料是硅、锗、砷化镓、锑化铟、碲化铅、硫化镉等。主要用于制造力敏、热敏、光敏、磁敏、射线敏等传感器。

材料
锗是半导体材料，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。20世纪初，锗单质曾用于治疗贫血，之后成为最早应用的半导体元素。单质锗的折射系数很高，只对红外光透明，而对可见光和紫外光不透明，所以红外夜视仪等军用观察仪采用纯锗制作透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，三氯化锗还是新型光纤材料添加剂。 锗，具有半导体性质。对固体物理学和固体电子学的发展起过重要作用。

需求越来越大，而锗的存量越来越少，价格必定暴涨，其它不多说了