002023海特高芯 5G高频基站：砷化镓芯片势在必行

为满足5G基站高频需求，拉高整合层级的砷化镓制程将是势在必行。由于功率表现上的优势，砷化镓显然在4G功率放大器（PA）市场，透过与CMOS制程的角力，夺得一片天。但朝向未来的5G，在功率表现上更具优势的氮化镓制程，却开始紧追在后。因此，促使砷化镓逐步达成one-chip解决方案的SoC，藉此高效率地满足5G基地台的高频需求，将会是砷化镓与氮化镓产生差异的关键。

稳懋半导体技术处长王文凯指出，现阶段来看，「价格」仍是砷化镓制程难以完全取代CMOS制程的原因，具有价格优势的CMOS制程，能掌握诸多对功率较不讲究的应用市场。这恐怕是砷化镓制程永远也无法超越CMOS制程之处，因此该公司相当重视在5G高频基础建设的发展，主要的原因在于，若没有回程线路的网络，即便手机有再多的mmWave功能，也是没有用的。
由于砷化镓制程在价格上的致命伤，若要在智能型手机等消费性产品上与CMOS制程拼出高下，显然不是智慧之举。因此从5G基础建设着手，也就成为业界在推展砷化镓制程上的一大方向，即便这样的发展，往往在一般消费性市场较不显著，但现已是推动功率半导体大步向前的一大动能。
王文凯进一步表示，小基站是我们希望未来砷化镓制程所能着墨之处，主要的原因在于其在价格上的容忍度，相较于手机应用是比较高的，且其并不是便携式装置，必须在建筑物上插电，对功率表现度的要求也比较高。
就整体市场来看，砷化镓若要在高整合度的CMOS制程，与高功率表现度的氮化镓（GaN）制程之间，发挥所长，其势必得透过制程与封装，持续将整合度的层级拉高。
王文凯进一步指出，相较于氮化镓制程，砷化镓较有机会做到one-chip解决方案，因氮化镓若要达到此类型的解决方案，所须耗费的时间非常长，这也就让砷化镓很有潜力成为仅次硅，达成SoC的唯一制程。因此，在功率上优于CMOS制程、在整合度上优于氮化镓的砷化镓，也就能在5G的中功率装置上，发挥出相当的价值。
王文凯也透露，多数人对砷化镓制程的印象，停留在手机的假晶高速电子移动晶体管（pHEMT），不过事实上，GaAs pHEMT如今在电信营运商所部署的基站Backhaul已扮演相当重要的角色，且频率达到90GHz以上，这包含了数据中心里的光纤、基地台上运用微波方式来传递讯号的天线等，都是GaAs pHEMT的应用范畴。