三星西安工厂受到变电站爆炸停电影响，对供应紧张的NAND雪上加霜

6月18日凌晨0时20分左右，从西安市供电局了解到，西安市长安区发生两起爆炸，一处在长安酒厂附近的变电站，一处在北长安街凤栖原D出口北5米处的变压器，导致西安市南郊发生短暂停电，长安区、长安南路、纺织城等多个区域发生停电情况。


值得注意的是，三星西安厂也位于西安市南郊，属于长安区五星和兴隆街办，离爆炸事故点很近，由于爆炸事故引起的停电，三星的西安工厂出现持续几秒的断电，导致生产车间出现大面积宕机、设备停工等情况，目前损失还在统计中。中国闪存市场网ChinaFlashMarket认为，三星西安厂断电所造成的Wafer晶圆损失将对三星SSD生产造成影响，而且市场刚进入Q3旺季备货期，NAND Flash供货已现紧缺的情况，预计2016下半年市场缺货将更加严重。据悉，三星西安工厂占地面积达102万平方米，目前仅使用了21万平方米，而西安工厂最高可兴建 3 条产线，月产能最高可扩充至 30 万片水平。三星计划将西安工厂培育成 3D NAND 的核心据点。据熟知三星事务的关系人士透露，三星西安厂生产的是32层3D NAND，目前月晶圆产量为 4-5 万片，并计划于今年内将其产量提高5成（增加 2 万片）至 6-7 万片，主要是用于SSD生产所用，三星950 Pro、650/850等系列SSD均采用的是32层3D NAND，如今三星西安工厂Wafer晶圆受损，将直接影响SSD生产和市场供应。2016年SSD价格已累积下滑20%，刺激需求持续爆发性增长，快速吞噬硬盘的市场份额，第一季度SSD全球出货量同比大增30%，预计2016年全球SSD出货数量将增至1.35亿块。由于SSD市场需求增长迅速，且对NAND Flash产能需求量大，所以原厂产能主力供应SSD需求，同时也是三星重要发展的产品线，如今三星32层3D NAND产能损失，三星势必将其他生产线进行改造，用于弥补这次断电所造成的Wafer晶圆损失。 三星3D NAND除了在西安厂生产外，已将韩国华 城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48层3D V-NAND产线，但是由于苹果 新iPhone将增加256GB容量，且由三星独家供应48层V-NAND，所以三星将没有多余48层NAND产能对外供应，三星恐将用2D NAND生产线来弥补，这将进一步导致三星对外的2D NAND产能减少，这对于目前供应紧张的NAND Flash雪上加霜。另外，曾有消息称三星华城17产线将投产3D NAND，预计将在2016年底开始量产，月产能大约4万片左右，这次三星西安厂停电事件恐加快华城17产线3D NAND投产进度。近期，随着旺季即将到来，苹果新iPhone备货需求的带动，自5月下旬涨价以来，NAND Flash综合价格指数涨幅达10%，其中闪存卡近一个月最高涨幅已高达20%以上，而随着NAND Flash涨价行情的持续发酵，涨势已开始蔓延到eMMC/eMCP、LPDDR等市场，预计受三星西安厂3D NAND产能影响，恐将刺激SSD价格上涨。
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