跨年的大牛股猴性大发！

新材料一波接波，等待风起。。。

拿好了，这公司的碳化硅比石墨烯牛逼多了，正宗的中科院陈小龙团队，好好拿着

从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。据《中国科学报》12日报道，不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司（以下简称天科合达）合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。截至2014年3月，天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。
碳化硅作为第三代半导体材料，可用于制作新一代高效节能的电力电子器件，并广泛应用于国民经济的各个领域，如空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等。与使用传统硅器件相比，使用碳化硅半导体电力电子器件可以减少电力系统的能量损耗，提高电力使用效率，降低电力系统的尺寸，同时可提高系统运行的可靠性并降低系统整机造价。高效节能碳化硅电力电子器件的普及和应用可以为产业升级、节能减排和建设低碳社会提供技术保障。
据介绍，美国F－22战斗机也大量使用了碳化硅半导体器件。我国碳化硅技术最早也用于军事，现在慢慢扩大到民用方面，一旦普及，将创造巨大的社会效益。
第三代半导体材料
研究人员告诉记者，上世纪五六十年代，硅和锗构成了第一代半导体材料，主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中。相比于锗半导体器件，硅材料制造的半导体器件耐高温和抗辐射性能较好。
到了上世纪60年代后期，95%以上的半导体、99%的集成电路都是用硅半导体材料制造的。直到现在，我们使用的半导体产品大多是基于硅材料的。
进入上世纪90年代后，砷化镓、磷化铟代表了第二代半导体材料，可用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件。因信息高速公路和互联网的兴起，第二代半导体材料被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。
与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料通常又被称为宽禁带半导体材料或高温半导体材料。其中，碳化硅和氮化镓在第三代半导体材料中是发展成熟的代表。
记者了解到，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。
关于氮化镓，曾有报道称，一片2英寸的氮化镓晶片，可以生产出1万盏亮度为节能灯10倍、发光效率为节能灯3～4倍、寿命为节能灯10倍的高亮度LED照明灯；也可以制造出5000个平均售价在100美元左右的蓝光激光器；还可以被应用在电力电子器件上，使系统能耗降低30%以上。
由于碳化硅和氮化镓的晶格失配小，碳化硅单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管、金氧半场效晶体管等器件的理想衬底材料。物理所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究组（功能晶体研究与应用中心）长期从事碳化硅单晶生长研究工作。
美国在碳化硅晶片技术上遥遥领先，广泛应用于F-22等先进武器。（资料图）
美国在碳化硅晶片技术上遥遥领先，广泛应用于F-22等先进武器。（资料图）
大尺寸晶片的突围
虽然用于氮化镓生长最理想的衬底是氮化镓单晶材料，该材料不仅可以提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，还能提高器件工作寿命、工作电流密度和发光效率。但是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。
为此，科研人员在其他衬底（如碳化硅）上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。尽管以氮化镓厚膜为衬底的外延，相比在碳化硅材料上外延的氮化镓薄膜，位元错密度要明显低，但价格昂贵。
于是，陈小龙团队选择了碳化硅单晶衬底研究。他指出，碳化硅单晶衬底有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但也有不足，如价格太高。
早年，全球市场上碳化硅晶片价格十分昂贵，一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格曾高达500美元（2006年），但仍供不应求。高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的10%以上，“碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。”陈小龙说。
为了降低器件成本，下游产业对碳化硅单晶衬底提出了大尺寸的要求。因而，采用先进的碳化硅晶体生长技术，实现规模化生产，降低碳化硅晶片生产成本，将促进第三代半导体产业的迅猛发展，拓展市场需求。
天科合达成立于2006年，依托于陈小龙研究团队中在碳化硅领域的研究成果。自成立以来，天科合达研发出碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术及专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线。
这些年来，天科合达致力于提高碳化硅晶体的质量，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片。

美国最大的石墨烯公司5000万美元市值，最大的碳化硅晶片公司已经超过50亿美元市值，谁牛逼？

新能源终将成为主流。

http://site.china.cn/pudong/carbosinosh.html
600509 子公司官网查看企业介绍

北京天科合达蓝光半导体有限公司
北京天科合达蓝光半导体有限公司是由中科院物理所，上海汇合达投资管理公司和新加坡吉星蓝光科技有限公司共同投资，集三方股东在技术、资金、管理和市场等方面的优势，于2006年9月成立了国内第一家专业致力于第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司在国家相关部门的研究资金的大力支持下，经过多年卓有成效的研究，公司研发拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长技术和晶片加工技术，在国内首次建立了一条完整的从晶体生长，晶体切割、研磨到化学机械抛光的碳化硅晶片生产线，并建立了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理、清洗、封装等工艺技术。
公司名称
北京天科合达蓝光半导体有限公司
总部地点
北京
经营范围
半导体
公司性质
私企
公司简介
公司概况
公司拥有实力雄厚的技术团队，将致力于不断提高碳化硅晶体的质量和成品率，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将最先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片，促进中国宽禁带半导体产业和固体照明产业的发展，成为全球碳化硅半导体的主要生产商之一。
组织结构
公司目前拥有两家子公司：
新疆天科合达蓝光半导体有限公司——碳化硅晶体生长基地
苏州天科合达蓝光半导体有限公司——碳化硅晶片加工基地
新疆天科合达蓝光半导体有限公司是由北京天科合达蓝光半导体有限公司投资组建，致力于第三代半导体材料碳化硅晶体生长质量的优化和晶体生长良率的提高。公司凭借拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长技术和晶片加工技术，在新疆石河子市天富高新科技园区建立了晶体生长基地，以先进的碳化硅晶体生长技术不断扩大碳化硅晶体的生产规模，推动碳化硅产业的发展进程，力争成为碳化硅晶体生长基地带头人。
苏州天科合达蓝光半导体有限公司是由北京天科合达蓝光半导体有限公司投资组建，致力于第三代半导体材料碳化硅晶片加工产业化。公司凭借拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长技术和晶片加工技术，在苏州高新科技城建立晶体切割、研磨、化学机械抛光碳化硅晶体的加工生产线，将先进的碳化硅晶片加工技术产业化，大规模加工具有自主知识产权的碳化硅晶片。
地址
北京中关村东路66号院1号世纪科贸大厦20层B2005

600509 :天富能源天科合达申请改制成为股份有限公司
来源：同花顺金融研究中心 2015-10-20 09:16:03
　　2015年10月16日新疆天富能源股份有限公司（下称“公司”）披露了《新疆天富能源股份有限公司第五届董事会第十次会议决议公告》（公告编号：2015-临076），现对此公告中“关于天科合达申请改制成为股份有限公司的议案”，公司补充披露如下：
　　我公司持有上海汇合达投资管理有限公司100%的股份，上海汇合达投资管理有限公司持有北京天科合达蓝光半导体有限公司27.06%的股份。

[引用原文已无法访问]

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