半导体板块酝酿出的中晶科技

一、事件

据中国半导体行业协会公告，“中国集成电路设计业2022年会”（ICCAD 2022）将在12月26日-27日举办。

此外，第3届第三代半导体论坛于12月28日在苏州召开。

资料显示，中国集成电路设计业年会（ICCAD）作为最具影响力的行业重要活动之一，本次年会以“湾区有你，芯向未来”为主题，将深入探讨集成电路产业，特别是集成电路设计业面临的机遇和挑战；提升创新能力，增强中国集成电路产业链的综合能力，以满足市场的需求和提高国际竞争力。

而第三代半导体论坛上，据悉，多家国内外龙头企业将会参会，论坛将重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展，并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。

资料显示，第三代半导体主要包括氮化镓和碳化硅，和
Si、GaAs等第一、二代半导体材料相比，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）拥有击穿电压高、禁带宽、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移率高等优点，是制作高频、高温、抗辐射器件的优异材料。

从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SIC SBD器件中，衬底价值量占比达到47%。银河证券认为，衬底价格下降是推动碳化硅产业 链发展的核心环节，衬底行业的发展也是未来SiC产业降本增效和商业化落地的核心驱动因素。

从市场空间看，据Yole数据，预计2027年市场空间将超过60亿美元，仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，GAGR达到34%，从细分行业需求来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。

二、历史龙头大涨

在会议催化方面，今年4月，工信部发布《工业互联网专项工作组2022年工作计划》，明确今年将打造“5G+工业互联网”升级版，推进企业内网改造升级并加快企业外网建设。受此驱动，次日工业互联网概念强势拉升，维宏股份 盘中20cm涨停。

三、相关公司

国泰君安 表示，从科技发展历程来看，当下快充设备、5G、新能源汽车等新兴行业的发展叠加国家对“碳达峰、碳中和”的要求促进了第三代半导体材料需求的快速增长。国家将“集成电路领域要取得碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的发展”写进了“十四五规划”，未来该领域将是我国突破美国科技封锁，实现弯道超车的重要方向。

1）SiC产业链企业
SiC产业链包括上游的SiC晶片和外延；中游的功率器件制造(设计、制造、封装);以及下游在工业控制、新能源车 、光伏风电等领域的应用。

目前全球的SiC产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。但由于SiC功率器件市场渗透率较低，增速较快，目前行业内企业还处于跑马圈地阶段市场竞争格局存在不确定性，国内厂商有望在未来的增量市场中获得一定份额。

2）GaN产业链企业

氮化铵GaN产业链的上游主要为原材料衬底制备，国内企业包括天科合达和山东天岳；中游为制造环节(外延片一设计一制造/DM一封测),国内有三安光电 、海特高新 等少数企业，海外龙头有日本住友、Qorvo、Cree,中国台湾有稳懋、寰宇；下游为应用环节，氮化家GaN主要应用于射频、汽车电子和光电领域。
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