黑磷与摩尔定律

今日刘副召集科技创新会议，专门研究后摩尔定律时代的高科技半导体 材料的颠覆性技术

科研人员研发出黑磷晶体管 功耗降低上万倍
据报道，韩国KAIST大学物理系的科研人员开发出可控厚度的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相对传统半导体（CMOS）晶体管，该晶体管的功耗低10倍，待机功耗低10000倍。该研究小组表示，他们研发的黑磷TFET实现了创纪录的高通 态电流，这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运行，并且功耗更低。
晶体管的不断缩小一直是当前信息技术 成功发展的关键。然而，随着摩尔定律因功耗增加而达到极限，迫切需要开发新的替代晶体管设计。业内人士表示，黑磷晶体管已更快的运行速度和更低的功耗，可以取代传统的CMOS晶体管。特别是，他们解决了晶体管运行性能和功耗关系的两难问题，为扩展摩尔定律铺平了道路。