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英唐智控转型升级之路第二季

20-12-08 09:12 3418次浏览
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英唐智控转型升级之路第二季(一)原创再现荣耀$英唐智控(sz300131)$郑重英唐智控转型升级之路第二季(一)

原创 再现荣耀
$英唐智控(sz300131)$ 郑重声明:本文是个人操作日记,不构成投资建议!文中所有观点,仅代表个人立场以及个人操作,不具有任何指导作用!据此操作,风险自负
周五晚间英唐智控发布了一则公告:公司与中天弘宇集成电路有限责任公司、中宇天智集成电路(上海)有限公司签署了《合作协议书》,就拟后续在芯片 相关领域的业务开展达成合作意向,建立战略合作伙伴关系。协议具体内容就是整合三家公司的资源结合互补,加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。
那么与英唐智控战略合作的两个公司到底是什么来头呢。从下篇文章可以一探究竟。
中天弘宇&中宇天智:十余年研发攻克核心技术难点,为NOR闪存注入新动力
闪存是当今存储的重要介质之一。作为主流的闪存体系之一,NOR的市场份额却远无法与NAND相提并论,如今仍陷于成本高、存储密度小、面积大等一系列缺陷,应用场景和市场份额难以得到扩展。
创新NOR发明人、中天弘宇集成电路有限责任公司首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累,带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新,解决了NOR闪存成本高、容量小等普遍缺陷,使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2,打开了未被开发的高密度存储市场。
在12月17日的东京“中日闪存技术交流会”上,中天弘宇集成电路有限责任公司(以下简称:中天弘宇)和中宇天智集成电路(上海)有限公司(以下简称:中宇天智)带来了潜心研发十余年的首项成果——嵌入式NOR闪存。
本次“中日闪存技术交流会”邀请到日本众议院议员、前环境大臣原田义昭,日本经济产业省前审议官、日本中小企业协会前会长井出亚夫,日本瑞穗证券董事长中村康佐,日本贵弥功株式会社董事长内山郁夫,中国政府驻日本大使馆商务处、科技处相关领导,中智科学技术评价研究中心主任李闽榕等重要嘉宾。NOR Flash发明人、原Intel副总裁Stefan Lai博士,DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义等闪存界的知名专家学者出席交流会并发表演讲。
市场份额止跌回升 重要性被重新定义
NAND和NOR是闪存芯片的两大体系,分别于1984年和1983年诞生在东芝公司和英特尔 公司。30年过后,NAND的制程工艺得到快速演进,目前已实现了3D工艺,可量产的最小制程已达14nm,成本也在不断降低,市场份额已占据整个闪存市场的90%以上。
而NOR闪存自发明以来,只延续摩尔定律发展了十代,于2005年遇到了重大技术瓶颈。NOR闪存发明人、英特尔前副总裁Stefan Lai博士坦言,NOR闪存芯片曾经达到了50亿美金的市场份额。但由于穿通效应的存在导致了传统结构的NOR无法使用更先进的工艺制程,难以突破90nm栅极长度的技术瓶颈,因此,现在市场在售的NOR普遍具有面积大、成本高、容量小等缺陷,市场份额仅剩6%。如今,三星、美光等巨头企业已经逐步退出NOR市场。
就在业内普遍唱衰NOR闪存时,新的行业机遇正悄然光顾。DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义在交流会上指出,自动驾驶、工业机器人物联网、AI等新兴技术的发展,对存储器提出了更高要求。虽然NAND的价格低廉,但可靠性、读取速度和抗高温性强都较差,很难在未来体量日趋增长的自动驾驶、工业机器人等领域实现应用。“未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开,NOR有了更多机会”中岛盛义说。
受益于全新应用场景对需求的拉动,NOR闪存原有的存量市场被带动了起来,一批NOR闪存厂商,如中国台湾的旺宏、华邦,以及中国大陆的兆易创新 等迅速崛起。集邦咨询数据显示,NOR闪存价格在2019年第三季度开始止跌回升,从旺宏、华邦和兆易的营收增长也能开出这一趋势,NOR闪存市场已经进入上行周期。
赛迪顾问 集成电路产业研究中心分析师杨俊刚在谈及NOR闪存产业时指出,尽管传统的NOR闪存厂商初步尝到了产业扩张、应用升级带来的甜头,但目前市面的产品仍然无法摆脱面积大、成本高、容量小等固有缺陷,推动NOR闪存应用发展仍有一定阻碍,只是在无法替换的关键环节(如BIOS、快速代码执行等)才不得不使用。
因此,谁能尽早突破NOR闪存的技术瓶颈、降低成本,谁就有机会拓展出更多高密度闪存应用市场,进而改写闪存市场格局。
十余年创新 颠覆传统技术
创新NOR发明人、中天弘宇首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累,带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。据王立中博士介绍,他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构,但又与英特尔原始的NOR完全不同,提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案,即在不影响cell速度特性的基础上,使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作;通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。
这样一来,创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题,使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2,且成本有望缩减为现有产品的十分之一,摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场,开拓出一片全新的应用领域。
成功流片后,他们基于4F2 NOR闪存的创新技术,率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片,它也非常适合嵌入到MCU中。”Stefan Lai博士说,“从现阶段的需求量来看,嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场,特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。”
王立中博士表示,驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中,自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”,创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法,并在纳秒内发出防碰撞动作指令,确保车辆安全。
把握市场还需找对应用突破口
中日闪存技术交流会上,中天弘宇&中宇天智的嵌入式NOR存储器得到了业内知名厂商、专家学者的广泛认可。
在Stefan Lai博士看来,新技术的成功问世,需要市场来接纳产品,这通常需要花上好几年的时间,目前要下大力气打造迎合市场的高性能产品让其他厂商都参与进来。这也恰恰是中天弘宇&中宇天智将技术首先带到日本推广的原因。
中国电子 商会会长王宁指出,日本是闪存的诞生之地,也是掌握世界先进存储技术的重要国家之一,而中国是存储器最大的需求国,中日两国就闪存技术进行交流,定能促进中日两国闪存产业的深度合作和优势互补。
据王立中博士介绍,中天弘宇&中宇天智是国内为数不多的用国产存储芯片技术打通日本应用市场的企业。日本在集成电路行业具有强大的研发工艺和应用推广优势,此次交流是希望利用日本市场打开嵌入式存储芯片的应用空间,同时推动器件向更小制程持续进取。
未完待续
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手工业者

20-12-08 09:32

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牛小柒发表于 2020-12-07 21:38:38 东方财富Android版
英唐智控转型升级之路之二谨转载此文以供娱乐原创 再现荣耀
郑重声明:本文是个人操作日记,不构成投资建议!文中所有观点,仅代表个人立场以及个人操作,不具有任何指导作用!据此操作,风险自负
周五晚间英唐智控发布了一则公告:公司与中天弘宇集成电路有限责任公司、中宇天智集成电路(上海)有限公司签署了《合作协议书》,就拟后续在芯片相关领域的业务开展达成合作意向,建立战略合作伙伴关系。协议具体内容就是整合三家公司的资源结合互补,加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。

那么与英唐智控战略合作的两个公司到底是什么来头呢。从下篇文章可以一探究竟。


中天弘宇&中宇天智:十余年研发攻克核心技术难点,为NOR闪存注入新动力

闪存是当今存储的重要介质之一。作为主流的闪存体系之一,NOR的市场份额却远无法与NAND相提并论,如今仍陷于成本高、存储密度小、面积大等一系列缺陷,应用场景和市场份额难以得到扩展。
创新NOR发明人、中天弘宇集成电路有限责任公司首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累,带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新,解决了NOR闪存成本高、容量小等普遍缺陷,使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2,打开了未被开发的高密度存储市场。

在12月17日的东京“中日闪存技术交流会”上,中天弘宇集成电路有限责任公司(以下简称:中天弘宇)和中宇天智集成电路(上海)有限公司(以下简称:中宇天智)带来了潜心研发十余年的首项成果——嵌入式NOR闪存
本次“中日闪存技术交流会”邀请到日本众议院议员、前环境大臣原田义昭,日本经济产业省前审议官、日本中小企业协会前会长井出亚夫,日本瑞穗证券董事长中村康佐,日本贵弥功株式会社董事长内山郁夫,中国政府驻日本大使馆商务处、科技处相关领导,中智科学技术评价研究中心主任李闽榕等重要嘉宾。NOR Flash发明人、原Intel副总裁Stefan Lai博士,DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义等闪存界的知名专家学者出席交流会并发表演讲。


市场份额止跌回升 重要性被重新定义
NAND和NOR是闪存芯片的两大体系,分别于1984年和1983年诞生在东芝公司和英特尔公司。30年过后,NAND的制程工艺得到快速演进,目前已实现了3D工艺,可量产的最小制程已达14nm,成本也在不断降低,市场份额已占据整个闪存市场的90%以上。
而NOR闪存自发明以来,只延续摩尔定律发展了十代,于2005年遇到了重大技术瓶颈。NOR闪存发明人、英特尔前副总裁Stefan Lai博士坦言,NOR闪存芯片曾经达到了50亿美金的市场份额。但由于穿通效应的存在导致了传统结构的NOR无法使用更先进的工艺制程,难以突破90nm栅极长度的技术瓶颈,因此,现在市场在售的NOR普遍具有面积大、成本高、容量小等缺陷,市场份额仅剩6%。如今,三星、美光等巨头企业已经逐步退出NOR市场。

就在业内普遍唱衰NOR闪存时,新的行业机遇正悄然光顾。DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义在交流会上指出,自动驾驶、工业机器人物联网、AI等新兴技术的发展,对存储器提出了更高要求。虽然NAND的价格低廉,但可靠性、读取速度和抗高温性强都较差,很难在未来体量日趋增长的自动驾驶、工业机器人等领域实现应用。“未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开,NOR有了更多机会”中岛盛义说。
受益于全新应用场景对需求的拉动,NOR闪存原有的存量市场被带动了起来,一批NOR闪存厂商,如中国台湾的旺宏、华邦,以及中国大陆的兆易创新等迅速崛起。集邦咨询数据显示,NOR闪存价格在2019年第三季度开始止跌回升,从旺宏、华邦和兆易的营收增长也能开出这一趋势,NOR闪存市场已经进入上行周期。
赛迪顾问集成电路产业研究中心分析师杨俊刚在谈及NOR闪存产业时指出,尽管传统的NOR闪存厂商初步尝到了产业扩张、应用升级带来的甜头,但目前市面的产品仍然无法摆脱面积大、成本高、容量小等固有缺陷,推动NOR闪存应用发展仍有一定阻碍,只是在无法替换的关键环节(如 BIOS 、快速代码执行等)才不得不使用。
因此,谁能尽早突破NOR闪存的技术瓶颈、降低成本,谁就有机会拓展出更多高密度闪存应用市场,进而改写闪存市场格局。
十余年创新 颠覆传统技术
创新NOR发明人、中天弘宇首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累,带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。据王立中博士介绍,他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构,但又与英特尔原始的NOR完全不同,提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案,即在不影响cell速度特性的基础上,使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作;通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。
这样一来,创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题,使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2,且成本有望缩减为现有产品的十分之一,摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场,开拓出一片全新的应用领域。
成功流片后,他们基于4F2 NOR闪存的创新技术,率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片,它也非常适合嵌入到MCU中。”Stefan Lai博士说,“从现阶段的需求量来看,嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场,特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。”
王立中博士表示,驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中,自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”,创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法,并在纳秒内发出防碰撞动作指令,确保车辆安全。
把握市场还需找对应用突破口
中日闪存技术交流会上,中天弘宇&中宇天智的嵌入式NOR存储器得到了业内知名厂商、专家学者的广泛认可。
在Stefan Lai博士看来,新技术的成功问世,需要市场来接纳产品,这通常需要花上好几年的时间,目前要下大力气打造迎合市场的高性能产品让其他厂商都参与进来。这也恰恰是中天弘宇&中宇天智将技术首先带到日本推广的原因。
中国电子商会会长王宁指出,日本是闪存的诞生之地,也是掌握世界先进存储技术的重要国家之一,而中国是存储器最大的需求国,中日两国就闪存技术进行交流,定能促进中日两国闪存产业的深度合作和优势互补。

据王立中博士介绍,中天弘宇&中宇天智是国内为数不多的用国产存储芯片技术打通日本应用市场的企业。日本在集成电路行业具有强大的研发工艺和应用推广优势,此次交流是希望利用日本市场打开嵌入式存储芯片的应用空间,同时推动器件向更小制程持续进取。

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“我们经过了十几年的研发积累,完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新。”中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生告诉记者。
中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生发表演讲
中天弘宇研究人员向记者介绍,闪存是当今数据存储的重要介质之一,主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展,相比于NAND技术的快速演进,NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前,因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。
“通过我们的架构设计完全可以让NOR闪存进入到65nm甚至28nm以下的工艺。” 中天弘宇研究人员告诉记者,相比于更适合大容量应用的NAND闪存,NOR闪存的读取速度要快得多,非常适合芯片内的存储应用,但限于工艺制程,NOR闪存的应用市场比起千亿级的NAND闪存要小得多,很多芯片内还在采用 DRAM +NAND的方式代替。中天弘宇的技术突破将让NOR闪存变得更具竞争力,通过取代DRAM+NAND的方式可以为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗,而后者现在已经成为芯片整体功耗中非常关键的一环。

上世纪八十年代,Dr. Stefan Lai发明了NOR,随后被产业化,但由于当时NOR无法继续缩小,发展陷入停滞。“我从来没有想过会有新的东西出现,这是对NOR Flash的颠覆性的发现,解决了很多问题。意义十分重大。”Dr. Stefan Lai告诉记者,“新一代NOR技术的出现,让我看到新的希望。”
如今,这家总部位于上海、专注于集成电路存储芯片领域的企业已拥有了43项国际专利,尚有20多项专利在申请中,构成较完整的知识产权体系。
“中国闪存”凭借着强大的性能和价格优势,拥有广阔的市场前景,不但可对现有使用传统NOR闪存的产品进行升级换代,还可以进入中低端功能手机、智能电视、机顶盒、国产平板等消费类智能等电子产品及汽车市场中。随着进一步研发及工艺的优化,新一代NOR闪存将触及NAND闪存的海量存储芯片市场,并将拓展至人工智能领域。
谈及未来,赵泾生表示,中天弘宇的三大目标,第一是让中国自主研制的存储芯片从无到有,第二是让存储芯片拥有完整的知识产权,第三是进一步完成NOR闪存向1X进军,向3D NOR发展,与产业链上下游厂商实现合作共赢。
实现量产后,中天弘宇&中宇天智接下来该如何让市场接纳新的产品?又该如何应对DRAM+NAND主流架构带来的行业挑战、协同产业链构建全新的NOR闪存生态?让我们拭目以待。

看完后再结合英唐智控2020年的一系列操作,结合张远的介入后果断收购日本英唐微(先锋微),各位看官看懂了吗。。。英唐微交集的可行性这不是一个存在PPT上的故事而是一项大胆的创新赌博。。。其实19年战略规划就已经在管理层的大脑和PPT上面运量了。。。1年后的今天落地了。。。英唐微改生产线协调日本技术研发人员和战略伙伴中天宏宇、中宇天智生产最新一代的嵌入式闪存NOR芯片并且在驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU上应用到下游自动驾驶、工业机器人、物联网、AI等领域。一部关于英唐智控企业生死存亡转型改革的大型系列连续剧开播第一季即将结束,进入第二季。。。。让我们作为参与的群众演员和观众一起见证最终的谜底。。。。
手工业者

20-12-08 09:20

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牛小柒 作者发表于 2020-12-08 06:16:01
英唐智控转型很热闹
事有是非
人有多空
求人问卜 不如自己做主
引述原创 再现荣耀 郑重声明:本文是个人操作日记,不构成投资建议!文中所有观点,仅代表个人立场以及个人操作,不具有任何指导作用!据此操作,风险自负
评论  1牛小柒 作者发表于 2020-12-08 06:06:31再现荣耀这篇析文写于数日之前,其人看法,分析有理有据,有始有终。转帖于此回应殇文,股票涨跌不知道,观点多空不论,客观评论最重要。评论  1
手工业者

20-12-08 09:17

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英唐智控转型升级之路第二季(二)原创再现荣耀(谨转载此文洗涤转型殇文)接(一)文英唐智控转型升级之路 第二季(二)
原创 再现荣耀
(谨转载此文洗涤转型殇文)
接(一)文
近日,首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览在上海召开。在RISC-V创新应用开发者论坛上,记者获悉,中天弘宇公司4F2 NOR Flash新一代闪存亮相,这款被命名为“中国闪存”的技术,突破了多年来困扰半导体NOR闪存领域的技术瓶颈,填补了国内空白,引起人们广泛关注。
“我们经过了十几年的研发积累,完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新。”中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生告诉记者。
中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生发表演讲
十余年创新之路 颠覆传统技术
中天弘宇研究人员向记者介绍,闪存是当今数据存储的重要介质之一,主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展,相比于NAND技术的快速演进,NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前,因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。
中天弘宇研究人员回忆到,2010年,因一位研究人员偶然接错了电路,研发团队便阴差阳错地开启了对NOR的创新之路。经过近十年研发,中天弘宇突破了多年来困扰半导体NOR闪存科技领域的技术瓶颈,最终完成4F2 NOR Flash闪存技术的研发,成为一家全面完整拥有4F2 NOR Flash闪存核心技术和知识产权的企业。
“通过我们的架构设计完全可以让NOR闪存进入到65nm甚至28nm以下的工艺。” 中天弘宇研究人员告诉记者,相比于更适合大容量应用的NAND闪存,NOR闪存的读取速度要快得多,非常适合芯片内的存储应用,但限于工艺制程,NOR闪存的应用市场比起千亿级的NAND闪存要小得多,很多芯片内还在采用 DRAM +NAND的方式代替。中天弘宇的技术突破将让NOR闪存变得更具竞争力,通过取代DRAM+NAND的方式可以为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗,而后者现在已经成为芯片整体功耗中非常关键的一环。
对于这项创新,NOR Flash发明人、英特尔前副总裁Dr. Stefan Lai认为,这是对他的NOR Flash的革命性创新。
赵泾生执行董事长代表中天弘宇给Dr. Stefan Lai 颁发首席技术顾问聘书
上世纪八十年代,Dr. Stefan Lai发明了NOR,随后被产业化,但由于当时NOR无法继续缩小,发展陷入停滞。“我从来没有想过会有新的东西出现,这是对NOR Flash的颠覆性的发现,解决了很多问题。意义十分重大。”Dr. Stefan Lai告诉记者,“新一代NOR技术的出现,让我看到新的希望。”
中国智造 提升我国芯片自主化水平
如今,这家总部位于上海、专注于集成电路存储芯片领域的企业已拥有了43项国际专利,尚有20多项专利在申请中,构成较完整的知识产权体系。
这项突破性的技术创新将会带来哪些产品的创新?赵泾生告诉记者,目前,中天弘宇已完成1MB NOR的硅验证,并成功流片,2017年开始运用在中天弘宇首颗MCU(微控制单元)产品的设计上,使芯片可在低至1V的电压下工作,低压、低功耗的特性使这款MUC在物联网等应用领域大有可为。
“中国闪存”凭借着强大的性能和价格优势,拥有广阔的市场前景,不但可对现有使用传统NOR闪存的产品进行升级换代,还可以进入中低端功能手机、智能电视、机顶盒、国产平板等消费类智能等电子产品及汽车市场中。随着进一步研发及工艺的优化,新一代NOR闪存将触及NAND闪存的海量存储芯片市场,并将拓展至人工智能领域。
“希望和上下游合作伙伴一起进行制造和工艺攻关,迈出中国闪存更大的一步,提升我国芯片自主化水平。”赵泾生告诉记者。
谈及未来,赵泾生表示,中天弘宇的三大目标,第一是让中国自主研制的存储芯片从无到有,第二是让存储芯片拥有完整的知识产权,第三是进一步完成NOR闪存向1X进军,向3D NOR发展,与产业链上下游厂商实现合作共赢。
实现量产后,中天弘宇&中宇天智接下来该如何让市场接纳新的产品?又该如何应对DRAM+NAND主流架构带来的行业挑战、协同产业链构建全新的NOR闪存生态?让我们拭目以待。
看完后再结合英唐智控2020年的一系列操作,结合张远的介入后果断收购日本英唐微(先锋微),各位看官看懂了吗。。。英唐微交集的可行性这不是一个存在PPT上的故事而是一项大胆的创新赌博。。。其实19年战略规划就已经在管理层的大脑和PPT上面运量了。。。1年后的今天落地了。。。英唐微改生产线协调日本技术研发人员和战略伙伴中天宏宇、中宇天智生产最新一代的嵌入式闪存NOR芯片并且在驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU上应用到下游自动驾驶、工业机器人、物联网、AI等领域。一部关于英唐智控企业生死存亡转型改革的大型系列连续剧开播第一季即将结束,进入第二季。。。。让我们作为参与的群众演员和观众一起见证最终的谜底。。。
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