英唐智控转型升级之路第二季

英唐智控转型升级之路第二季（一）原创再现荣耀$英唐智控(sz300131)$郑重英唐智控转型升级之路第二季（一）

原创 再现荣耀
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周五晚间英唐智控发布了一则公告：公司与中天弘宇集成电路有限责任公司、中宇天智集成电路（上海）有限公司签署了《合作协议书》，就拟后续在芯片 相关领域的业务开展达成合作意向，建立战略合作伙伴关系。协议具体内容就是整合三家公司的资源结合互补，加快新型闪存技术在电源管理芯片及其他相关产业的产业化进程。
那么与英唐智控战略合作的两个公司到底是什么来头呢。从下篇文章可以一探究竟。
中天弘宇&中宇天智：十余年研发攻克核心技术难点，为NOR闪存注入新动力
闪存是当今存储的重要介质之一。作为主流的闪存体系之一，NOR的市场份额却远无法与NAND相提并论，如今仍陷于成本高、存储密度小、面积大等一系列缺陷，应用场景和市场份额难以得到扩展。
创新NOR发明人、中天弘宇集成电路有限责任公司首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累，带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新，解决了NOR闪存成本高、容量小等普遍缺陷，使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2，打开了未被开发的高密度存储市场。
在12月17日的东京“中日闪存技术交流会”上，中天弘宇集成电路有限责任公司（以下简称：中天弘宇）和中宇天智集成电路（上海）有限公司（以下简称：中宇天智）带来了潜心研发十余年的首项成果——嵌入式NOR闪存。
本次“中日闪存技术交流会”邀请到日本众议院议员、前环境大臣原田义昭，日本经济产业省前审议官、日本中小企业协会前会长井出亚夫，日本瑞穗证券董事长中村康佐，日本贵弥功株式会社董事长内山郁夫，中国政府驻日本大使馆商务处、科技处相关领导，中智科学技术评价研究中心主任李闽榕等重要嘉宾。NOR Flash发明人、原Intel副总裁Stefan Lai博士，DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义等闪存界的知名专家学者出席交流会并发表演讲。
市场份额止跌回升 重要性被重新定义
NAND和NOR是闪存芯片的两大体系，分别于1984年和1983年诞生在东芝公司和英特尔 公司。30年过后，NAND的制程工艺得到快速演进，目前已实现了3D工艺，可量产的最小制程已达14nm，成本也在不断降低，市场份额已占据整个闪存市场的90%以上。
而NOR闪存自发明以来，只延续摩尔定律发展了十代，于2005年遇到了重大技术瓶颈。NOR闪存发明人、英特尔前副总裁Stefan Lai博士坦言，NOR闪存芯片曾经达到了50亿美金的市场份额。但由于穿通效应的存在导致了传统结构的NOR无法使用更先进的工艺制程，难以突破90nm栅极长度的技术瓶颈，因此，现在市场在售的NOR普遍具有面积大、成本高、容量小等缺陷，市场份额仅剩6%。如今，三星、美光等巨头企业已经逐步退出NOR市场。
就在业内普遍唱衰NOR闪存时，新的行业机遇正悄然光顾。DINOR闪存项目负责人、Pothos Semiconductor,Inc.CEO中岛盛义在交流会上指出，自动驾驶、工业机器人 、物联网、AI等新兴技术的发展，对存储器提出了更高要求。虽然NAND的价格低廉，但可靠性、读取速度和抗高温性强都较差，很难在未来体量日趋增长的自动驾驶、工业机器人等领域实现应用。“未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开，NOR有了更多机会”中岛盛义说。
受益于全新应用场景对需求的拉动，NOR闪存原有的存量市场被带动了起来，一批NOR闪存厂商，如中国台湾的旺宏、华邦，以及中国大陆的兆易创新 等迅速崛起。集邦咨询数据显示，NOR闪存价格在2019年第三季度开始止跌回升，从旺宏、华邦和兆易的营收增长也能开出这一趋势，NOR闪存市场已经进入上行周期。
赛迪顾问 集成电路产业研究中心分析师杨俊刚在谈及NOR闪存产业时指出，尽管传统的NOR闪存厂商初步尝到了产业扩张、应用升级带来的甜头，但目前市面的产品仍然无法摆脱面积大、成本高、容量小等固有缺陷，推动NOR闪存应用发展仍有一定阻碍，只是在无法替换的关键环节(如BIOS、快速代码执行等)才不得不使用。
因此，谁能尽早突破NOR闪存的技术瓶颈、降低成本，谁就有机会拓展出更多高密度闪存应用市场，进而改写闪存市场格局。
十余年创新 颠覆传统技术
创新NOR发明人、中天弘宇首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累，带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。据王立中博士介绍，他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构，但又与英特尔原始的NOR完全不同，提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案，即在不影响cell速度特性的基础上，使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作；通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。
这样一来，创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题，使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2，且成本有望缩减为现有产品的十分之一，摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场，开拓出一片全新的应用领域。
成功流片后，他们基于4F2 NOR闪存的创新技术，率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片，它也非常适合嵌入到MCU中。”Stefan Lai博士说，“从现阶段的需求量来看，嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场，特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。”
王立中博士表示，驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中，自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”，创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法，并在纳秒内发出防碰撞动作指令，确保车辆安全。
把握市场还需找对应用突破口
中日闪存技术交流会上，中天弘宇&中宇天智的嵌入式NOR存储器得到了业内知名厂商、专家学者的广泛认可。
在Stefan Lai博士看来，新技术的成功问世，需要市场来接纳产品，这通常需要花上好几年的时间，目前要下大力气打造迎合市场的高性能产品让其他厂商都参与进来。这也恰恰是中天弘宇&中宇天智将技术首先带到日本推广的原因。
中国电子 商会会长王宁指出，日本是闪存的诞生之地，也是掌握世界先进存储技术的重要国家之一，而中国是存储器最大的需求国，中日两国就闪存技术进行交流，定能促进中日两国闪存产业的深度合作和优势互补。
据王立中博士介绍，中天弘宇&中宇天智是国内为数不多的用国产存储芯片技术打通日本应用市场的企业。日本在集成电路行业具有强大的研发工艺和应用推广优势，此次交流是希望利用日本市场打开嵌入式存储芯片的应用空间，同时推动器件向更小制程持续进取。
未完待续