英唐智控转型升级之路第二季

携手中天弘宇布局Norflash，英唐的春天来了么
芯石、英唐微、中天弘宇手拉手一起玩…
英唐智控与中天弘宇一起玩NOR Flash
英唐智控与“中天弘宇”、“中宇天智”）签署了排他性的《合作协议书》。 以新型闪存技术在电源管理芯片上的产业化应用为开端，借助中天弘宇及中宇天智在新型闪存方面的自主知识产权设计研发能力、生产制造能力及相关专业技术经验，并结合英唐公司日本研发团队、上市公司平台优势和客户渠道资源，加快新型闪存技术的持续创新、产品的大规模应用及自主生产能力建设的进程。
自动驾驶、工业机器人、物联网、AI等新兴技术的发展，对存储器提出了更高要求。“未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开，NOR有了更多机会” 中天弘宇旗下研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构，但又与英特尔原始的NOR完全不同，提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案，即在不影响cell速度特性的基础上，使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作；通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。 创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题，使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2，且成本有望缩减为现有产品的十分之一，摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场，开拓出一片全新的应用领域。 基于4F2 NOR闪存的创新技术，率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片，它也非常适合嵌入到MCU中。” 嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场，特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。” 驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中，自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”，创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法，并在纳秒内发出防碰撞动作指令，确保车辆安全。
NOR Flash作为利基存储器的投资逻辑： 1、从市场属性看NOR Flash的特性决定了其重要性不可替代。 2、从产品制程看NOR Flash产业链：NOR Flash的制程都在45纳米及以上成熟制程，对于成熟制程，国产半导体产业链有足够的能力实现国产替代。 3、从供需格局看NOR Flash：NOR Flash的利基存储器属性决定了它在无线耳机、5G基站等多个领域内无可替代的火热需求，同时伴随晶圆厂的产能吃紧，以及部份产能转向逻辑芯片，NOR Flash未来的涨价确定性较强。
本文内容节选自方正证券研究所2021年发布的报告《存储芯片研究框架--NOR深度报告》 自行查阅吧

这是一位网友2020年3月份发表的对英唐智控的投资展望。 大家看看，也许有所收获。
胡庆周和张远博士及HulU美国半导体投资公司之间的关系，以及公司的发展方向及前景，现在看进展速度不及预期，但拉长时间看英唐智控老胡和张博士只要坚定的走下去，未来一定是国内第三代半导体全产业链龙头公司，什么士兰微、通富、露笑、芯源等公司，都无法可比。英唐智控第四届董事会第十八次会议审议通过了《关于签署<合作协议>的议案》，为贯彻并实施公司向上游半导体纵向延伸的战略布局，公司与 Chang York Yuan（“张远”）、G Tech Systems Group Inc.,（“GTSGI”）签署《合作协议》，在半导体投资、研发设计、生产制造等方面进行深度合作，根据《合作协议》，公司应于英唐微技术有限公司股权收购交割日起 30 天内受让上海芯石 10%-20%的股权。那个英唐微技术就是公司收购的那个有5台光刻机的日本先锋微技术公司，收购后现在已经改名为英唐微技术。该公司股权的交割日是10月16日完成的，已经发布过公告：2020 年 10 月 16 日，公司通过远程参与交割会议，授权摩根路易斯律师事务前往现场进行交割，完成了先锋微技术 100%股权的交割程序。
这次收购可以说是英唐智控进军第三代半导体战略的第一步，不仅仅是拥有了5台日本的光刻机，而且是拥有了一支人数超过 130 多人，且平均从业经验在12 年以上，具有丰富的技术沉淀的研发和工艺团队。更是拥有一条完整具备前工程、后工程能力的 6 寸晶圆生产线，具备从芯片产品设计、制样、生产、测试的一站式服务能力。这是英唐智控自 2019 年开启向上游半导体芯片领域延申的战略转型道路以来，逐步确立了以电子元器件渠道分销为基础，半导体设计与制造为核心的发展战略，并致力于成为半导体设计、制造及电子元器件分销的行业标杆。先锋微技术的收购完成，是公司战略转型升级以来，发展战略逐步落地实施的重要里程碑，其后公司将围绕第三代半导体器件产品持续开展产业布局，逐步实现从设计、制造到销售的全产业链条。先锋微技术长期沉淀下来的技术团队、知识产权、产品设备及行业经验，将帮助公司缩短这一战略目标实现的进程，对公司发展具有重要意义。
那么根据公告30天后的今天应该是收购上海芯石的最后一天。之所以今天才公布是因为要确保这次的被收购方上海芯石的实控人张远先拥有英唐智控的股份，而确保的前提就是上周四的公司临时股东大会顺利通过公司的《2020年限制性股权激励计划》。谈谈这份股权激励计划，在这份股权激励计划中，张远先生的大名赫然在列，并且名列其他核心管理人员的第一位，个人预估他应该持股在300万到500万之间。（个人预估张远500万股，张光剑300万股，其他人员合计170万股。推测依据：核心管理人员56人合计受股970万，类比董秘作为董事只有80万股，排第三的证代李昊受股应远远小于董秘，后面53人更少，除张远和另一位投资人张光剑外其他人不会超过200万股）。天下熙熙，皆为利来。只有让张远先能够低价拥有公司大量股份在前，12日通过；才能确保后面的收购上海芯石的顺利执行，16日公告。更何况前期收购日本先锋微也是靠的张远出钱出力和牵线搭桥的运作，那可是英唐智控进军第三代半导体的第一波，虽然饱受争议，但是已经完美实现。张远现在不仅在改名后的英唐微任董事长，这次也终于名正言顺地持有了不少的英唐智控的股份，成为了英唐智控的一员。再谈一下另外一位张光剑，此人以前做过鹏博士北京公司的老总，和张远以及英唐智控的老板胡庆周等早在2019年初就一起组建了深圳市子沣投资咨询有限公司，这家公司还拥有着英唐智控的子公司英唐智芯的15%股份。这也从侧面说明主角张远和英唐老板胡庆周早在收购日本先锋微之前就已是老相识了，并不是生人。同时张光剑还和胡庆周等刚刚一同组建了深圳市鲲鹏数据技术有限公司，并在这两家公司中担任法人和总经理，可以说张光剑和英唐的胡老板在投资上是如影随形，更像是胡的投资代理人。
刚才话题扯的有点远了，再说说为何说这份公告是远远超出预期？这是因为在公告中英唐智控宣布拟通过股权转让或增资的方式（以最终协议约定为准）取得标的公司 40%股权并成为第一大股东。而原来的并购计划中只是根据《合作协议》，公司应于英唐微技术有限公司股权收购交割日起 30 天内受让上海芯石 10%-20%的股权。收购的股份从原来的百分之10%-20%一下子增加到现在的40%，收购占比从原来的预计第四股东也一跃成为明确的第一大股东，这就是明显地超出了原来公告的预期和投资者的预期，彰显了英唐智控要彻底转型向第三代半导体进军的勃勃雄心。
这次收购是英唐智控的战略第二步，正如公司公告所述公司完成对英唐微技术 100%股权收购的交割工作后，正在持续推进对英唐微技术现有的技术、产品及产线的深入了解、对接和融合，努力发挥和挖掘英唐微技术的潜能及其所处日本半导体产业核心区域的位置优势，为实施公司向上游半导体纵向延伸战略提供有力的抓手。公司围绕第三代半导体器件产品持续开展产业布局，将逐步实现从设计、制造到销售的全产业链条。上海芯石的技术储备和行业经验是继英唐微技术后，公司逐步完善半导体芯片，特别是第三代半导体设计、制造及销售全产业链条的重要抓手，对其收购控股，将可以极大的保障上海芯石在第三代半导体领域的技术、行业优势全面快速的转化为公司自身优势，并最大限度的服务于公司整体战略目标的实现。
通过这两次收购，我们已经知道了英唐智控第三代半导体战略的第一步和第二步，那么英唐智控的战略第三步在哪里呢？其实在英唐智控和张远先生3月3日的《合作协议》公告中已经明确说明了其战略三步走的第一步、第二步和第三步，第三步就是在中国选择符合半导体产业发展的城市投资设立新公司，这就是答案所在。
但是这个战略第三步如何实现，还是在一个人身上，那就还是张远。张远和他妻子黄乐平一起在美国创立了GTSGI通用系统集成公司。其业务领域扩展到电子、通信、半导体等多元化领域。其在该领域的业务主要涉及各种电子厂的整厂输出和转移、包括各种系统、设计中心、生产设备、辅助设备以及相关技术和产品。近年来，组 建了研发半导体功率器件高端产品团队，并筹建第三代半导体 SiC 产线。在国内主要是通过北京吉泰科源科技有限公司来完成的，他的代为持股人是施振飞及HuLU公司。
作为北京吉泰科源的实控人，张远不仅是英唐智控要收购的上海芯石半导体的实控人，还是上海芯泳半导体的实控人，上海芯泳半导体就是实现这第三步战略的关键。
上海5G产业生态创新论坛暨金桥5G产业生态金海园开园仪式上，签约了上海芯泳半导体有限公司第三代氮化镓材料及5G射频器件项目，该项目由中科院赵连城院士和董绍明院士领衔，全力突破我国宽禁带材料和5G射频器件“卡脖子”环节，总投资额约20亿元，收购上海芯泳半导体有限公司第三代氮化镓材料及5G射频器件项目，20亿，上海，2位院士领衔。
上海芯泳半导体有限公司第三代氮化镓材料及5G射频器件项目，20亿，上海，2位院士领衔。这个项目和《合作公告》中所说的第三步如此之吻合，严丝合缝，简直就是为其所设：先锋微股权交割后在国内选择符合半导体产业 。

英唐智控完成控股上海芯石 进一步向新领域转型来源：证券日报网

5月6日，英唐智控发布公告称，上海芯石在4月30日召开临时股东大会审议通过了关于董事会、监事会提前换届选举并修订其公司章程的相关事项，英唐智控作为第一大股东已拥有过半数董事会席位，实现对上海芯石的控股。

公告表示，上述事项的完成，是继完成对英唐微技术的收购后，公司半导体转型升级战略整体布局的进一步落地。公司表示，将积极推进后续的资源对接及整合工作，与上海芯石在功率半导体器件及第三代半导体领域开展人才、技术、产品和资金的全方位深度合作，以推动上海芯石规模的快速增长，实现双方的合作共赢。

根据英唐智控此前公告，上海芯石是国内领先的半导体功率器件研发、设计与销售企业，已有十几年研发经验，引入了多名具备丰富学术理论知识和国际产业经验的顾问，并和国内高校的研发团队达成了技术合作，具备多项硅基、碳化硅基的产品专利。

值得一提的是，近年来，新能源汽车、消费电子、工业自动化等领域的发展带动了功率半导体产品的升级。Omida数据预计，至2024年全球功率器件市场规模将增长至524亿美元，年化增速为5.3%。分地区看，中国是世界最大功率半导体消费国，2018年占全球需求比例高达35%；2021年，我国的功率半导体市场规模有望达到159亿美元。

英唐智控曾在互动平台表示，上海芯石目前已经实现硅基产品，包括SBD、 FRED 、MOSFET、ESD、TVS等在内的批量销售，同时IGBT产品也已进入工程验证阶段。在SiC等第三代半导体功率器件领域，上海芯石已实现SiC-SBD产品的批量销售，并正在进行SiC-MOSFET产品的开发，同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件的产品研发。

据介绍，上述产品实现了对当前半导体功率器件市场主要产品类别的覆盖，其中MOSFET、IGBT产品得益于新能源车、光伏新能源等领域的爆发式需求，将成为未来各类功率半导体产品中增长最强劲的产品，各自市场空间均有望超过60亿美元。而SiC及GaN器件随着产业技术的成熟，应用领域越发广泛，除了传统的光伏逆变以及新能源汽车领域，消费电子以及数据中心等商业电源市场也成为新的增长点。

此外，英唐智控也曾在此前公告中表示，通过对日本半导体IDM企业英唐微技术和国内研发设计企业上海芯石的收购，公司将初步具备在半导体设计、制造方面的能力，结合其原有客户及渠道资源，其在半导体芯片领域将完成研发、制造、销售的全产业链条的初步搭建。
（文章来源：证券日报网）

中国闪存 China flash （碎片信息整理，等待验证） 自动驾驶、工业机器人、物联网、AI等新兴技术的发展，对存储器提出了更高要求。NAND的可靠性、读取速度和抗高温性强都较差，很难在未来体量日趋增长的自动驾驶、工业机器人等领域实现应用。 “未来的存储器市场还是围绕读取速度快、大容量、高可靠性的闪存芯片展开，NOR有了更多机会”。 受益于全新应用场景对需求的拉动，NOR闪存原有的存量市场被带动了起来，一批NOR闪存厂商，如中国台湾的旺宏、华邦，以及中国大陆的兆易创新等迅速崛起。 集邦咨询数据显示，NOR闪存价格在2019年第三季度开始止跌回升，从旺宏、华邦和兆易的营收增长也能开出这一趋势，NOR闪存市场已经进入上行周期。 中国闪存 China flash 中国闪存 China flash 中国闪存 China flash 中国闪存 与英唐智控签署排他合作协议的中天弘宇，其4F2NOR Flash新一代闪存——这款被命名为“中国闪存”的技术，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，突破多年来困扰半导体NOR闪存领域的技术瓶颈。 中天弘宇完成4F2NOR Flash闪存技术的研发，成为一家全面完整拥有4F2NOR Flash闪存核心技术和知识产权的企业。 中天弘宇已成功流片，运用在中天弘宇首颗MCU（微控制单元）产品的设计上，使芯片可在低至1V的电压下工作，低压、低功耗的特性在众多应用领域大有可为。 创新 颠覆传统技术 创新NOR发明人、中天弘宇首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累，带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新。据王立中博士介绍，他们的NOR闪存架构沿用了整个NOR的架构，但又与英特尔原始的NOR完全不同，提出了一个“非接触式虚地”的更简洁的设计方案，即在不影响cell速度特性的基础上，使“侧墙位线”通过最小尺寸浅沟槽自对准工艺进行制作；通过扭曲场氧化区来限制“侧墙位线”的长度,这种方式可以在保持最小cell面积的前提下, 在一个金属线宽度内分别独立选取两个相邻的埋位线。 创新后的架构可以解决NOR闪存栅极不能缩短至90nm以下的技术难题，使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2，且成本有望缩减为现有产品的十分之一，摩尔定律可以继续在该产品上得以体现。自此打开了未被开发的高密度存储市场，开拓出一片全新的应用领域。 成功流片后，基于4F2 NOR闪存的创新技术，率先推出了一款嵌入式NOR闪存。“NOR闪存非常适用于程序存储和快速读取。除了单机内存芯片，它也非常适合嵌入到MCU中。” “从现阶段的需求量来看，嵌入式NOR闪存将迎来最大的应用市场，特别是低于1伏电压的解决方案对于低功耗的物联网设备尤其有吸引力。” 驱动IC、电源IC、嵌入式触控控制IC和MCU都非常适合嵌入式NOR闪存来提高现有性能。其中，自动驾驶的防碰撞系统是重要的“用武之地”，创新后的嵌入式NOR闪存芯片可稳定保存应急情况下的防碰撞策略算法，并在纳秒内发出防碰撞动作指令，确保车辆安全。 NOR Flash作为利基存储器的投资逻辑： 1、从市场属性看NOR Flash市场格局：NOR Flash在存储行业占比仅为1%，过小的市场容量决定了全球存储巨头美光、三星等逐渐退出该行业，但是NOR Flash的特性决定了其重要性不可替代。 2、从产品制程看NOR Flash产业链：NOR Flash的制程都在45纳米及以上成熟制程，对于成熟制程，国产半导体产业链有足够的能力实现国产替代。 3、从供需格局看NOR Flash：NOR Flash的利基存储器属性决定了它在无线耳机、5G基站等多个领域内无可替代的火热需求，同时伴随晶圆厂的产能吃紧，以及部份产能转向逻辑芯片，NOR Flash未来的涨价确定性较强，3月29日，NOR Flash大厂旺宏董事长在接受媒体时表示，因市场需求增加，产能供不应求，预计NOR Flash的缺货情况将持续2年之久。

人间四月芳菲尽，山寺桃花始盛开。

全球芯片短缺，究竟发生了什么，正经历哪些变局？中国芯片产业九问，基石资本最新详解
财联社（深圳，记者 杜芯）讯，进入2021年，芯片突然“一芯难求”。芯片紧缺已从汽车蔓延至手机、游戏等领域，在汽车领域，数据公司IHS Markit表示，芯片短缺可能导致第一季度全球减产近100万辆轻型车辆；在手机领域，苹果、高通、三星等行业领袖则纷纷发出警告，目前芯片已经难以满足市场需求。
中国台湾经济部门甚至收到了来自美国、德国、日本、欧盟增加芯片供给的请求，同时，美国半导体工业协会（SIA）也与英特尔、高通和AMD等大型芯片公司共同致信美国总统拜登，希望美国提供以百亿美元计的补贴发展美国芯片先进制程制造能力。然而在全球芯片代工老大台积电的芯片生产线已经满载的情况下，短时间内这场“缺芯”危机恐怕难以解决。
自2018年中兴、华为事件以来，半导体产业就一直是中国之痛。
而在资本市场上，芯片股成了当红炸子鸡，核心股票普遍涨幅都在10倍左右。
在冰冷的现实与火热的二级市场相交织的关键时刻，我们还有很多疑惑没有得到解答：为什么中国造得出原子弹，造不出光刻机？中国的半导体产业水平到底如何？中国如何面对和解决芯片卡脖子难题，能否赶上美国？目前芯片为何供不应求？如何看待半导体产业的投资机会……
日前，就上述问题，记者采访了基石资本合伙人、资深半导体专家杨胜君，以下为杨胜君先生的解读。
受访人介绍：杨胜君 基石资本合伙人
毕业于复旦大学和美国俄勒冈州立大学电子工程系，曾任职于锐迪科微电子，在半导体芯片行业有十多年产业经验。对科技领域有深刻的认知和丰富的投资经验。
杨胜君所在的基石资本拥有逾20年股权投资经验，累计资产管理规模逾500亿元。基石资本在半导体设计、制造、封装、测试等全产业链布局了大量头部公司，著名投资项目包括图像传感器芯片设计企业豪威科技（韦尔股份(304.280, -3.06, -1.00%)）和格科微、射频滤波器芯片厂商好达电子、芯片新兴封测公司甬矽电子等。
图片/基石资本合伙人杨胜君Q1：为何目前芯片突然供不应求，如何看待现在芯片行业的景气度？半导体产业未来的发展空间在哪里？如何看待第三代半导体产业的发展？
杨胜君：中国新一代芯片企业的成长机遇可以概括为两个方面，一是举国体制，包括国产替代，以及科创板与注册制等，近两年已多有提及；二是产业升级和新兴产业应用的涌现，大幅扩大了芯片市场。
具体来说，首先是产业升级大幅提高了芯片使用量。以手机产业为例，手机是目前半导体产业最大的应用领域，过去15年，得益于手机产业的大发展，半导体产业规模由2300多亿美金提高到了约4500亿美金，近乎翻倍。一方面，全球手机出货量已达到10亿级；另一方面，手机性能与功能的提升大幅推高了对芯片数量、性能和面积的需求，并要求芯片实现功能、功耗、性能、成本的全方位优化。更快的运行速度、更好的拍摄效果，都依赖于更多、更好的芯片，同时，芯片还需做好电源控制与功率控制，以平衡手机性能与电池容量的矛盾。
其次，人工智能、5G、IoT、新能源 汽车等新兴产业应用的涌现，开辟了新的芯片市场。新能源汽车是最受看好的应用。新能源车新四化（电动化、智能化、网联化、共享化）是汽车发展大趋势，其智慧驾驶、动力传动、车身控制、安全系统和娱乐设备等功能，都需要大量高级芯片，充电桩也需要芯片。车的功能越丰富，智慧驾驶技术越进步，对芯片的要求就越高。相比手机，新能源车的体量可能低一个数量级，但单价高出不只一个数量级，因此如果对其增长预测能够如期兑现，它将为半导体产业撑起万亿规模。
综上，当前中国的芯片产能非常紧缺，供应商资源成为国内外厂商的核心诉求。半导体产业短期内看不到掉头的可能性，至少两年之内看不到周期。产业链中的龙头企业或相对领先的企业都实现了快速增长，比如基石资本投资的韦尔股份（豪威科技），其利润2019年才4个亿，2020年已升至30多亿。
再说第三代半导体产业。首先，半导体产业对所使用材料的纯度和复杂性有极致的要求，因此材料在半导体产业中扮演了举足轻重的角色，半导体材料的水平是衡量一个国家精细化工产业水平的重要标志。
半导体行业的材料主要分为两类，一类是主材，如硅或化合物晶圆材料，另一类是辅材，如光刻胶。从国内半导体材料领域的产业积累来说，不管是主材还是辅材，跟美日等国外领先企业都有不小差距，像光刻胶就是国内半导体产业链的痛点。
从半导体产业的主材料体系发展历程来看，锗、硅等属于第一代，砷化镓、磷化铟等属于第二代，碳化硅、氮化镓属于第三代。
图片来源：基石资本 第三代半导体具备耐高温、耐高压、高功率，抗辐射等特点，适合制造微波射频、光电子、电力电子等器件，适用于高电压和高功率场景，是目前光伏、特高压输电、新能源汽车芯片控制材料的不二之选。
第三代半导体材料主要有三个优势：
一是速度更快，有助于提高芯片性能。第三代半导体采用宽禁带材料，关断时候的漏电电流更小，导通时候的导通阻抗更小，且寄生电容远远小于硅工艺材料，所以芯片运行速度更快，功耗消耗更低，待机时间更长。第三代半导体可以用较大的工艺节点达到硅材料先进节点的部分性能。
二是能量转换效率高，功率损耗小。以新能源汽车为例，福特汽车展示的数据显示，相比用传统硅芯片（如IGBT）驱动的电动汽车，用第三代半导体材料芯片（如特斯拉Model 3使用的SiC芯片）驱动的新能源汽车的能量耗损低5倍左右，由此大幅增加续航里程。从节能的角度考虑，一个大型数据中心机房一年的耗电相当于一个中等城市的用电量，如果采用第三代半导体芯片来控制电源，相比传统的硅芯片，将能省下大量电力。
三是可以承受更大的功率和更高的电压。第三代半导体可大幅提高产品的功率密度，适应更高功率、更高电压、更大电流的未来电动车的需要。
基于上述优点，新能源汽车、5G、人工智能及超大数据中心等新应用场景的打开，将给第三代半导体带来巨大的发展空间，催生上万亿元的潜在市场。更为重要的是，第三代半导体未来将在帮助人类普及新兴能源、发展清洁能源、实现碳中和这一伟大目标中发挥重大作用。
Q2：其次是一个普罗大众最疑惑的一个问题：中国连原子弹都可以造出来，却为什么造不出光刻机呢？
杨胜君：首先要纠正一个说法，中国并不是造不出光刻机，而是目前暂时造不出高端光刻机，比如上海微电子已经可以造出90nm制程的光刻机，而且据传其将在2021-2022年交付第一台28nm制程的光刻机，但这相比目前业界最领先的荷兰ASML公司的7nm甚至5nm EUV光刻机，还有很大的差距。现在最高端的旗舰手机的SOC芯片已经是5nm制程，28nm制程不能满足消费市场竞争的需求。
图：上海微电子SSA600/20光刻机及其技术参数 来源：上海微电子官网所以我们要讨论的不仅是能不能造，更是够不够好。
原子弹作为一个军事战略层面的话题，能不能造是核心。原子弹在实现了理论突破后，只要攻克了高浓度核原料和离心机等工程难点，就可以引爆，原子弹就算造出来了，它的战略威慑作用就达到了；至于原子弹的当量有多大、航程有多远、精度怎么样，都是够不够好的问题，可以留待以后慢慢解决，即它的技术迭代周期可能会更长。
但光刻机不一样，单是做出来是不够的，必须要足够好才有意义。除了国家军事安全，光刻机还事关全球化背景下的国家经济安全和商业竞争。半导体产业是一个“赢者通吃”的全球性行业，例如，在竞争最激烈的手机市场，如果竞争对手的旗舰手机SOC芯片采用的是最先进的7nm或5nm工艺制程，而你还在用14nm，那你的手机性能肯定会落后，就会丧失市场竞争力。就像现在Intel最新的电脑CPU已经是11代i7了，用i3处理器的电脑，不可能占领高端市场。所以，光刻机的性能要达到与业界最领先的竞争对手差不多的水平，才有竞争力，这意味着光刻机的技术迭代速度要远远高于原子弹的技术迭代速度，增加了光刻机的技术发展难度。
光刻机的技术到底难在哪里？难在它是横跨多个学科、产业的最顶级理论、技术与工艺的产物。光刻机被誉为“半导体皇冠上的明珠”，一台光刻机由十万多个部件组成，是集合了数学、化学、精密光学、流体力学、精密机械、自动化控制、软件工程、图像识别、电子电路等领域顶尖技术的产物。因此，光刻机制造依赖于各个学科的进步，只要其中一门学科出现瓶颈，就造不出来。
以制造工艺为例，光刻机最难的是它的精度控制，在纳米级的、极端精准度的要求下，平时很多忽略不计的细节都会成为难题，比如震动、光源频率、反光镜等，甚至连无尘室内的空气都要求比外面干净一万倍。曾有一位美国工程师表示，光刻机仅仅是一个零件调整的时间就长达数十年之久，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。当然，这位工程师的说法肯定有夸张成分在里面，但光刻机的精度控制可见一斑。
即使是一家独大的ASML，也无法独立制造光刻机，而是集成全球工艺，十多万个零件中90%都是众多先进的高科技术产业工厂所提供，比如光源系统采用美国的Cymer（已被ASML收购），镜头（光学系统）来自德国的蔡司等等。
中国正在解决上一代的90nm、28nm工艺制程，要发展到7nm、5nm，可能还需要5至10年或更长时间。未来一旦我们的高端光刻机做出来了，就意味着我们国家光刻机相关的所有基础科学都已出现重大突破，那我们整个配套的半导体及其相关产业也跻身全球顶级了。
Q3：要实现半导体产业的突破式发展，关键因素有哪些？
杨胜君：近半个世纪以来，半导体产业的发展主要受以下三大因素的影响：（1）理论和技术体系的建立；（2）工程师和企业家精神；（3）全球产业链。
首先说理论和技术体系。半导体是现代科学和工程技术体系的集大成者。从晶体管发明以来的70年间，经过数代杰出科学家和工程师的努力，半导体基础理论和技术体系已经完成，但是要将这些理论设计转变为制造，再到实现商业化，依然需要解决大量的次基础理论和技术。
半导体芯片是跨学科最广泛的技术领域，从基础物理、数学、化学等现代自然科学到信息论、控制论、通信理论等现代工程理论，再到材料工程、精细化工、光学工程、超精密机械、基础软件等现代工程技术，既需要掌握复杂的理论设计，也需要掌握复杂的工业制造，没有一个企业能单独掌握完整产业链。
相比起来，光伏、锂电池等产业之于集成电路芯片产业，技术体系相对简单，在理论设计、制造工艺、设备精度、材料要求等方面，存在数量级的差异，这些产业中国目前已经基本掌握。
其次是工程师和企业家精神。芯片行业过去几十年的进步更多是来自于杰出科学家和工程师的卓越贡献。
半导体是少见的有浓烈个人英雄色彩的行业，少数卓越的企业家扮演了非常关键的角色，甚至有“一将顶一师”之说，因为一个非常好的将帅，基本上就能把一项技术推进几代，最典型的就是中芯国际(58.400, 0.46,0.79%)的梁孟松先生，用了不到一年的时间就实现了中芯国际28nm工艺到14nm的跨越，并实现了14nm良率的大幅提升。
吊诡的是，半导体领域又恰恰是企业家精神比较缺乏的一个行业，Intel前CEO安迪·格鲁夫、台积电创始人张忠谋和英伟达创始人黄仁勋是芯片行业少有的伟大管理者和杰出企业家。
究其原因，主要是高智商技术天才大都自负，不尊重企业经营管理人才和商业化人才的价值，杰出科学家和工程师往往把自己的公司带向灾难和没落。
最典型的就是“晶体管之父”，诺奖得主威廉·肖克利。晶体管可以说是20世纪最伟大的技术发明，但肖克利的创业经历却是一片狼藉，因为不懂管理技巧和缺乏商业策略，他的肖克利半导体实验室成立不到一年，手下的八名顶级科学家们就选择自立门户，成立了仙童半导体公司。仙童半导体公司是大部分半导体公司之母，为美国培养了大量的半导体人才，如英特尔创始人罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔、AMD的创始人杰里·桑德斯等。
图片来源：网络 其三是全球产业链。芯片的成功和成熟需要大量的验证和出货，所以全球性的配套产业链是芯片产业发展的关键驱动力。
芯片技术的演进来自日积累月的迭代，而芯片行业的巨大研发费用和资本开支需要下游产业链长期、持续的利润支持，芯片的跨代发展更是来自于下游应用的强力驱动。比如，没有PC和互联网就没有Intel，而没有智能手机和移动互联网，也无法成就台积电；失去下游强劲增长的Intel，逐渐成为落后于产业发展的“牙膏厂”，如今市值也大幅被台积电和英伟达超越。
Q4：中国的半导体行业现在到底处于什么水平？从2018年到现在，除了得到资本市场的高期待外，实体层面中国芯片产业都发生了些什么？中国芯片产业有无进步？从定性的角度看，中国芯片能否、何时能赶上美国？
杨胜君：根据美国SIA的数据，近30年在芯片全球产业链中的占比，美国大概占50%上下，中国现在大概有5%，也就是10倍的差距。
全球芯片产业链占比
资料来源：WSTS，SIA， IHS Global， PWC 看完现状我们再看追赶速度。根据美国官方组织统计的美国上市公司数据，美国芯片上市公司2019年的研发投入和资本支出总计717亿美元，从1999年到2019年，美国芯片上市公司整体资金总投入将近9000亿美金。而中国国家大基金一期二期加起来也就3000亿人民币，差了一个数量级。
另一个数据更加震撼，美国芯片上市公司过去二十年的年均研发投入销售占比是16.4%，而中国芯片上市公司是8.3%，大概只有美国的一半。
由此可见，中国要完成对美国的超越，道阻且长。作为追赶者，我们必须要加大投入，才有可能后发居上。换一个角度看，美国在1894年GDP已经是世界第一了，但直到第二次世界大战后才成为科技第一，中国可能也需要这么一个过程。
近几年来，中国芯片产业的进步是有目共睹的，我们目前已经从中低端解决了有无问题，国产CPU已经在国内获得应用机会，未来将在此基础上，不断迭代、不断升级，从有到好；
从制造来说，中芯国际也取得了巨大进步，工艺制程从此前的28nm升级到了14nm，虽然台积电更快，但我们的进步是巨大的，如果没被光刻机卡住，我们肯定在7nm、5nm上实现了突破；目前中芯国际排全球第三名；
在半导体设备上，中微半导体、北方华创(198.200, -12.75, -6.04%)也实现了一定比例的国产替代；
在半导体材料上，8英寸、12英寸的晶圆硅片，也有了一定国产化比例；
而在少数芯片领域，国产厂商也开始进入全球中高端应用市场，如华为海思的麒麟手机芯片、豪威科技的图像传感器芯片等。
Q5：既然如此，中国要如何实现半导体产业的突破式发展？如何看待中国芯片产业的发展路径和国产替代的发展空间？
杨胜君：中国芯片产业要发展，有四个基本因素：一是资金，二是人才，三是时间，四是产业链支持。
随着国家政策支持力度不断加大，特别是科创板推出后，资金和人才的情况有了显著改善。巨大的财富效应吸引了大量的海外人才回归，很多当年留在美国的同学这两年纷纷回国创业。科创板的上市条件比以前更为宽松，只要做到一定规模就可以在科创板上市，这种快速的财富创造带来的财务自由诱惑是极大的。
时间是最难解决的问题，芯片的核心难点是没有捷径，只能依靠不断迭代，而一款芯片的研发周期是很长的，一般一年只能迭代两次，这就制约了我们的追赶速度。
还有一个非常关键却常被忽略的因素，就是市场。芯片的上下游产业链一定要打通，这是最关键的问题。
西方国家对中国半导体产业的限制和禁运早在瓦森纳协定中就已明确约定，并不是2017年中兴通讯(32.950, 0.49, 1.51%)被美国制裁后才突然出现；而国内产业链下游企业尤其是电子信息行业龙头企业们一直冷落甚至排斥国产芯片，才是中国芯片产业迟迟不能快速发展的更为重要的原因。
芯片产业是一个非常成熟的全球性竞争产业，如果是在一个完全开放的体系中跟全球竞争，只要我们的芯片还不如英伟达，就没有客户买，自然也没有厂家设计和生产。这并不仅仅是钱的问题，而是如果没有下游的使用反馈，芯片厂家就无法进行产品迭代，一直闭门造车永远不可能生产出足够好的产品。中国的互联网产业为什么发展这么快，就是因为我们有大量的用户数据，帮助我们以难以想象的速度快速迭代。这也是为什么大型互联网企业基本都在中国和美国。
如果没有外力，放任芯片成为一个完全自由竞争的市场，下游没有企业使用国产产品，将会形成恶性循环，永远发展不起来。
这里我们可以探讨一下政府可以扮演什么样的角色，这也是后发国家产业发展的核心问题。政府应该出台相关的产业政策，对我们自主生产的产品采取一定的保护措施，支持国产芯片的发展，给予低端产品应用和迭代的机会。
对此，我们可以参照国家在上世纪90年代末至2010年间发展国产通信产业的成功经验。黄卫伟教授在《不对称竞争》一书中曾细述这段往事。在2G时代早期，我国移动通信设备基本依赖进口，本土企业发展远远落后于快速扩大的市场。在这种情况下，当时的信息产业部适时提出要求，在条件相当的情况下，优先选用国产通信设备系统，并在其后的实际采购中，协调各方签订了国产程控交换机带量采购协议，为建设民族通信产业打下了坚实基础。后来国家在发展3G/4G产业链的过程中，也沿袭了这种做法，即通过设置国产化设备和终端采购比例，扶持国内通信设备产业。华为、中兴等企业的通信设备初期都是这样发展起来的。
图片：黄卫伟《不对称竞争》 政府可以通过“不对称竞争”策略，采取适当的政策方式来支持国内下游企业采购和使用国产芯片和核心零部件，鼓励国产化产业链的发展。
虽然国产芯片可能与顶尖产品有一定性能差距，但在很多场景下，已足以满足国内厂商的要求。我们可以为芯片制定合适的质量标准，让国产厂商能够放心使用满足标准的国产芯片。只要有客户，企业的技术会不断迭代，不断进步。
这两年，贸易摩擦也助推了芯片国产化率提高。美国针对华为发布禁令后，大众对国产芯片的认知得到提升，国内企业也开始愿意用国产芯片了，芯片的国产化率推进的速度很快。原因有二，一是看到华为的先例，有些企业也会产生制裁之忧；二是作为行业标杆，华为的采购起到了示范作用，哪怕华为是被迫用的，也说明这个产品的质量是过关的，华为相当于做了一个品牌背书。
中国一年大概进口3000亿美金的芯片，这么多芯片短时间内不可能全部国产化，但政府也有预期，从产业链的角度，从易到难，一步步解决。原来只有5%的国产化率，2020年有17%的国产化率，再过两年可能进步到30%，再过五年可能做到60%，或许到2035年，国产化率能做到80%，那就很成功了。
Q6：中国半导体产业要发展，离不开设计软件EDA工具（电子设计自动化）和芯片设计IP，没有EDA软件，所有芯片设计公司都要停摆，半导体产业的金字塔也会坍塌，如何看待中国半导体工业设计软件EDA工具和芯片设计IP缺失问题？
杨胜君：芯片设计软件EDA工具和芯片设计IP是中国半导体产业发展的必选项，是无法规避的现实问题。基于战略安全考虑，EDA必须要自己做，不然如果美国不给license，我们的芯片设计就停摆了。因为需要长时间广泛深刻的行业积累，目前国内这方面的人才非常稀缺。现阶段我们也是先解决有无问题，然后再一步一步往前走。
EDA行业虽然市场规模不大，仅在100亿美金左右，但门槛特别高，特别专业，需要长期聚焦、长期投入。相对于光刻机等硬件设备，EDA作为软件还是相对容易的，只要架构和算法实现突破，不断迭代，就差不多了。
目前EDA行业超过60%的市场份额被Synopsys、Cadence和Mentor Graphics 3家企业占据。国内则有华大九天、概伦电子等企业在追赶。虽然与全球前三大EDA软件企业相比，国内EDA企业才刚刚起步，功能简单，但我们有希望在5年时间内取得较大进步。
芯片设计IP也是目前国内外差距较大的领域，尤其是使用最广泛的CPU、GPU等芯片IP，国内还存在较大差距，这种差距可能比EDA设计软件还大。目前芯片设计IP的全球市场主要被ARM、Imagination Technologies、 CEVA 及几大EDA公司占据。不管是EDA设计软件还是主流芯片IP，目前国内这方面的人才非常稀缺，因为需要长时间广泛深刻的行业积累。
Q7：如何看待中国芯片的制造问题，目前中国即使设计出了先进芯片，国内的基础工业还造不出来，如果定性的话，中国芯片未来能不能做成？
杨胜君：芯片制造为什么复杂？核心是芯片的制造流程特别长。芯片生产是结合了设备、材料与工艺的整体问题，并不是买到光刻机设备，就一定能把芯片做好，还需要对材料的理解、对工艺的理解、对工序的理解。
一个先进工业芯片成套的生产流程有几百道工序，每道工序使用的材料体系不一样、用到的设备也不一样；工艺流程设计也不一样，比如温度怎么设计、湿度怎么设计、压力怎么设计；材料怎么配比也不一样；工序的前后顺序也不一样。每一个细节都是一个Know-How，是一个工程问题，都要解决，才能生产，同时每一个环节都会对最终成品的质量造成影响。因此，芯片制造和设计一样，都需要长期积累，只有一直持续投入，一直有客户使用，才可能积累起来。
这也导致了半导体产业基本每个方向都形成了巨头垄断的局面。各厂商为了提高市场竞争力，肯定都希望采购最好的产品，除非是定位特别低端的产品，或者有保护政策。在芯片的各个分支里，都在上演一样的故事，高端材料跟低端材料、高端设备跟低端设备做出来的芯片差别很大，客户不会选择用低端的产品，所以低端产品永远都没有机会发展。这种压力层层传导，最后变成既要材料最好也要设备最好，既要设计最好又要生产工艺最好，才能塑造出在全球有竞争力的产品。而那些做不到最好的厂家，基本上就淘汰了。
过去几年下游应用逐渐打开后，国产化率一直在增加。越来越多的企业做出了更先进更高级的芯片，原来只有国外厂家能供应的芯片，现在国内也有很大的供应。我们的产业链已经逐渐形成，国产化比例越来越高了。
另一方面，高端芯片并不是只有一条技术路线，比如7nm的芯片，目前已掌握的技术路线中可能是EUV光刻机比较好，但可能也有其他技术路线，也许不用EUV光刻机也能造出来。三星和台积电的技术路线也不一样。就像造原子弹，中国的原理跟美国的原理不一样，没关系，只要达到效果就行。最关键的是需要时间和持续的投入，用时间去验证、去积累，这是核心，是颠簸不破的真理。
我们国家有像华为、商汤这样优秀的企业，不断提出更高的要求，芯片产业肯定是可以追上的。同时还要注意发展好产业配套，否则美国一制裁就麻烦了。
Q8：如何看待中芯国际梁孟松与蒋尚义之争？
杨胜君：梁蒋的路线其实并不矛盾，梁孟松先生是做先进工艺，蒋尚义先生做先进封装，而先进工艺和先进封装是相辅相成的。先进封装是从系统整体应用的角度来理解、部分实现更先进的系统性能和更低的成本，而先进工艺则是单纯从芯片的角度来实现，先进工艺研发是基石，因应摩尔定律的发展规律，先进工艺长期持续发展是毋庸置疑的。在摩尔定律趋缓与后摩尔时代逼近的关键时刻，提前布局，先进工艺和先进封装双线并行的发展战略显得尤为必要。
工艺、设计和封装技术的进步是推动摩尔定律不断往前发展的三个重要因素。
其中，先进工艺对应的是加工精度，也就是我们通常说的多少纳米工艺制程。所谓的7nm、5nm指的是芯片内部晶体管的最小栅长，栅长越短，在相同尺寸的硅片上能集成的晶体管就越多，或者在相同的芯片复杂程度下，需使用的晶圆面积越小。因此，一般情况下，工艺制程越小，芯片的性能越高。
我们未来肯定是要一步步做到7nm、5nm、3nm的，要么等ASML的EUV光刻机，要么等我们自己研发出先进的光刻机，这是终极问题。
而封装，通俗来讲就是如何将单个或多个小芯片与其他材料组合成一个大芯片。先进的封装技术可以通过提高协同效应，节省空间、降低功耗和成本，从而在工艺没有变化的情况下，侧面提升芯片性能和降低芯片成本。
前不久，台积电也公布将在高端封装进行重点投入。在上周刚刚结束的2021年国际固态电路会议（ ISSC C）上，台积电系统阐述了发展先进封装的思路，台积电认为，先进制程如3nm工艺技术相对于5nm，性能的提高可能只有10%。今天最复杂的芯片已经集成了500亿个晶体管，而未来通过先进封装技术的创新，可以在一个先进封装的芯片里面集成3000亿个晶体管，芯片的性能还可以再提高十倍或更多。
蒋尚义先生也是希望通过先进封装来进一步发掘芯片的潜力，实现更先进技术的效果，同时降低芯片应用成本。当目前半导体工艺走到7nm，5nm的时候，技术上摩尔定律还在延续，但是每一代产品的设备投入、流片成本都在大幅度提高。大家都在谈论后摩尔时代的到来。系统级封装将会是后摩尔时代的重点方向。系统级封装就是将许多芯片或电子元器件封装成为一个芯片来提高系统的集成度。类似于将一个小的PCB板封装成一个芯片。
工艺演进是相对快的，但是越到后面难度越大，而过去三、四十年来，半导体封装技术进步不算快，半导体封装和基板技术越来越成为整体系统性能的技术瓶颈，因此，后摩尔时代，先进封装是延续摩尔定律的重要解决方式之一，也是一种产业方向，未来小型化的芯片也需要从这些方面来努力。因此，中芯国际发展先进工艺和先进封装都是合理的选择。
Q9：如何看待半导体产业的投资机会？
我们要理性认识半导体产业的投资机会。
国内现在正处于半导体产业市场化发展的第二阶段。第一阶段，也就是2000-2013年，伴随着苹果产业链在国内的起步和手机山寨市场的崛起，国内的半导体产业野蛮成长，产业以低端为主；第二阶段，由民间资本为主发展到政府与民间相互配合协同，在国家大基金和科创板设立等的推动下，产业进入升级阶段，创业者背景更加成熟高端，企业从低端模仿向中高端晋级，韦尔股份等千亿龙头诞生，产业并购出现，从单纯的设计到IDM也发展起来等等。
在这个大背景下，我们的投资策略可以总结为以下四点：（1）遵从产业发展规律，以市场的原则去应对芯片全球市场化的特点；（2）尊重硬科技企业发展的内在规律，坚持长期主义；（3）尊重专业性，谨慎被风口带飞；（4）各参与方要相互尊重和合作，不要吃独食。
以基石资本为例，是全产业链布局，已投资10多家芯片公司，基本上涵盖了材料、设备、设计、封测等所有细分领域。
具体来说，基石资本首先关注的是细分领域的想象力。比如摄像头芯片，它的行业增速非常快，三四年间市场规模从80亿美金增长到160亿美金，2021年大概会到200亿美金；又如滤波器，国产化率比较低，天花板很高，行业成长很快，这些都符合好赛道的判断标准。另外，安防、手机、人工智能方面的需求也越来越大。
图片：豪威科技推出的首款可在旗舰和高端智能手机中实现优异自动对焦功能的全相位检测覆盖率图像传感器 来源：豪威科技微信 在每一个好的细分领域中，基石资本会选择那些有深厚历史积累的团队，要在一个领域有长期的钻研，比如豪威科技就是摄像头芯片产业的先驱。基石资本投的宁波甬矽电子，是做封测的，有非常好的积累，现在遇上产能紧缺，发展得更快，2017年11月份才成立，2020年就做到了近10亿收入。
企业的商业化能力也很重要，要能够完成从技术优势到商业化优势的转变。这是很关键的一步，因为产品最终是要在市场上销售的，如果做不出商业化的产品，最终技术优势也会丧失。许多企业创始人都是技术出身，只重视做技术，要防止自己陷入片面追求技术的误区。
半导体芯片产业有其自身的发展规律，经过半个多世纪的快速发展，产业的基础理论和技术体系已经建立，我们现在依然处于快速的产业迭代发展过程中，这个过程需要时间和持续的投入，中华民族历来具有勤奋和智慧的美德，这些特点正是发展芯片所必需的，因此中国人是适合做芯片的。
有理由相信，只要坚持目前的投入，在当前的发展趋势下，再有十年左右的时间，中国的半导体产业将基本解决被国外卡脖子的局面，也一定会在全球产业链中拥有一席之地。

英唐智控自2019年起，围绕SiC 等第三代半导体器件产品持续开展产业布局。生产制造方面，通过对子公司日本英唐微技术现有硅基器件产品线改造，其兼容生产具有高温、高频、抗干扰特性的 SiC 器件产品能力。在英唐微生产线第一阶段改造完成后，将拥有完全自主的 SiC 器件生产能力。
在 SiC 器件的研发设计方面，主要的研发力量将来自收购的上海芯石、英唐微技术以及公司自建的研发团队和技术储备。
上海芯石业务产品主要覆盖两大类别：Si 类（SBD、 FRED 、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片产品）、SiC 类：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
上海芯石在 SIC 功率器件领域，已经成功开发了 600V、1200V、1700V、3300V 的 SiC-SBD 产品。

重读第三代半导体碳化硅专家交流纪要
鸣谢原著：调研纪要
摘要：
1.碳化硅性能较优，作为功率半导体适用于消费电子、新能源车 、轨道交通、电网等领域，能对整个电力系统带来革命性变革；
2.市场规模增长较快，新能源车对市场增长影响较大，在高压电力领域有独占优势，也是未来新增的市场空间；
3.材料未来有较多发展补足之处，如衬底大小、外延工艺、缺陷程度；设备国内目前国产化率低，尤其是外延设备和检测设备，长晶设备已有一定突破，需要在晶锭厚度上进行改良
一、碳化硅基本介绍
1.碳化硅应用：作为功率半导体器件，应用于消费电子、新能源汽车、轨道交通、电网
2.第三代半导体优势：宽禁带、击穿场强、更强的耐压性、更快的开关速率、更好的导电性（氮化镓有高迁移率，适用于5G领域）
3.碳化硅的系统应用会带来革命性变革：
1）可以提升整个系统的转化效率，简化并联串联结构；
2）降量损耗；
3）提升功率密度，帮助解决新能源汽车小型化、轻量化问题；可以做到高电压，单个功率器件理论上可以达到7万伏，目前已研发出3万伏。

4.碳化硅领域划分：
低压（600V以下）：以氮化镓为主，主要应用在消费电子，一般用蓝宝石及硅基衬底，有一定性能优势，价格战竞争领域：UPS（碳化硅和硅）、快充（硅/蓝宝石技术路线）
中压（600伏~3300V）：以碳化硅为主，应用主要为新能源汽车；
高压：3300伏以上应用主要为轨道交通；
超高压：应用于配电网，碳化硅独特的应用领域，无其它材料可用，对成本几乎不太关注

二、碳化硅市场及应用介绍
1.碳化硅电子器件市场规模：
2019年在6亿美金左右，2023年达到10亿美金以上，2025年达到20亿美金左右。
新能源汽车是拉动市场需求的最大动力
国内应用最好的是比亚迪，其他厂商也在做应用级的开发

2.碳化硅在新能源汽车上的应用表现：
电力系统小型化，提高功率密度，如特斯拉采用碳化硅，把电力系统体积缩（约40%左右）、减少重量（6-7公斤左右）、提升续航能力（提升10%左右）
十四五将带动新能源汽车发展，从而引领碳化硅的应用有一定突破，预期比较乐观

3.碳化硅在特高压领域（电力系统）的表现：
国内可以做到这种1000千伏水平，电流达到3000安培-5000安培
纯粹使用硅要求很多并联串联，可靠性不如碳化硅
碳化硅器件可以实现1万伏以上甚至2万伏以上的这种器件，并且是可以实现大的电流

三、碳化硅材料及设备的发展
1.碳化硅材料及设备简介：
与硅相似：单晶、衬底加工、外延、模块、系统
与硅不同：
1）每个阶段工艺方法不同（硅为直拉法、区熔法；碳化硅为PVT物理气相输运法）；
2）生长温度不同（硅1000多度，碳化硅2000度）；
3）外延温度不一样（硅1000度，碳化硅1500-1600度）；
4）碳化硅需要控制的参数更多、技术难度更高；
5）器件加工不同（碳化硅需要高温氧化、和高温离子注入等）
晶圆面积：目前以4寸为主，明年4寸与6寸持平，后年以6寸为主，国内较为成熟的厂商为天科合达与山东天岳；国内新建的厂都以6寸为主，8寸正在研发，十四五期间预期能建设出8英寸生产线，国外已经研发成功但还未量产（8寸能有效降低应用成本），未来需要降成本，目前国内PVT生产厚度受到限制（国外做到4公分，国内2公分）
设备方面，设计相对简单，国内普遍自己设计然后再找代工，核心工艺为热场。
2.国内各产业链情况：
衬底：近几年国内出现了许多新进入厂商，目前市场主要供应商为美国的科瑞和罗姆，国内主要供应商为山东天岳和天科合达，目前产能在扩建，但关键问题在于能否做出高质量产品推广至市场。
外延：国内几家军工所在做，一般借助国外的设备，如LPE、Aixtron、Tel等，因此和国外差距不大，国外昭和电工主要做外延，做得比较好，国内东莞天域做得比较好。
外延设备：目前国内没有成熟的外研设备厂商，工艺难度较大，有几家厂商正在客户验证阶段。设备发展趋势为单片机向多片机发展，提升生产速率，降低单片成本。厚度方面1200V~1700V厚度需要控制在10-15微米，高压领域厚度达到100微米，材料厚度、均匀性的控制随着电压不同而不同。
5年前与现在对比生产速率已提高许多，国内技术发展非常快.
3.SIC目前存在的缺陷：SiC和Si不同，表面存在微管，对器件的性能影响较大，对于一般的二极管等对材料表面缺陷要求较低，如果要做MOS管，则对缺陷要求较高，国内一直不能做出MOS管也是因为缺陷较大，合格率低，相比二极管95%的合格率，MOS合格率只有60%。
4.目前国内材料的发展情况总结：
产能：还需跟上，目前也正在积极扩产
外延：国内中压及低压外延水平，在厚度、均匀性、掺杂浓度包括缺陷性方面，都控制得较好，缺陷可以控制到0.2左右，主要指标都可以控制在1%左右，掺杂浓度可以控制到4%左右，因此国内低压领域可以满足二极管、IGBT等要求。在高压领域需要攻关的是材料，因为对材料要求较高，外延的厚度均匀性以及掺杂浓度要求较高。目前在研究阶段，外延方面需要40小时1400度高温氧化，但不适用于产业化生产，还需研发产业化技术。
检测：检测设备主要在国外，国内有研究院在做，单晶炉一台设备不到100万，一台检测设备在600~700万，也是国内较为稀缺的设备。
衬底：技术还需优化，晶锭需要更厚，国内只有2毫米，单片切出20片不到，国外能做到4毫米，切出40片；8英寸需要国产化，
设备方面：外延领域国产化设备也在开发，辅助材料，如石墨、碳化板等，也是国内的技术瓶颈。
Q&A
1、长晶设备等与国外差距在哪些环节？
长晶设备和国外差距不大，主要体现在工艺，如热场的设计、石墨图层、碳化板等国内是做不了的，5年前国内就有设备的设计能力，但是不能做到产业化，以前国内设备没有用户验证，因此技术也没有太多改良，未来随着国内衬底、外延生产厂商越来越多，用户情况会得到改进。
2、国内需求及供应水平，会不会供大于求？
6寸需求量在15万片左右，明年在20万片左右，十四五期间会达到50万片，4寸需求量在逐步降低；新能源汽车如特斯拉单车需要半片6寸衬底，未来市场很大；目前从建厂到扩产至少要3年左右，产能不会太快释放。
3、国内外龙头厂商之间的差距？
国外科锐、Ⅱ-Ⅵ、昭和（外延）、韩国SK，国内衬底市场天科合达、山东天岳、中电二所（烁科），差距在技术水平（2~3年），主要体现在：
1）成本，国外晶锭可以切40多片，4毫米左右，国内只有2毫米，切20片左右；
2）缺陷，国内缺陷方面还需要控制；
3）技术，国外8寸已开始建产线，国内才开始研发。值得注意的是外延方面差距较小。
设备方面国内有比较强的厂商，天科合达等都是设计完交给这些厂商代工，国外领先的原因主要是时间较长，工艺迭代次数较多。

港澳资讯提供 （仅供参考，风险自担）

公司动态：英唐智控( 300131 )子公司整合初见成效 自有品牌开始推向市场
2021年2月3日晚间，英唐智控在其上发布文章称，其旗下子公司英唐微技术有限公司（下称“英唐微”）的YITOA品牌产品已进入日本的汽车电子以及工业控制市场，并实现向丰田、马自达等日系汽车厂商的产品交付，同时部分产品已通过国内Tier1厂商供货的模式逐渐拓展至国内市场。
据业内人士分析，YITOA品牌的芯片顺利供货，意味着原有客户对英唐微在英唐智控完成对其的收购后的品牌价值、技术水平及产品质量得到了客户的认同，英唐智控对英唐微的并购整合取得阶段性的成果。“同时，英唐微的产品也正在通过向国内Tier1厂商供货的模式向国内市场拓展，在汽车行业动辄2-3年的验证周期下，以同源同规的日系汽车品牌厂商作为国内市场拓展的首批目标，有望起到立竿见影的效果。”
据英唐智控此前披露公告，公司的半导体芯片全产业链条一直在持续完善。英唐微作为英唐智控打造第三代半导体研发、制造和销售的全产业链中的重要一环，英唐智控正在通过对其现有硅基器件产品线进行部分改造，使其兼容生产SiC器件产品能力，从而实现国内主导设计日本辅助设计制造的产业链条。
公告还表示，作为其中承担国内设计职能的研发平台，公司拟收购的上海芯石半导体股份有限公司（以下简称“上海芯石”）是国内半导体领先的分立器件研发、设计与销售企业，在半导体分立器件芯片尤其是肖特基二极管芯片领域具有十几年的技术储备及行业经验。据介绍，在SIC功率器件领域，上海芯石已经成功开发了600V、1200V、1700V、3300V的SiC-SBD产品。
2021年1月16日，英唐智控披露了对上海芯石40%股份的收购控股方案，在相关流程完成后，英唐智控即可实现对上海芯石的控股。届时，英唐智控第三代半导体研发、制造和销售的全产业链条框架将基本搭建完成。
值得一提的是，据介绍，SiC材料由于具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，正逐渐成为功率半导体的主流。前述业内人士认为，随着英唐智控对英唐微整合及产线改造进程的推进、以及对上海芯石收购的完成，加之其本身所拥有的客户资源，公司在SIC等第三代半导体市场的发展潜力不可小觑。
出处证券日报网