PCB产业链行业梳理

一、覆铜板：PCB 产业链周期与 AI 需求共振

CCL 市场规模及成本拆分、产业链拆解

CCL（Copper Clad Laminate，亦即覆铜板）是制作 PCB 的基本材料，将增强材料（玻璃纤维布等）浸以树脂胶液形成粘结板，随后将其一面或两面覆以电解铜箔，经热压而成的板状材料，为 PCB 主要的生产基材。CCL 作为印制电路板制造中的基板材料，对 PCB 主要起互连导通、绝缘和支撑的作用，对电路中信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有较大影响。

传统服务器升级驱动需求 CCL 工艺迭代升级：新一代总线标准要求 CCL 材料和工艺迭代，高频高速板需求抬升。PCle4.0 及后续的 PCle5.0，对高频高速板的驱动作用主要为 CCL 材料的 Loss 要求提升：Mid Loss 材料适用于 Purley 平台和 Zen 架构，而总线标准提升至 PCle4.0 后，CCL 材料升级为 Low Loss和 Very Low Loss。

成本约束与需求改善共振，覆铜板报价连续上修

2026 年以来，在上游铜箔、电子玻纤布等关键原材料价格上行，以及 AI 服务器、高速交换机等高多层/高速 PCB 需求拉动的背景下，覆铜板行业价格进入连续调整阶段。建滔积层板 作为全球覆铜板龙头，其调价节奏和覆盖品类具备一定行业风向标意义。根据 TPCA 及客户调价通知口径，建滔积层板于 2026 年 3 月10 日、4 月 3 日、4 月 28 日、5 月 27 日、6 月 16 日及 7 月 6 日分别进行多轮价格调整，调价覆盖范围从初期的板料、PP 半固化片、铜箔加工费，逐步拓展至FR-4 全厚度覆铜板；7 月最新一轮纳入 CEM-1/22F 品类，并针对不同厚度板材、不同盎司规格铜箔加工费进行差异化定价调整。我们认为，本轮涨价并非单一原材料涨价的被动传导，而是上游成本抬升、电子玻纤布供应趋紧与下游 AI 硬件需求改善共同作用的结果。

► 调价节奏边际加快，提价间隔持续收窄：从时间维度看，自 3 月 10 日首轮涨价函发布至 7 月 6 日调价落地，建滔在 118 天内完成六轮提价，调价频次处于近年较高水平。分阶段来看，前三轮调价间隔约 24-31 天，基本维持月度传导的节奏；进入二季度中后期，提价节奏有所加快，第四至第六轮连续两轮调价间隔均为 20 天，为本轮周期以来的最短间隔，提价周期从月度水平收窄至三周左右。二季度以来公司已落地四轮调价，频次较一季度明显提升，叠加 7 月初即落地新一轮调价，反映在上游原材料供给偏紧、下游订单支撑较强的背景下，行业供需紧平衡格局持续强化，涨价动能处于逐步释放的过程中。

► 调价幅度稳步抬升，累计涨幅处于近年高位：从调价力度看，本轮涨价的单次幅度与累计涨幅均呈现上行趋势。前三轮调价中，FR-4 覆铜板与 PP 半固化片的单次涨幅稳定在 10%，以成本传导为主要驱动；第四轮调价出现品类分化，PP 半固化片受电子布供需缺口影响，单次涨幅扩大至 20%；至第五轮调价，FR-4 覆铜板与 PP 半固化片统一上调 15%，单次涨幅为年内最高；7 月第六轮调价延续高强度提价逻辑，1.3mm 以上厚度 FR-4 与 PP半固化片单次涨幅维持 15% 的高位水平，CEM-1/22F 上调 10%；同时针对铜箔加工费，按产品规格划分提价区间，1.5oz 以下增加 5 元 / KG，2oz以上增加 8 元 / KG，厚铜规格涨幅更高，涨幅与各规格的成本上涨压力、下游需求景气度直接对应。截至第六轮调价执行后，1.3mm 以上厚度 FR-4覆铜板年内累计涨幅约 94%，PP 半固化片累计涨幅约 111%。从行业对比来看，本轮累计涨幅显著高于 2023-2025 年的常规周期水平。

► 调价覆盖范围逐步拓展，全品类普涨格局显现：从调价覆盖的产品线来看，本轮涨价的影响范围呈现逐步扩大的特征，行业景气度从局部向整体传导。首轮调价以核心生产要素为主，覆盖板料、PP 半固化片及铜箔加工费；第二至第四轮聚焦 FR-4 板料与 PP 两大主力品类，且逐步明确覆盖全厚度规格；至第五、第六轮，FR-4 全系列完成普涨后，涨价范围正式延伸至CEM-1/22F 等复合基材品类，同时铜箔加工费的调价颗粒度细化至分盎司规格定价。覆盖范围的持续拓宽，表明本轮涨价并非单一品类的供需错配，而是产业链成本与需求共同作用下的调整。

电子布：价格持续上行，是本轮涨价的核心变量

2026 年以来，电子玻纤布价格持续上涨，是推动二季度 CCL 涨价节奏加快、PP半固化片涨幅扩大的关键因素。以 7628 电子布为例，价格自 2025 年三季度低位以来持续上行，上游 G75 电子纱价格同步抬升，显示纱、布环节供需均偏紧。根据卓创资讯 ，2026 年 7 月 1 日 7628 电子布报价 8.6 元/米，环比 6 月上涨 1.2 元/米，涨幅较 6 月 0.7 元/米进一步扩大。供给端看，电子布扩产受到织布机交付周期、窑炉投放节奏及高端布产能优先分配等因素约束，短期新增有效供给有限；同时，经历前期行业调整后，中小产能出清，行业供给弹性下降。我们认为，电子玻纤布仍是观察后续 CCL 涨价持续性的核心指标。

铜箔：铜价高位运行，抬升覆铜板成本底部

2026 年初以来，国际铜价整体维持高位震荡，虽较 1 月阶段高点有所回落，但截至 6 月下旬仍处于 1.3 万美元/吨以上的历史较高区间。由于铜箔通常采用“铜价+加工费”的定价模式，铜价中枢上移将直接推升 CCL 厂采购成本。建滔 3 月首轮调价中同步上调铜箔加工费，亦反映成本压力已向覆铜板环节传导。结构上，高端极低轮廓铜箔认证周期长、技术壁垒高，全球有效供给仍集中于海外头部厂商，国内高端产能释放相对有限，高速高频板用铜箔加工费仍具备一定支撑。

树脂：通用环氧树脂压力边际减弱，高端特种树脂仍偏紧

从价格表现看，2026 年一季度通用电子级环氧树脂价格曾阶段性上行，但二季度以来逐步回落，当前价格已接近年初水平。因此，通用环氧树脂并非二季度 CCL连续涨价的主要驱动。从供给端看，国内通用环氧树脂产能较为充足，竞争格局相对分散，持续涨价基础不强。与之相比，高速高频 CCL 所需的 PPE 树脂、碳氢树脂等低介电特种树脂仍以海外供应为主，国产替代和客户验证周期较长，供给弹性有限，仍是高端 CCL 成本和供应约束的重要来源。

综合来看，本轮 CCL 涨价是电子布、铜箔、树脂三大核心材料成本支撑多重叠加的结果。电子布在供给弹性下降、纱布环节同步偏紧的格局下价格持续上行，成为抬升成本的核心动力；铜箔受铜价高位运行和高端产品供给约束双重影响，推高了 CCL 成本中枢；树脂端虽通用品压力边际减弱，但高端特种树脂结构性偏紧巩固了高等级产品的成本刚性。

我们看好成本端多维支撑与下游 AI、高速通信、汽车电子等需求修复形成共振，推动本轮 CCL 涨价具备更强的系统性和持续性。供给端看，高端 CCL 有效产能仍相对受限，下游 PCB 厂商对材料供应稳定性和交付安全性的重视程度明显提升，CCL 厂商阶段性议价能力增强。随着覆铜板、电子布、铜箔等成本压力持续上行，PCB 厂商向终端客户顺价的必要性和可行性均在提升。我们判断，本轮CCL 涨价有望逐步向下游 PCB 环节传导，推动 PCB 产品报价修复，并带动产业链盈利中枢改善。

高端 CCL 格局较为集中，国内厂商加速扩产

覆铜板目前主要产能集中在亚洲，中国台湾、中国大陆及日本企业有较大市场份额。

根据 Prismark 报告，2025 年全球覆铜板市场规模为 187.87 亿美元，前五大供应商分别为：台光电（16.2%）、生益科技 （13.2%）、建滔积层板（12.5%）、南亚塑胶（7.4%）及斗山（6.1%），前五大供应商占比约 55.4%。从细分领域来看，高频高速覆铜板市场占有率与覆铜板整体市场差异较大，用于 HDI 的覆铜板领域主要由台光电供应，占比约 70%，其余为斗山（16%）及生益科技（5%）。

CCL 供给侧扩张与上游一体化同步推进，高端产能仍是核心增量。 在 AI 服务器、高速通信和汽车电子需求拉动下，海外及国内 CCL 龙头厂商持续加快高端产能布局，同时向电子纱/布、铜箔、粘结片等关键原材料环节延伸，以提升供应链稳定性和成本控制能力。我们认为，本轮扩产并非单纯的通用 FR-4 产能扩张，而更多聚焦高速高频、高导热、HDI 及封装材料等高端品类，反映行业供给结构正在向 AI 硬件和先进封装需求倾斜。

从 CCL 产能看，台光电扩产节奏较为积极，2024-2025 年月产能分别约为 435万张、585 万张，公司预计其 2026-2027 年分别提升至 615 万张和 945 万张，其中中山基地于 2025 年完成第一期扩产，公司预计其 2027 年完成第二期扩产，昆山基地预计 2027 年投产。生益科技则在东莞、江西、江苏、泰国等多地布局高端覆铜板及粘结片产能，其中东莞松山湖第二工厂规划年产覆铜板 4,800 万平方米，江西二期规划年产覆铜板 1,800 万平方米，泰国项目规划年产高性能覆铜板1,200 万平方米。南亚新材 方面，江西 N4 至 N6 工厂已全面达产，同时规划江西高端覆铜板项目新增 1,400 万平方米/年产能，江苏 N8、N9 新厂分别定位于高端

IC 封装材料及 AI 算力用高阶覆铜板。

上游配套方面，龙头厂商进一步强化关键原材料自主保障。建滔积层板依托清远、韶关等基地，规划低介电电子玻璃纤维纱、电子布及高频高速铜箔产能，其中高频高速铜箔项目规划年产能约 2.1 万吨；生益科技在东莞、江西、泰国等覆铜板项目中同步配套商品粘结片产能，以提升材料交付和产品协同能力；金安国纪 旗下安徽金瑞亦布局电子级玻纤布产能。整体来看，CCL 龙头扩产正从单一板材产能扩张，转向“高端覆铜板+粘结片+关键上游材料”的一体化布局，我们认为供给质量和供应链安全将成为后续竞争关键。

Rubin 高端化需求拉动 CCL 向低延时、高速方向发展

随着 AI 算力硬件向高密度、高带宽方向演进，覆铜板（CCL）作为 PCB 的核心基材，其介电常数与介质损耗为突破传输瓶颈的关键。当前行业普遍以松下Megtron 系列作为高频高速 CCL 的分级标准，数字越大代表介质损耗及介电常数越低，从而能在 AI 服务器中降低传输延迟、减少信号衰减同时提升散热效率。

当前主流应用与升级路径：目前大多数 AI 芯片（GB200、Google TPU）仍采用M7/M8 级覆铜板材料，（如台光电 EM892K2，其电性能在 1GHz 频率下为 Dk≈3，Df≈0.0014）。为适配 224Gbps PAM4 编码及更高计算密度（如 Blackwell、Rubin 架构），行业正在迅速向 M8+/M9 级材料转移，我们认为未来随着信号衰减、延迟最小化、散热高可靠等需求，M9 有望成为主流覆铜板材料之一。

PTFE（聚四氟乙烯）是一种高性能合成材料，在 PCB（印制电路板）领域，PTFE 因其独特的物理、化学和电气性能，成为高频高速场景的核心材料，尤其在 AI 服务器、5G/6G 通信等高端应用中具有不可替代性：

1）电性能优势：PTFE 介电常数（Dk≈2.5）及损耗因子（Df≈0.0014），显著优于传统材料如 PPO 树脂（Dk≈3.0，Df≈0.007），在 AI 高速信号传输场景中，PTFE 可将信号衰减大幅降低；

2）热稳定性：PTFE 能在-180℃至 260℃宽温域内长期工作，适应数据中心服务器高功率散热需求，同时热膨胀系数较低，减少层压分层风险；以 Rubin VR200 NVL72 为例，其 Compute tray 中配备了两块 Rubin GPU 与一块 Vera CPU，由于其采用无线缆设计，线缆连接器端口也被更换至板对板连接器，连接上半部分的 BIANCA 架构与下半部分的网卡、BlueField-4 模块、PDB模块等。随着 AI 芯片面积增加、算力密度及功耗提升，对介电常数、介质损耗、散热等要求更为严苛，同时随着高频高速材料如 M9、石英布等应用，我们认为单GPU 对应 CCL 价值量有望显著提升。

VR200 NVL72 的 CCL 拆解：

► 1）处理器主板（Bianca 板）：每块主板用于承载 2 块独立的 Rubin GPU 和Vera CPU，我们认为其方案与 GB200 类似，为一块独立的 HDI 板，其规格为 M8+二代布的 6 阶 HDI。

► 2）Midplane（中板）：为 Rubin 新增方案，用于替代 GB300 中的跳线，连接 Bianca 主板、CX-9 网卡和 Bluefield DPU。由于其对于信号传输速率要求较高，我们认为其或将采用 M8/M9+二代布/Q 布的 40L 以上的高多层板。

► 3）CX-9 网卡板：CX-9 网卡支持 PCIe 6.0 协议，单通道速率达到 64Gbit/s（单向），显著高于前代 CX-7 的 200G（双向）和 CX-8 的 400G（双向），由于信号完整性要求提升，我们认为其或将采用 M7/M8 材料 20L 以上的高多层板。

► 4）Switch Tray：目前 Rubin 方案中 Switch Tray 数量仍为 9 个，每个托盘集成 2 颗 NV Switch5，我们认为目前具体方案或将为 M8/M9+二代布/Q 布30+L 高多层板。

► 5）其他：包含 Bluefield-4 及电源板等，采用规格为 M6/M7 的高多层板。

二、玻璃基板：先进封装材料迭代新场景

海外龙头验证进展提速，玻璃基板进入关键验证窗口

我们认为玻璃基板有望成为下一代先进封装的重要材料，核心驱动在于 AI/HPC芯片封装尺寸持续扩大后，传统有机基板在翘曲控制、尺寸稳定性、互连密度和供电/高速信号传输等方面面临瓶颈。

截至目前，Intel 是当前公开推进玻璃基板较为领先的厂商之一，公司 2023 年披露，其已开展超过十年的玻璃基板研发，计划将完整的玻璃基板解决方案率先用于数据中心、AI、图形等大尺寸、高性能封装场景。技术层面，Intel 认为玻璃基板具备更好的热稳定性、机械稳定性和超低平整度，可降低图形失真、提升层间对位精度，并有望实现更高互连密度；同时，玻璃对更高温制程的兼容性有助于未来集成光互连及嵌入式电感/电容，从而改善供电与高速信号传输能力。

Intel Foundry 在 2025 年进一步将玻璃基板与面板级制造方向并列为先进封装未来关键技术，强调其可支持更精细特征尺寸、更大封装尺寸和更高高速 I/O 性能，并显著缓解有机基板在大尺寸封装中的翘曲问题。根据 TrendForce，Intel 于2026 年 NEPCON Japan 展示了结合 EMIB 的玻璃核心基板样品，封装尺寸约78×77mm，采用 10-2-10 堆叠结构，我们认为，Intel 玻璃基板技术已从长期研发进入工程样品验证阶段，但规模化导入仍需观察后续客户验证、良率爬坡及量产时间表。

根据 Intel 预计，玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性，能够构建更高性能的多芯片 SiP，在芯片上多放置 50%的裸片，与 ABF 相比其厚度可以减少一半左右，减薄可以提高信号 传输速度和功率效率，同时在 IO 间距方面，玻璃基板目前正向 2/2um L/S（Line/Space）方向研发，性能损耗方面，由于玻璃的介电常数更低，同时可以承受更高的 温度，其损耗也较小同时也可以避免高温下的图形失真；互联密度方面，由于玻璃基板开孔的 间隔小于 100 微米，可以使得晶片间的互连密度大幅提升

此外，台积电在 1Q26 法说会中提出，目前正在建设 CoPoS 试产线，同时预计2-3 年进入量产，同时根据 Digitimes 报道，台积电正与 ABF 基板供应商 Ibiden和面板制造商群创光电合作，共同验证玻璃基板在下一代先进封装技术 CoPoS中的应用。

同时在 6.11 日 JPCA Show 2026 中，台积电对于玻璃基载板技术进行展望，该方案采用 glass core 上下结合 ABF build-up layers 的三层结构，测试样品为 0.8mm玻璃核心载板、5x Reticle CoW、85×110mm 封装尺寸。验证结果显示，玻璃核载板相较有机载板可改善 COP 16%、降低有效 CTE 19%、提升有效模量31%，同时在电源完整性方面实现电阻降低 27%、电感降低 42%。我们认为，玻璃基板在台积电先进封装体系中的定位，已从早期技术储备进入工程验证阶段，其核心价值不只是面板级加工降本，更在于解决大尺寸 AI 封装的翘曲控制、热应力匹配、结构刚性和供电完整性瓶颈。

上游设备材料持续受益，国内产业链加速布局

玻璃基板加工中的主要耗材包括：玻璃芯板、电镀液、ABF 膜等，与 IC 载板生产环节相比，其工艺流程较为类似，主要差异集中于前端玻璃的生产制造及 TGV通孔、填充等环节。

国内产业链加速布局，材料设备环节率先受益。 国内玻璃基板产业链已逐步覆盖玻璃芯板、TGV 成孔及金属化、电镀添加剂、光刻胶、镀膜设备和玻璃基封装载板全制程等环节，产业链完整度持续提升。沃格光电 等厂商已具备玻璃基线路板全制程能力，京东 方推进大尺寸、高层数玻璃基载板样品开发及送样验证，部分PCB/载板企业亦在开展技术储备。整体来看，国内玻璃基板仍处于产业化早期，多数企业以样品验证和客户导入为主，距离规模化量产及收入贡献仍需时间。相较而言，上游材料和设备环节进展更快，天承科技 TGV 电镀添加剂已实现批量出货，艾森股份 负性光刻胶已获得玻璃基封装量产订单。

玻璃基板工艺——TGV 为核心壁垒

玻璃基板工艺：TGV 成孔与金属化是核心壁垒。 从工艺流程看，玻璃基板并非简单替代 ABF 载板，而是在玻璃芯板上叠加 TGV 通孔、种子层沉积、电镀填孔及SAP/mSAP 增层布线等工艺。其核心差异在于：传统 ABF 载板以有机材料为核心层，主要通过机械钻孔/激光钻孔及增层线路实现上下互连；玻璃基板则需先在玻璃芯板中形成高深宽比 TGV，并对通孔进行金属化，以实现芯片侧与 PCB 侧的垂直互连。由于玻璃本身具备绝缘性，TGV 侧壁通常无需像 TSV 一样额外沉积绝缘层，有助于简化部分制程，但玻璃的脆性、高深宽比通孔加工、孔壁金属附着力和无空洞填铜仍显著提升工艺难度。

具体流程可拆分为六个环节：1）玻璃芯板准备与 TGV 成孔：通过激光诱导刻蚀、激光烧蚀或其他微孔加工方式在玻璃上形成通孔，核心要求是孔径一致性、低锥度、低微裂纹及较高位置精度；2）孔壁清洗与表面活化：去除孔内残渣和微裂纹缺陷，并提升后续金属层与玻璃表面的结合力；3）种子层沉积与 TGV 金属化：通过 PVD、化学镀或其他方式沉积导电种子层，再通过电镀实现孔壁金属化或通孔填铜，难点在于高深宽比孔内的覆盖均匀性、填充完整性和空洞控制；4）平坦化与铜面处理：通过 CMP 或研磨/蚀刻等方式去除多余铜层，使玻璃芯板表面重新达到后续增层所需的平整度；5）聚合物介质层压与微孔加工：在玻璃芯板两侧层压 ABF 或其他薄膜聚合物介质，并通过激光钻孔形成微盲孔；6）SAP/mSAP 增层布线：通过种子层沉积、干膜图形化、电镀铜、退膜及蚀刻等步骤形成 RDL 线路，并按设计层数重复增层，最终完成表面处理、阻焊、切割及电性/可靠性检测。

我们认为，玻璃基板的量产壁垒主要集中在 TGV 环节：一是成孔过程需兼顾高效率、低微裂纹和尺寸一致性；二是孔内金属化需要解决种子层连续性、铜填充空洞及热循环可靠性；三是大尺寸玻璃面板在后续层压、电镀和 CMP 过程中需控制翘曲、应力和碎片风险。因此，TGV 成孔、孔内金属化、平坦化及大尺寸面板级良率控制，是决定玻璃基板能否规模化导入先进封装的关键。

三、IC 载板：PCB 半导体化趋势初现，供应链持续紧缺

IC 载板为半导体封装中的关键材料

在封装过程中，IC 载板介于芯片与 PCB 之间，实现信号传输连接，同时为芯片提供保护和支撑并形成散热通道，使封装后的芯片达到 符合要求的尺寸。据Prismark 预测，到 2026 年，全球 IC 封装基板行业规模有望达到 214 亿美元。

从载板材料上看，主要分为 BT/ABF 载板两类，主要区别在于其所用的介质及性能的不同：

► BT 载板：具有较高的玻璃化温度、优秀的介电性能、低热膨胀率、良好的力学特征等性能，以 BT 树脂体系为核心绝缘材料，具备较好的耐热性和尺寸稳定性，主要应用于存储、射频、手机 AP、SiP 等领域。

► ABF 载板:以 ABF 增层膜作为关键介质材料，具备更高层数、更细线路和更高布线密度优势，主要用于 CPU、GPU、FPGA、ASIC 等高性能运算芯片。

从载板工艺区分，IC 载板又可以分成两种为：BGA（Ball Grid Array）与 CSP（Chip Scale Package），其中 BGA 为球栅阵列封装，优点为 I/O 间距大、可靠性高、散热性能较 好，广泛用于高功耗、高集成度芯片，其中 FCBGA 基板具有大尺寸、高叠层和精细线路 3 个方面的特点

载板工艺流程

SAP/mSAP 支撑高密度互连，ABF 载板向高层数、细线路演进。封装载板的核心工艺在于通过增层介质、微孔加工和图形电镀实现芯片与 PCB 之间的高密度互连。目前主流精细线路工艺包括 SAP 和 mSAP。两者均以“薄铜种子层+图形电镀”为核心思路：先在介质层上形成导电种子层，再通过干膜曝光显影定义线路图形，随后进行电镀铜增厚、退膜及蚀刻，最终形成精细线路。区别在于，SAP通常从极薄种子铜层开始，加工后残铜蚀刻量较小，更适合更细线宽线距；

mSAP 通常基于较薄铜箔或较厚种子铜层进行改良加工，工艺窗口相对更宽，广泛用于高端 HDI、SLP 及部分 BT 载板等产品。

从典型流程看，ABF 载板通常采用“核心层制作—ABF 增层膜层压—激光钻微盲孔—去胶渣/孔壁处理—化学沉铜或 PVD 形成种子层—干膜曝光显影—图形电镀—退膜/闪蚀—重复增层—表面处理及电测”的工艺路线。由于 AI GPU、CPU、ASIC 等高算力芯片对 I/O 数量、封装尺寸和信号完整性要求持续提升，ABF 载板需要向更高层数、更小线宽线距和更大板面尺寸演进，制造难点主要体现在层间对位、翘曲控制、微孔可靠性、细线路良率和大尺寸面板加工能力。

参数上，ABF 载板层数通常更高，高端产品可达到 10 层以上甚至 20 层以上，线宽线距可向 5/5μm 及以下演进；BT 载板层数多集中在 6-12 层，受材料和工艺限制，线宽线距通常较 ABF 载板更宽。整体来看，AI 算力芯片封装升级正在推动载板工艺向更高层数、更细线路和更大尺寸方向持续演进。

PCB 载板化趋势初显，mSAP 或成潜在主流工艺路径

CoWoP 或成为先进封装新工艺

由于传输路径短及散热性能较优，CoWoP 或将成为潜在的新工艺之一。目前英伟达等应用较多的主流封装方式为先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的形式将 GPU 与 HBM 封装在上，再把芯片与基板连接（oS），核心是将不同的芯片堆叠实现多芯片互联，同时其采用中介层与 LSI（本地硅互连）进行芯片间互连，与用于电源和信号传输的 RDL 层灵活集成，同时将 GPU 与多颗 HBM 等键合于IC 载板上，即台积电的 CoWoS-L 工艺。未来我们认为随着封装形式及材料的发展，CoWoP 由于具备更短的信号路径和更低的插入损耗，同时散热性能较好，或将成为潜在的新工艺之一，但同时如何将 PCB 的线宽线距（L/S）进一步缩小、热膨胀系数（CTE）的匹配、以及在面积增加后如何实现较高的良率问题，或仍将成为生产过程中较大的挑战。根据 QY Research，2025 年全球 ABF 载板市场规模约为 57.08 亿美元，2025-2031 年市场复合年增长率为 9.8%，预计2031 年行业市场规模将达到 100.03 亿美元，主要应用于 GPU、ASIC、CPU 等高运算性能芯片，我们认为若未来 CoWoP 成为主流的封装工艺，PCB 市场规模有望进一步增长。

1.6T 光模块驱动 SLP 需求升级

随着光模块速率由 800G 向 1.6T 演进，PCB 在布线密度、高频高速信号完整性、散热能力及良率稳定性等方面的要求同步提升。当前 800G 光模块 PCB 仍以HDI 方案为主；我们认为随着 I/O 密度、互连复杂程度进一步提升，SLP 方案的渗透率有望提升，同时 mSAP 凭借更优的线宽线距密度、更低的线路损耗及更高的集成度，有望在高端光模块 PCB 中逐步渗透。

根据我们测算，2026/2027 年全球光模块相关 PCB 市场规模有望达到约14.85/31.5 亿美元。我们认为随着光模块由 800G 向 1.6T 升级，其 PCB 有望从传统 HDI 向 SLP 类载板演进，mSAP 等细线路工艺渗透率同步提升，具备mSAP 工艺能力、SLP 产品经验及高端产能储备的厂商有望率先受益

相关厂商及涨价情况

从上游核心材料看，IC 载板产业链价格上行信号已逐步显现。受 AI 算力芯片、高端存储需求增长拉动，高端载板需求持续扩容，此外，特种树脂、铜箔、玻纤布、功能薄膜等关键原材料供给偏紧，制造成本持续抬升。2026 年以来，海外多家具备高端材料供给能力和较强议价能力的厂商陆续调价，涨价范围覆盖基底板材、核心绝缘介质、导电材料及配套功能薄膜等关键环节。

本轮上游材料涨价呈现两大特征：一是涨价集中于高壁垒、高集中度细分品类，ABF 薄膜、载体铜箔等材料全球有效供给相对刚性，供应商议价能力较强，价格传导阻力相对较小；二是涨价节奏与下游 AI 需求景气高度相关，高端载板所需核心介质和导电材料涨幅明显高于通用配套材料，反映供需缺口仍是价格上行的核心驱动。我们认为，随着上游材料成本持续抬升，价格压力有望逐步向载板制造环节传导，推动高端 IC 载板产品均价上行，并支撑产业链盈利中枢改善。

从 IC 载板厂商的核心定价来看，自 2026 年起，主要厂商基于成本压力与供需格局变化，陆续与下游芯片客户协商上调供货价格。调价方式分为季度滚动议价与年度长单重新定价两类，不同产品线呈现明显定价分化，其中高端 ABF 算力载板涨价动能较强，存储 BT 载板跟随修复，普通消费类载板调价幅度相对温和。

从全球 IC 载板扩产节奏看，AI 服务器、HPC 等高端应用持续拉动 ABF 载板需求，海外龙头资本开支明显提升。Ibiden 计划于 2026-2028 财年投入约 5,000 亿日元，用于扩充高性能 IC 封装基板产能；AT&S 亦将 2026/27 财年资本开支提升至 10-12 亿欧元。与此同时，全球高端载板产能正进入密集释放期，并呈现区域分散化布局特征，日本、马来西亚、新加坡、泰国等地均有新产能投放或在建。

AT&S 马来西亚 Kulim 工厂已于 2025 年 5 月启动量产，TOPPAN 新加坡 FC-BGA 工厂预计 2026 年底投运。

国内厂商方面，深南电路 、兴森科技 等正加快 FC-BGA 能力建设。深南电路 FC-BGA 类封装基板已实现 22 层及以下产品量产，24 层及以上产品研发打样持续推进；兴森科技广州 FC-BGA 项目进入小批量生产阶段，已具备 20 层及以下产品量产能力。整体来看，国内企业在层数、尺寸和工艺能力上持续追赶，但与海外龙头相比，在高端客户导入、量产规模、良率稳定性和收入贡献方面仍有差距，规模化放量仍需时间。

光模块 PCB 方向，国内厂商进展相对更快。随着 800G 向 1.6T/3.2T 升级，光模块 PCB 对高阶 HDI、SLP 类载板及 mSAP 细线路工艺能力提出更高要求。根据各公司公告披露，景旺电子 已稳定批量供货 800G 产品，并推动 1.6T 产品量产出货；鹏鼎控股 持续加码 AI 服务器及高速光模块相关高阶 HDI、SLP 和 mSAP 能力；方正科技 1.6T 光模块产品已实现规模化生产，并推进 1.6T 以上产品开发。我们认为，相较 ABF 等高端封装载板，光模块 PCB 的国内供应链基础更成熟。