长鑫存储科创板 IPO 前夕,高盛特邀前三星 18 年资深总监、长鑫前高管召开闭门专家电话会,7 月 25 日流出会议纪要,核心定调:
中国 DRAM 产能扩张不可逆,优先看多存储国产设备(卖铲子逻辑),其次 HBM 国产突破、存储封测、存储材料,英文标题直接Buy China SPE(买入中国
半导体设备)。
高
盛五大核心权威判断1、产能端:国产 DRAM 大规模扩产确定,2030 年产能直接翻倍
2、产品技术路线:HBM 明确量产节点,
绕开 EUV 做工艺突围3、存储价格周期:告别暴涨暴跌,景气延续至 2028 年
4、需求底层逻辑:AI 彻底重构存储消耗量级
5、高盛最终投资优先级
第一优先级:存储半导体设备(确定性最高)>第二:HBM 先进封测>第三:存储上游材料>第四:
存储芯片设计 / 模组