碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体的核心基材，在器件成本中占比约47%，技术壁垒

一、基本信息

北京天科合达半导体股份有限公司（天科合达）
国内碳化硅（SiC）衬底龙头，全球第二，导电型市占率国内第一。
成立：2006年9月，中科院物理所团队创业。
定位：国家级高新、专精特新 “小巨人”，中国首家SiC衬底全产业化企业。
二、核心业务与产品
主营：碳化硅单晶衬底+外延片+单晶生长炉，全产业链覆盖。
产品：
4/6英寸半绝缘型：射频、5G、雷达。
4/6/8英寸导电型：新能源汽车、光伏、工控（主力）。
外延片：6/8英寸量产，深圳基地供货。
设备：SiC单晶生长炉（沈阳制造）。
三、技术与产能（2026）
专利：授权121项（发明64+实用新型57）。
技术：七大自主核心技术，覆盖原料→晶体→加工→检测→外延。
产能：
北京/江苏：6英寸衬底月产能数万片。
8英寸：2023年小批量，2024年良率＞50%，供货英飞凌、比亚迪 。
客户：英飞凌、中车、比亚迪半导体、斯达半导 等。
四、产业布局
北京：总部+衬底制造基地。
江苏徐州：衬底制备基地。
深圳重投天科：外延+衬底基地。
沈阳：单晶生长炉制造基地。
五、核心优势
✅ 技术壁垒：中科院背景，自主可控，打破海外垄断。
✅ 卡位优势：导电型衬底国内第一，全球仅次于Wolfspeed。
✅ 赛道红利：新能源汽车、光伏、储能爆发，SiC需求高增。