逐风寻势，共知天下

昨天Semi Analayis报告，公司把单机架的 DRAM  内存总容量从原计划的 55TB 砍半至 28TB，也就是一个机柜从192G砍到 96GB。

部分投资人把这个调整解读为AI算力需求疲软，直接引发了对内存周期量价齐升预期落空的恐慌，导致昨晚美光大跌7%，今天三星，SK海力士可能也会有比较大的调整。

1、 这次下调原因不是需求不足，是供给瓶颈

这次调整的主要原因是16层超高密度LPDDR5X极其困难的封装良率，Hynix/三星无法提供足够数量的192G内存给到客户，为了保证所有Rubin GPU都能有对应的DRAM可以用，英伟达主动进行供应链风控，下调了单机柜用量。

2、DRAM配比下降，会利好SSD和光连接用量上升

当CPU侧用于承载庞大上下文的系统内存缩水后，GPU算力瓶颈将无可避免地向SSD侧和互连侧转移，CSP需要采购更多的高性能SSD或者采用更高性能的柜内连接（Scale Up）连接方案，利好NAND企业（KIOXIA，闪迪）和光链接企业（ LITE ，Marvell，康宁）。

关于PCB设备半导体化的思考
 
1、AI算力迭代打破PCB与半导体封装的边界。
 
AI服务器从GB300到Rubin Ultra、1.6/3.2T光模块、CoWoP工艺构架落地后，PCB承载了芯片互联、部分封装功能，多层板从12–24层拉升至Rubin平台44-78 层、孔径下降、精细线路成型，倒逼全制程设备开启类似半导体一样的制程迭代。
 
2、核心制程设备的半导体化。
 
钻孔端，从普通机械钻机到CCD钻机，CO2激光钻机以及超快激光钻机；钻针端，从普通钨钢钻针，到超高长径比钻针、CVD涂层钻针；图形工艺，从减成法到mSAP，对于LDI激光直写、VCP脉冲电镀设备都是增量；后道检测，AOI设备到3D高精度检测。
 
3、PCB半导体化的结果：价值通胀、估值提升、格局优化。
 
（1）工艺边界彻底打通，CoWoP让PCB承接原本ABF基板的功能。
（2）设备前置升级，钻机、LDI、电镀设备价格大幅提升， CAPE X先行落地，头部设备厂净利率、ROE已超越板厂。
（3）壁垒抬升，格局更集中，带来就是更高的估值。
 
4、这种半导体化推动设备涨价在机械历史上是很罕见的，更大的空间、更优的格局、更好的价格，估值和EPS双击正在发生。核心标的：
 
（1）设备：大族数控、芯碁微装、东威科技、日联科技；
（2）钻针：鼎泰高科、欧科亿、新锐股份、民爆光电、杰美特；
（3）锡膏：唯特偶、华光新材。

AI服务器电源价值环节：钽电容市场格局梳理
一. 电容分类

根据是否需要电源， 电子元件可分为主动元件（集成电路、分立器件）、被动元件（电阻、电容、电感等）两大类。

电容是储存电荷的被动元件，由两个金属电极和中间的绝缘介质构成，是电子电路中用量最大的基础元件。

其主要功能包括：滤波去耦（滤除杂波、稳定电压 ）、隔直通交（阻隔直流、传递交流）、储能缓冲（在负载突变时提供瞬时电流）。

按介质，可分为陶瓷电容（应用最广，主流为MLCC）、电解电容（铝电容、钽电容）、薄膜电容、超级电容。

二. 钽电容概览

钽电容是以金属钽 (Ta) 为阳极，五氧化二钽为介质的电解电容，是目前单位体积容值密度最高的电容类型。

其具有单位体积效率高（适合高密度集成电路）、极低等效串联电阻（适合高频大电流场景）、稳定性强等优势。

但其成本远高于其他电容（钽是稀有金属，价格在MLCCS十倍以上），市场份额较小，主要用于航天军工、汽车电子、服务器等高端场景。

（1）原材料

钽电容核心原材料为电容级钽粉（阳极材料）、钽丝（用于连接阳极），供应格局高度集中：美国Cabot、德国H.C.Starck、东方钽业。

（2）中游制备工艺

核心流程：混粉、压制成型、真空烧结、阳极氧化、阴极制备、被膜、装配封装。

三. 服务器场景应用

AI服务器电源系统采用四级电力缓存架构，以匹配GPU的瞬态电流变化率：

（1）纳秒级：MLCC，芯片引脚旁密集分布，负责纳秒级高频滤波，在GPU负载突变的第一时间提供瞬时电流。

（2）微秒级：钽电容，体积较大，分布于VRM输出端、电源主干线，负责微秒级大容量储能。

（3）毫秒级：铝电容，分布于PSU电源模块。

（4）秒级：超级电容，分布于机柜电源架。

以GB300 NVL72单机柜为例，MLCC总用量约在44万颗，钽电容约在2.5万颗。

三. 钽电容市场格局

全球钽电容市场高度集中，KEMET（国巨旗下）、AVX、Vishay、村田、NEC占据高端市场60%以上份额，国产替代空间广阔。

东方钽业：国内最大的钽铌产品生产商，电容级钽粉、钽丝全球份额前三。

振华科技：国内钽电容龙头，覆盖宇航级、军工级、工业级、民用级全系列；同时覆盖薄膜电容、超级电容、铝电容、MLCC业务。

宏达电子：国内民用钽电容龙头，同时覆盖电源模块、单层陶瓷电容、多层瓷介电容器、陶瓷薄膜电路。

顺络电子：片式电子元器件国内龙头，片式压敏电阻、片式电感国内第一，推出无引线框结构新型钽电容。

火炬电子：电子元件国内头部厂商，业务覆盖陶瓷电容、钽电容、超级电容、薄膜电路、电阻。

谢谢天爷的逻辑梳理，很有用！哈哈

光纤专家交流深度
 
一、各型号光纤价格、供需、涨跌现状
 
整体行情：光纤市场整体快速涨价，当前电信集团集采 G652D 单价70-80 元/芯公里，散纤市场价约100元/芯公里。
 
2.G657A2：由35元涨至峰值240余元/芯公里；可用G657A1替代；海外G657A2现价30美元，高点约35 美元，国内光纤价格现已倒挂海外。
 
3.G654E：超低损耗品类，此前长飞独家国内中标运营商项目，亨通、中天新建专用光棒生产中心，用于长途数据中心。
 
多模OM4/OM5：需求、产量偏小，价格稳中小涨；OM4国内外报价接近，OM5长飞900-1000元、康宁2000元/芯公里，北美客户多指定采购康宁OM5。
 
二、需求端拆分、用量数据
 
运营商需求：国内光纤90%+ 市场由三大运营商 + 广电消化；G652D占运营商采购总量 80%以上，G657A2仅占10%；6-9月为行业需求旺季，11月-次年2月为淡季，淡季厂商停产G652D转产G657A2。
 
数据中心海外需求：微软年IDC投资 800 亿、亚马逊1000 亿；单机架光纤用量为传统 IDC10-16 倍；2025 全球 IDC 光纤需求 6900 万芯公里，2026 年 1.1-1.2 亿芯公里近乎翻倍；2025 年 AI 相关光纤用量 6000 多万芯公里，2026 年超 1 亿芯公里。
 
全国总需求：国内全年光纤总需求 2.5-2.6 亿芯公里，本土整体产能富余，行业增量依托海外需求。
 
三、厂商扩产、投资与经营策略
 
扩产节奏：过往国内公司规模化扩产致光纤暴跌，当前行业扩产偏谨慎；单次扩产光棒体量五六百吨、对应投资额约 10 亿元；烽火、通鼎韶关新建产线，长飞依托技改现有产能；日系藤仓扩产意愿低于国内企业。
 
厂商经营分化：山东宏安、江苏永鼎等中小厂停产光缆，仅外销光纤增厚利润；长飞、亨通、中天、烽火等头部向上游布局石英、气体原料。
 
全球化建厂：长飞布局波兰、墨西哥、巴西、印尼，亨通、中天同步海外扩产；海外暂无光棒预制棒建厂项目，国内头部落地海外造棒基地规避贸易壁垒。
 
四、上游原材料供需、价格、供应商信息
 
高纯度石英：早年依赖德国贺利氏、日本东曹；国内三孚 2025 高纯石英出货 8000 吨，国产化自给 2025 年 30%-40%、2026 年超 40%；贺利氏 PCVD 机管产能受限，国内改用 OVD/VAD 工艺替代，菲利华、石英股份实现国产替代。
 
四氯化锗：G654E 单位用量是 G652D3-5 倍，空芯光纤耗用更高；全球高纯锗年产百余吨，全球锗总供给三四百吨，中国产能占50%，国内供应商云南锗业、驰宏锌锗，海外优美科、加拿大厂商；国内锗执行出口管制，外销大幅收缩。
 
氦气：卡塔尔氦气产能占全球 80%+，国内本土氦气产能不足全国 5%，进口受地缘冲突扰动。
 
光缆辅材：PE 护套、油膏等原料挂钩原油价格，油价下行利好光缆生产成本。
 
五、海外大厂定价、合作、国内厂商出海细节
 
康宁：一季度营收 40 多亿、同比 + 20%，核心毛利率抬升 120BP；与英伟达、AT&T、北美云商签订锁价长期供货协议；OM5 售价 2000 元，大幅高于国产长飞 900-1000 元；北美市场传统垄断，国内公司准入需严苛认证。
 
国内出海：长芯博创通过英伟达认证落地北美；长飞依托原股东普睿司曼、德拉科做欧洲 OEM；亨通凭华为海洋资源拓展海缆订单；长飞海内外工厂交货周期 15 天，同业常规 3 个月。
 
六、后续各品类价格预判、影响变量
 
1.G652D：旺季运营商集采锁价约 80 元 / 芯公里，6-9 月旺季双品种产能错配或推升散纤售价，小厂无议价权，缺纤违约后重新招标继续涨价。
 
2.G657A2：短期因 A1 替代、存量产能释放价格回调；旺季产能切回 G652D + 海内外 AI / 无人机 / IDC 需求上行，价格具备再度上涨空间；中东、印巴、东南亚新增需求持续放量、地缘扰动会进一步抬升需求。
 
多模 OM4/OM5：CPO 带动光互联替代传统铜缆，GPU 集群拉动 OM5、G657A 需求指数上涨，康宁、藤仓、住友已量产供货，国内长飞、亨通暂未量产。

吃了不少，感谢🙏

天爷帖子里有黄金呀！

谢谢天爷

是通富电路吗

通富尾盘回封想要上车的，犹豫了