半导体前道材料国产化率及厂商梳理：
前道材料占据70%市场规模，主要包括七大类：硅片、掩模版、
光刻胶、湿
电子化学品、抛光材料、电子特气、靶材。
1.硅片
（1）作用：半导体制造基底材料，支撑后续光刻、蚀刻等工艺，形成晶体管和电路结构。
（2）组成：由高纯度单晶硅（9N以上）经切割、研磨等工艺制得。
（3）分类：按尺寸分为8英寸、12英寸等；按工艺分为抛光片、外延片、SOI硅片。
（4）全球格局：CR5超90%，包括信越化学（日）、SUMCO（日）、环球晶圆（台）、Siltronic（德）、SK Siltron（韩）。
（5）国内头部：
沪硅产业、
立昂微、
有研硅。
2.掩膜版（光罩）
（1）作用：光刻工艺中的图形转移母版，承载着设计好的电路图案。
（2）组成：由石英玻璃基板、金属铬层、感光胶层组成，通过电子束刻蚀出电路图形。
（3）全球格局：CR5超95%，包括Photronics（美）、Toppan（日）、DNP（日）等。
（4）国内头部：聚和材料、
路维光电、
清溢光电。
3.光刻胶
（1）作用：光刻工艺中的感光介质，涂覆在晶圆上，曝光后溶解度变化，显影后留下电路图案，实现图形转移。
（2）组成：由树脂、感光剂、溶剂、添加剂组成。
（3）分类：按曝光波长分为EUV胶、ArF/KrF胶（DUV）、G/I线胶（UV）。
（4）全球格局：CR5超90%，包括JSR（日）、东京应化（日）、信越化学（日）、富士胶片（日）、杜邦（美）。
（5）国内头部：
南大光电、
彤程新材、
上海新阳、
晶瑞电材。
4.湿电子化学品
（1）作用：超净高纯化学试剂，用于晶圆清洗、蚀刻、显影等工艺。
（2）分类：清洗液、蚀刻液、剥离液、显影液等。
（3）全球格局：CR5超80%，包括关东化学（日）、巴斯夫（德）、霍尼韦尔（美）、三菱化学（日）。
（4）国内头部：
中巨芯、
格林达、
江化微。
5.电子特气
（1）作用：高纯度特种气体，用于蚀刻、薄膜沉积、掺杂、清洗等工艺。
（2）分类：全领域超百种，分为蚀刻气、沉积气、清洗气、掺杂气等。
（3）全球格局：CR4超80%，包括林德集团（德）、液化空气（法）、空气化工（美）、大阳日酸（日）。
（4）国内头部：
中船特气、
华特气体、
雅克科技、
和远气体、
金宏气体。
6.靶材
（1）作用：物理气相沉积（PVD）工艺中的粒子源，靶材原子被溅射并沉积形成薄膜，用于互连层、阻挡层、导电层制备。
（2）分类：金属靶材（铝靶、铜靶、钛靶、钨靶等）、合金靶材、陶瓷靶材。
（3）全球格局：CR5超80%，包括日矿金属（日）、东曹（日）、霍尼韦尔（美）等。
（4）国内头部：
江丰电子、
有研新材、
阿石创、
欧莱新材。
7.抛光材料
（1）作用：用于化学机械抛光（CMP）工艺，实现晶圆表面纳米级平整。
（2）分类：抛光垫、抛光液。
（3）全球格局：抛光液CR3超90%（
卡博特、日立、Fujimi）；抛光垫 CR2超90%（陶氏、卡博特）。
（4）国内头部：
鼎龙股份、
安集科技。
天爷
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