$【功率半导体】产业链逻辑速览$

**核心逻辑**

新能源车 和光储需求驱动功率半导体量价齐升，国产替代从低端向高端突破，SiC是下一个增长极

**产业链定位**
【产业链定位】功率半导体
上游: 设备: 北方华创(002371)、中微公司(688012)
材料: 沪硅产业(688126)
中游: 设计: 韦尔股份(603501)、卓胜微(300782)
代工: 中芯国际 (688981)
封测: 长电科技(600584)
功率: 斯达半导(603290)、士兰微(600460)
下游: 消费电子 /汽车电子/AI/IoT
瓶颈: 半导体设备(光刻机/刻蚀机)+ 车规功率芯片

【边际变化】
已发生: 国产IGBT在新能源车和光伏领域份额从5%提升至20%+，SiC衬底国产化率突破10%
预期差: SiC器件在800V高压平台大规模上车，GaN在消费快充和基站射频渗透
核心逻辑: 新能源车和光储需求驱动功率半导体量价齐升，国产替代从低端向高端突破，SiC是下一个增长极

【供需】
需求: 新能源汽车渗透率提升，电驱系统对IGBT/SiC模块需求持续增长 / 光伏/储能逆变器出货量高增，带动IGBT和MOSFET需求 / 工业自动化和变频家电升级，推动中低压功率器件需求
供给: 全球产能向中国转移，但高端IGBT模块和SiC器件仍依赖进口，国产替代加速

【竞争格局】
全球: 英飞凌、安森美、意法半导体 、三菱电机、Wolfspeed
国内: 斯达半导（603290）、时代电气 （688187）、士兰微（600460）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）
壁垒: IGBT模块封装工艺、SiC衬底长晶技术、车规级认证周期（2-3年）、客户粘性

【KPI】
IGBT模块市占率（%） → 跟踪中
SiC衬底良率（%） → 跟踪中
车规级认证数量 → 跟踪中
研发费用率（%） → 跟踪中
毛利率趋势 → 跟踪中

【催化剂】
近期: 2024年Q3新能源车销量超预期，光伏装机旺季来临
远期: 800V平台SiC模块量产，国产SiC衬底通过国际大厂验证
风险: 产能过剩导致价格战，SiC良率不及预期，下游需求放缓

总结: 功率半导体受益于新能源和工业升级，国产替代空间大，SiC为长期主线，但需关注产能释放节奏和技术突破 [重点配置]

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⚠️ 以上基于公开信息整理，仅作逻辑推演，不构成买卖建议。
⚠️ 股市有风险，交易须独立判断。